Презентация Дослідження та проектування комп'ютерних систем та мереж онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Дослідження та проектування комп'ютерних систем та мереж абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 282 слайда. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Устройства и комплектующие » Дослідження та проектування комп'ютерних систем та мереж



Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
  • Тип файла:
    ppt / pptx (powerpoint)
  • Всего слайдов:
    282 слайда
  • Для класса:
    1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
  • Размер файла:
    19.23 MB
  • Просмотров:
    63
  • Скачиваний:
    0
  • Автор:
    неизвестен



Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд
Зарплати розробник в Укра ни
Содержание слайда: Зарплати розробників України - грудень 2015https://dou.ua/lenta/articles/salary-report-dec-2015/

№2 слайд
Популярн сть мов програмування
Содержание слайда: Популярність мов програмування

№3 слайд
Розпод л по предметних
Содержание слайда: Розподіл по предметних областях

№4 слайд
Середн зарплати по вс х
Содержание слайда: Середні зарплати по всіх посадах

№5 слайд
Зарплати випускник в вуз в
Содержание слайда: Зарплати випускників вузів

№6 слайд
Розробник програмного
Содержание слайда: Розробник програмного забезпечення, Киев:

№7 слайд
У Львов IT-компан й нформац
Содержание слайда: У Львові 150 IT-компаній (Інформаційні Технології) 25 найбільших IT-компаній України http://jobs.dou.ua/top25/

№8 слайд
Критер створення КСМ
Содержание слайда: Критерії створення КСМ Виконання покладених функцій Продуктивність Апаратні витрати Надійність Габарити Споживана потужність Ціна Додаткові функції Інші

№9 слайд
Система множина вза мопов
Содержание слайда: Система множина взаємопов'язаних елементів, що взаємодіє з середовищем, як єдине ціле, і відокремлена від нього.

№10 слайд
Властивост системи, пов язан
Содержание слайда: Властивості системи, пов'язані з цілями та функціями Ефект синергії — односпрямованість (або цілеспрямованість) дій компонентів посилює ефективність функціонування системи. Пріоритет інтересів системи вищого (глобального) рівня перед інтересами її компонентів (ієрархічність). Емерджентність — цілі (функції) компонентів системи не завжди збігаються з цілями (функціями) системи (від’ємний зворотній зв’язок) Мультиплікативність — і позитивні, і негативні ефекти функціонування компонентів в системі мають властивість множення, а не додавання. Цілеспрямованість — діяльність системи підпорядкована певній цілі. Альтернативність шляхів функціонування та розвитку. Робастність - здатність системи зберігати часткову працездатність (ефективність) при відмові її окремих елементів чи підсистем.

№11 слайд
Пов язан з структурою Ц л сн
Содержание слайда: Пов'язані зі структурою Цілісність — первинність цілого по відношенню до частин: появи у системи нової функції, нової якості, органічно випливають зі складових її елементів, але не властивих жодному з них, взятому ізольовано. Неадитивності — принципова незведеність властивостей системи до суми властивостей складових її компонентів. Структурність — можлива декомпозицію системи на компоненти, встановлення зв'язків між ними. Ієрархічність — кожен компонент системи може розглядатися як система (підсистема) ширшої глобальної системи.

№12 слайд
Пов язан з ресурсами та
Содержание слайда: Пов'язані з ресурсами та особливостями взаємодії із середовищем Комунікативність - існування складної системи комунікацій із середовищем у вигляді ієрархії. Взаємодія і взаємозалежність системи і зовнішнього середовища. Адаптивність - прагнення до стану стійкої рівноваги, яке передбачає адаптацію параметрів системи до мінливих параметрів зовнішнього середовища (проте «нестійкість» не у всіх випадках є дисфункціональною для системи, вона може виступати і як умови динамічного розвитку). Надійність - функціонування системи при виході з ладу однієї з її компонент, збереженість проектних значень параметрів системи протягом запланованого періоду. Інтерактивність – мета досягається за рахунок обміну інформацією між елементами системи, системою та середовищем

№13 слайд
нш нтегративн сть - наявн сть
Содержание слайда: Інші Інтегративність - наявність системоутворювальних, системозберігальних факторів. Еквіфінальность - здатність системи досягати станів, що не залежать від вихідних умов і визначаються тільки параметрами системи. Спадковість. Розвиток - характеризує зміну стану системи у часі. Це поняття допомагає пояснити складні термодинамічні й інформаційні процеси у природі та суспільстві. Порядок. Самоорганізація.

