Презентация Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 9 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Химия » Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

9 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

4.12 MB
Просмотров:

96
Скачиваний:

1
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: Нитрид галлия. Основные свойства и применение. GaN и твердые растворы на его основе Студент Жукова Е. В. Преподаватель Субботин К.А.

№2 слайд

Содержание слайда:

№3 слайд

Содержание слайда: Основные свойства

№4 слайд

Содержание слайда: Применение Широко используется для создания: светодиодов полупроводниковых лазеров оптикоэлектронных, мощных и высокочастотных устройств массивов солнечных батарей на спутниках в качестве подложек

№5 слайд

Содержание слайда: Твердые растворы GaN Нитриды галлия, алюминия, индия и твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для оптоэлектронных устройств, работающих в голубой и фиолетовой областях спектра.

№6 слайд

Содержание слайда: AlGaN Среди них пристальное внимание исследователей привлекает твердый раствор AlGaN вследствие применения не только в лазерных структурах, но и в полевых транзисторах, работающих под большим напряжением и при высоких температурах. Вследствие большого пьезоэлектрического коэффициента и механических напряжений, возникающих между слоями GaN и AlGaN, в гетероструктурах AlGaN/GaN могут генерироваться сильные электрические поля, способствующие образованию на гетерограницах между слоями большой концентрации электронного газа.

№7 слайд

Содержание слайда: AlGaN Рассмотрим энергетическую диаграмму AlGaN, в которой между внешними р- и n-областями полупроводника с большими величинами ширины запрещенной зоны Еg2, Еg3 расположен тонкий слой с меньшей шириной Еg*. Толщину этого слоя можно сделать очень малой, порядка сотен или даже десятков атомных слоев.

№8 слайд