№14 слайд
Комп ютерна система Склада
Содержание слайда: Комп’ютерна система Складається з апаратного і програмного забезпечення, які обробляють дані Набір апаратних вузлів, які зв’язані між собою і взаємодіють, утворюючи комп’ютер Повний працюючий комп’ютер у цілому, з периферійними пристроями та обладнанням Повний працюючий комп’ютер (апаратне забезпечення + програмне забезпечення + периферія) Система з одного або декількох комп’ютерів і відповідного програмного забезпечення з загальною пам’яттю Функціональний вузол з одного чи декількох комп’ютерів і відповідного програмного забезпечення, який Використовує спільну пам’ять для усіх або частини програм та даних Виконує написані або введені користувачем програми Виконує визначені користувачем операції Набір підходящих, але не з’єднаних елементів комп’ютера Набір підходящих і з’єднаних елементів комп’ютера Набір процедур, процесів, методів, програм, технологій і обладнання, з’єднані разом, які утворюють організоване ціле З’єднані між собою комп’ютери із спільною пам’яттю і периферійними пристроями, кожен з яких працює незалежно від інших, але може зв’язатися із спільною пам’яттю і периферійними пристроями Комп’ютер, яким одночасно можуть користуватися декілька користувачів

№15 слайд
Комп ютерна мережа Система зв
Содержание слайда: Комп’ютерна мережа Система зв’язку комп’ютерів або комп’ютерного обладнання

№16 слайд
Ун версальний комп ютер та
Содержание слайда: Універсальний комп’ютер та його основні елементи

№17 слайд
Контролер ВКС та його основн
Содержание слайда: Контролер ВКС та його основні елементи

№18 слайд
КС та основн елементи
Содержание слайда: КС та її основні елементи

№19 слайд
Структурна схема процесу
Содержание слайда: Структурна схема процесу передачі або оброблення інформації

№20 слайд
Комп ютери, контролери, КС,
Содержание слайда: Комп’ютери, контролери, КС, ВКС, КФС

№21 слайд
Wi-Fi КС, нтернет речей
Содержание слайда: Wi-Fi КС, інтернет речей

№22 слайд
Що зм нилося? Подальша м кром
Содержание слайда: Що змінилося? Подальша мікромініатюризація Нанотехнології, МЕМС “Великі дані” WLAN Комп’ютерів більше ніж людей – і набагато більше ніж комп’ютерних фахівців

№23 слайд
МЕМС
Содержание слайда: МЕМС

№24 слайд
МЕМС, давач та актюатори
Содержание слайда: МЕМС, давачі та актюатори

№25 слайд
Содержание слайда:

№26 слайд
Найб льш перспективн област д
Содержание слайда: Найбільш перспективні області діяльності Системи на кристалі Вбудовані процесори Системи в корпусі -------------------------------- Вбудована пам’ять Нанотехнології 98% комп’ютерних мікросхем – елементи ВКС

№27 слайд
Еволюц я поняття Вбудован
Содержание слайда: Еволюція поняття «(Вбудовані) комп’ютерні системи» Інформаційно-керуючі системи, керуючі обчислювальні комплекси (НВК), переважно централізовані системи віддалені від об'єкта управління, 60-і роки. Вбудовані обчислювальні системи (embedded systems), компактні обчислювальні системи вбудовані в об'єкт управління, кінець 70-х років. Розподілені вбудовані системи управління, контролерні мережі (networked embedded control systems) - NECS / РІУС, кінець 90-х років. - Кібер-фізичні системи (Cyber Physical Systems), 2000-і роки.

№28 слайд
К бер-ф зичн системи к бер-ф
Содержание слайда: Кібер-фізичні системи кібер-фізичні системи – “розумні” системи, що охоплюють обчислювальні (тобто апаратне і програмне забезпечення) і ефективно інтегровані фізичні компоненти, які тісно взаємодіють між собою, щоб відчувати зміни стану реального світу кібер-фізичні системи утворюють основу для розвитку виробництва, зокрема в наступних сферах: смарт-виробництво («розумне» виробництво), смарт-охорона здоров'я, інфраструктура для «розумних» мереж, «розумні» будинки й інфраструктури, смарт-автомобілі, мобільні системи і системи оборони.

№29 слайд
Р вн еталонно модел .
Содержание слайда: Рівні еталонної моделі. Протоколи рівноправних об’єктів

№30 слайд
Багатор внева модель вза мозв
Содержание слайда: Багаторівнева модель взаємозв’язку відкритих систем

№31 слайд
Перетворення блок в даних у
Содержание слайда: Перетворення блоків даних у суміжних рівнях

№32 слайд
Проблема одночасного
Содержание слайда: Проблема одночасного проектування апаратного і програмного забезпечення (Hardware-Software CoDesign). Варіант розв’язку – багаторівневі системи

№33 слайд
Багатор внева платформа КФС
Содержание слайда: Багаторівнева платформа КФС

№34 слайд
Одночасне проектування
Содержание слайда: Одночасне проектування апаратного і програмного забезпеченні - HSCoD

№35 слайд
Основн документи при
Содержание слайда: Основні документи при проведенні проектування, їхній зв'язок.

№36 слайд
ДСТУ . ПРАВИЛА ПОБУДОВИ,
Содержание слайда: ДСТУ 1.3:2004 ПРАВИЛА ПОБУДОВИ, ВИКЛАДАННЯ, ОФОРМЛЕННЯ, ПОГОДЖЕННЯ, ПРИЙНЯТТЯ ТА ПОЗНАЧАННЯ ТЕХНІЧНИХ УМОВ 4 ПРАВИЛА ПОБУДОВИ, ВИКЛАДАННЯ ТА ОФОРМЛЕННЯ 4.1 В ТУ загалом мають бути такі розділи: сфера застосування; нормативні посилання; технічні вимоги (параметри й розміри, основні показники та характеристики, вимоги до си­ровини, матеріалів, покупних виробів, комплектність, маркування, пакування); вимоги безпеки; вимоги охорони довкілля, утилізація; правила приймання; методи контролювання (випробування, аналізу, вимірювання); транспортування та зберігання; правила експлуатації, ремонту, настанова щодо застосування тощо; гарантії виробника. Залежно від специфіки виробництва та призначення продукції ТУ дозволено доповнювати іншими розділами та об'єднувати окремі розділи.

№37 слайд
Овновн етапи проектування КС
Содержание слайда: Овновні етапи проектування КС

№38 слайд
Содержание слайда:

№39 слайд
як сть як сть це сукупн сть
Содержание слайда: якість якість – це сукупність властивостей, що визначають здатність виробу задовільняти вимоги користувача (замовника)

№40 слайд
Основн етапи житт вого циклу
Содержание слайда: Основні етапи життєвого циклу

№41 слайд
Ц на помилки
Содержание слайда: Ціна помилки

№42 слайд
Р вн стандартизац .
Содержание слайда: Рівні стандартизації.

№43 слайд
СКД та СПД
Содержание слайда: ЄСКД та ЄСПД

№44 слайд
проект Закону Укра ни Про
Содержание слайда: проект Закону України «Про внесення змін до деяких законодавчих актів України у зв’язку з прийняттям Закону України «Про стандартизацію». На засіданні Уряду 13 вересня 2017 року схвалено проект Закону України «Про внесення змін до деяких законодавчих актів України у зв’язку з прийняттям Закону України «Про стандартизацію» (який Верховна Рада прийняла в лютому 2016 року. ) Законопроектом передбачено внесення змін до 127 законодавчих актів (8 кодексів та 119 законів) та пропонується виключити положення стосовно: – обов’язковості застосування національних стандартів; – погодження проектів національних стандартів з державними органами; – нормативно-правового регулювання відносин, пов'язаних із розробленням стандартів і технічних умов підприємств, установ та організацій; нагляду за дотриманням стандартів та штрафних санкцій за недотримання вимог стандартів. Законопроект подано Кабінетом Міністрів України в порядку законодавчої ініціативи для розгляду Верховною Радою України. http://www.me.gov.ua/News/Detail?lang=uk-UA&id=4d318e65-dbc7-4363-9918-d855eb489815&title=KabminDoopratsiuvavZakonodavstvoSchodoVikoristanniaStandartiv

№45 слайд
Стад розробки ГОСТ . - Единая
Содержание слайда: Стадії розробки (ГОСТ 2.103-68 Единая система конструкторской документации. Стадии разработки)

№46 слайд
Класиф кац я досл джень
Содержание слайда: Класифікація досліджень (випробувань ) ГОСТ 16504-81 ИСПЫТАНИЯ И КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ. Основные термины и определения за призначенням - дослідницькі, порівняльні, контрольні та визначальні; за рівнем проведення випробування - державні, міжвідомчі та відомчі; за етапом розробки продукції - доведінкові, попередні та приймальні; за видом контролю готової продукції - кваліфікаційні, пред'явницькі, приймально-здавальні, періодичні, інспекційні, типові, атестаційні та сертифікаційні; за умовами і місцем проведення - лабораторні, стендові, полігонні, натурні, з використанням моделей та експлуатаційні; за тривалістю - нормальні, прискорені та скорочені; за видом впливу - механічні, кліматичні, термічні, радіаційні, електричні, електромагнітні, магнітні, хімічні та біологічні; за результатом впливу - неруйнівні, що руйнують, на стійкість, на міцність і на стійкість; за характеристикам об'єкта, що визначаються - функціональні, на надійність, граничні, технологічні, на транспортабельність.

№47 слайд
за призначенням - досл дницьк
Содержание слайда: за призначенням - дослідницькі, порівняльні, контрольні та визначальні дослідницькі випробування - проводяться для вивчення певних характеристик властивостей об'єкта порівняльні - випробування аналогічних за характеристиками або однакових об'єктів, що проводяться в ідентичних умовах для порівняння характеристик їх властивостей контроль - перевірка відповідності об'єкта встановленим технічним вимогам визначальні - випробування, що проводяться для визначення значення характеристик об'єкта з заданими значеннями показників точності і (або) достовірності

№48 слайд
за р внем проведення
Содержание слайда: за рівнем проведення випробування - державні, міжвідомчі та відомчі Державні - випробування встановлених найважливіших видів продукції, що проводяться головною організацією по державних випробуваннях, або приймальні випробування, що проводяться державною комісією або випробувальної організацією, якій надано право їх проведення Міжвідомчі - випробування продукції, що проводяться комісією з представників кількох зацікавлених міністерств і (або) відомств, або приймальні випробування встановлених видів продукції для приймання складових частин об'єкта, що розробляється спільно декількома відомствами Відомчі - випробування, проведені комісією з представників зацікавленої міністерства або відомства

№49 слайд
за етапом розробки продукц -
Содержание слайда: за етапом розробки продукції - доведінкові, попередні та приймальні; Доведінкові - Дослідницькі випробування, що проводяться при розробці продукції з метою оцінки впливу внесених до неї змін для досягнення заданих значень показників її якості Попередні - контрольні випробування дослідних зразків і (або) дослідних партій продукції з метою визначення можливості їх пред'явлення на приймальні випробування Приймальні - Контрольні випробування дослідних зразків, дослідних партій продукції чи виробів одиничного виробництва, що проводяться відповідно з метою вирішення питання про доцільність впровадження цієї продукції у виробництво та (або) використання за призначенням

№50 слайд
за видом контролю готово
Содержание слайда: за видом контролю готової продукції - кваліфікаційні, пред'явницькі, приймально-здавальні, періодичні, інспекційні, типові, атестаційні та сертифікаційні; Кваліфікаційні - контрольні випробування установчої серії або першої промислової партії, проведені з метою оцінки готовності підприємства до випуску продукції даного типу в заданому обсязі пред'явницькі - контрольні випробування продукції, що проводяться службою технічного контролю підприємства-виробника перед пред'явленням її для приймання представником замовника, споживача або інших органів приймання приймально-здавальні - контрольні випробування продукції при приймальному контролі Періодичні - Контрольні випробування виготовлюваної продукції, що проводяться в обсягах та в терміни, встановлені нормативно-технічною документацією, з метою контролю стабільності якості продукції та можливості продовження її виготовлення Інспекційнії - Контрольні випробування встановлених видів своєї продукції, що проводяться у вибірковому порядку з метою контролю стабільності якості продукції спеціально уповноваженими організаціями Типові - Контрольні випробування виготовлюваної продукції, що проводяться з метою оцінки ефективності та доцільності змін, що вносяться в конструкцію, рецептуру або технологічний процес Атестаційні - Випробування, що проводяться для оцінки рівня якості продукції при її атестації за категоріями якості Сертифікаційні - Контрольні випробування продукції, що проводяться з метою встановлення відповідності характеристик її властивостей національним і (або) міжнародним нормативно технічним документам

№51 слайд
за умовами м сцем проведення
Содержание слайда: за умовами і місцем проведення - лабораторні, стендові, полігонні, натурні, з використанням моделей та експлуатаційні; за тривалістю - нормальні, прискорені та скорочені; за видом впливу - механічні, кліматичні, термічні, радіаційні, електричні, електромагнітні, магнітні, хімічні та біологічні; за результатом впливу - неруйнівні, що руйнують, на стійкість, на міцність і на стійкість; за характеристикам об'єкта, що визначаються - функціональні, на надійність, граничні, технологічні, на транспортабельність.

№52 слайд
Класиф кац я апаратури за
Содержание слайда: Класифікація апаратури за умовами експлуатації

№53 слайд
Зовн шн фактори, що д ють на
Содержание слайда: Зовнішні фактори, що діють на КС

№54 слайд
Класи зовн шн х впливаючих
Содержание слайда: Класи зовнішніх впливаючих факторів механічні, кліматичні, біологічні, радіаційні, електромагнітні, спеціальних середовищ, термічні.

№55 слайд
клас кл матичних вплив в д
Содержание слайда: клас кліматичних впливів ділиться на групи: атмосферний тиск, температура середовища. вологість повітря або інших газів і т. д.

№56 слайд
Кл матичн фактори, що
Содержание слайда: Кліматичні фактори, що впливають на групи РЕА

№57 слайд
нормальн значення кл матичних
Содержание слайда: нормальні значення кліматичних факторів навколишнього середовища при випробуваннях виробів (нормальні кліматичні умови випробувань) за ГОСТ 15150-69: температура — +25 ± 10 °С; відносна вологість повітря — 45 — 80%; атмосферний тиск — 84,0 — 106,7 кПа (630–800 мм рт. ст.); якщо в стандартах на окремі групи виробів не прийнято інших меж, обумовлених специфікою виробу. Робочі умови експлуатації — сукупність факторів, межі яких нормують (регламентують, гарантують) характеристики показників якості виробів, зазначених у технічних умовах та іншій технічній документації. Граничні умови експлуатації характеризують екстремальні значення факторів, за яких вироби витримують навантаження без руйнування й погіршення якості.

№58 слайд
Ст йк сть та м цн сть робоч
Содержание слайда: Стійкість та міцність (робочі та граничні параметри (збереження)) випробування на стійкість — випробування, що проводяться для контролю здатності виробу виконувати свої функції та зберігати значення параметрів у межах установлених норм під час дії на нього певних чинників; випробування на міцність — випробування, що проводяться для визначення значень впливових чинників, які викликають вихід значень характеристик властивостей об'єкта за встановлені границі чи його руйнування.

№59 слайд
температурн диапазони C
Содержание слайда: температурні диапазони 0 … 55°C — побутовий −20 … +75°C — розширений (промисловий) −40 … +85°C — військовий −55 … +110°C — аерокосмічний

№60 слайд
За кл матичною зоною
Содержание слайда: За кліматичною зоною

№61 слайд
За температурою
Содержание слайда: За температурою

№62 слайд
Механ чн фактори, що
Содержание слайда: Механічні фактори, що впливають на групи РЕА

№63 слайд
Зм на вимог до РЕА
Содержание слайда: Зміна вимог до РЕА

№64 слайд
фактори зовн шнього впливу
Содержание слайда: фактори зовнішнього впливу космічного простору в районі Землі або аналогічного космічного вакуум; власної зовнішньої атмосфери космічного апарату; атмосфери планети (склад і температура атмосфери); потоків нейтральних частинок в залежності від їх складу і швидкості; потоків заряджених частинок, що генеруються в атмосфері планети; «Сонячного вітру»; сонячного космічного випромінювання; електромагнітного випромінювання Сонця (звичайно весь спектр його електромагнітних випромінювань випромінювань розбивають на ряд ділянок); відбитого планетою Сонячного випромінювання; власного теплового випромінювання планети (побічно цей фактор характеризує температуру грунту планети і ступінь його чорноти); Галактичних космічних випромінювань; потоків міжпланетного пилу і метеорних частинок; магнітного поля планети; і т. д.

№65 слайд
Вплив зовн шн х внутр шн х
Содержание слайда: Вплив зовнішніх і внутрішніх факторів на матеріали виробів адсорбційного, дифузійного, хмічного, корозійної та радіаційного механізмів впливу.

№66 слайд
Найб льш часто на вироби
Содержание слайда: Найбільш часто на вироби впливають такі види енергії: теплова, електрична, електромагнітна, механічна і хімічна.

№67 слайд
Найб льш поширен причини
Содержание слайда: Найбільш поширені причини виникнення відмов: теплове руйнування (втрата теплової стійкості, перегорання, розплавлення і т. д.), деформація і механічне руйнування, включаючи порушення контактів, обриви і короткі замикання, порушення механічних фіксацій і т. д., електричне руйнування (пробою, порушення електричної міцності і т. д.), електрохімічна корозія, радіаційне руйнування, зношування виробів, забруднення поверхонь деталей та виробів (порушення контактів, зміна фотометричних характеристик, погіршення зорового сприйняття інформації і т. д.)

№68 слайд
В дмови апаратури в йськового
Содержание слайда: Відмови апаратури військового призначення та матеріалів при різних умовах

№69 слайд
ДСТУ IEC - - Випробування на
Содержание слайда: ДСТУ IEC 60068-2-2:2013 Випробування на дію зовнішніх чинників. Випробування. Випробування В: Сухе тепло 6.5.2Температура +1000 °С; +250 °С; +85 °С; +45 °С; +800 °С; +200 °С; +70 °С; +40 °С; +630 °С; +175 °С; +65 °С; +35 °С; +500 °С; +155 °С; +60 °С; +30 °С. +400 °С; +125 °С; +55 °С; +315 °С; +100 °С; +50 °С;

№70 слайд
ДСТУ IEC - - Випробування на
Содержание слайда: ДСТУ IEC 60068-2-2:2013 Випробування на дію зовнішніх чинників. Випробування. Випробування В: Сухе тепло 6.5.3Длительность 2 ч; 72 ч; 168 ч; 336 ч; 16 ч; 96 ч; 240 ч; 1000 ч.

№71 слайд
ДСТУ IEC - - Випробування на
Содержание слайда: ДСТУ IEC 60068-2-2:2013 Випробування на дію зовнішніх чинників. Випробування. Випробування А: Холод

№72 слайд
Склад випробовувального циклу
Содержание слайда: Склад випробовувального циклу (вологість)

№73 слайд
ГОСТ Р - Методы испытаний на
Содержание слайда: ГОСТ Р 51369-99 Методы испытаний на стойкость к климатическим внешним воздействующим факторам машин, приборов и других технических изделий. Испытания на воздействие влажности

№74 слайд
Основные технические
Содержание слайда: Основные технические характеристики климатических камер серий ТХ, ТХВ И КТВ та WT3-180/70...WT3-2000/70

№75 слайд
Основные технические
Содержание слайда: Основные технические характеристики климатических камер серий ТХ, ТХВ И КТВ Цена от $9000,00 Основные технические характеристики климатических камер серий ТХ, ТХВ И КТВ ПАРАМЕТР СЕРИЯ ТХ СЕРИЯ ТХВ СЕРИЯ КТВ Диапазон температуры (режим ТЕМПЕРАТУРА), °С -60...+100 -60...+100 -25...+100 Диапазон температуры (режим ВЛАЖНОСТЬ), °С - +20...+60 +20...+60 Точность поддержания температуры, °С ±2 ±2 ±2 Диапазон поддержания влажности, % - 30...98 30...98 Точность поддержания влажности, % - ±5 ±5 Объём рабочей камеры, л 60, 80, 150, 500, 1000,...

№76 слайд
В бростенди НВО Рад й, м. К
Содержание слайда: Вібростенди (НВО Радій, м. Кіровоград)

№77 слайд
Термобаракамера НВО Рад й, м.
Содержание слайда: Термобаракамера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№78 слайд
Термобаракамера НВО Рад й, м.
Содержание слайда: Термобаракамера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№79 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№80 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№81 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№82 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№83 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№84 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№85 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№86 слайд
Рентген вська камера НВО Рад
Содержание слайда: Рентгенівська камера (НВО Радій, м. Кіровоград)

№87 слайд
Основн принципи тестування,
Содержание слайда: Основні принципи тестування, налагодження і контролю Метод функціональної декомпозиції – “Розділяй та володарюй” Метод конструктивної декомпозиції

№88 слайд
Основн принципи тестування,
Содержание слайда: Основні принципи тестування, налагодження і контролю. Еталони

№89 слайд
Явище г потеза, техн чне
Содержание слайда: Явище і гіпотеза, технічне завдання і аналог

№90 слайд
Класиф кац я еталон в
Содержание слайда: Класифікація еталонів

№91 слайд
Загальна схема випробовування
Содержание слайда: Загальна схема випробовування цифрових пристроїв

№92 слайд
Загальна схема випробовування
Содержание слайда: Загальна схема випробовування аналогових пристроїв

№93 слайд
Обмеження, що накладаються на
Содержание слайда: Обмеження, що накладаються на еталони і об’єкти

№94 слайд
Скид ус х елемнт в пам ят п
Содержание слайда: 2) Скид усіх елемнтів пам’яті після ввімкнення живлення

№95 слайд
ДСТУ - Над йн сть техн ки.
Содержание слайда: ДСТУ 2860-94 Надійність техніки. Терміни та визначення Надійність - властивість об'єкта зберігати у часі в установлених межах значення всіх параметрів, які характеризують здатність виконувати потрібні функції в заданих режимах та умовах застосування, технічного обслуговування, зберігання та транспортування. Справність - Стан об'єкта, за яким він здатний виконувати усі задані функції об'єкта Несправність - Стан об'єкта, за яким він нездатний виконувати хоч би одну із заданих функцій об'єкта. працездатний стан; працездатність - Стан об'єкта, який характеризується його здатністю виконувати усі потрібні функції непрацездатний стан; непрацездатність - Стан об'єкта, за яким він нездатний виконувати хоч би одну з потрібних функцій

№96 слайд
ДСТУ - Над йн сть техн ки.
Содержание слайда: ДСТУ 2860-94 Надійність техніки. Терміни та визначення незначна несправність - Несправність, що не порушує жодної з потрібних функцій об'єкта значна несправність - Несправність, що порушує хоча б одну з потрібних функцій об'єкта часткова несправність - Несправність, що викликає нездатність об'єкта виконувати частину потрібних функцій повна несправність - Несправність, що характеризується повною нездатністю об'єкта виконувати усі потрібні функції критична несправність - Несправність, що може призвести до травмування людей, значних матеріальних збитків чи інших неприйнятних наслідків

№97 слайд
ДСТУ - Над йн сть техн ки.
Содержание слайда: ДСТУ 2860-94 Надійність техніки. Терміни та визначення несправність через перевантаження несправність через невміле поводження несправність через неміцність несправність через зношування та (чи) старіння конструкційна несправність виробнича несправність стабільна несправність прихована несправність маскована несправність

№98 слайд
ДСТУ - Над йн сть техн ки.
Содержание слайда: ДСТУ 2860-94 Надійність техніки. Терміни та визначення Дефект - Кожна окрема невідповідність об'єкта встановленим вимогам Пошкодження - Подія, яка полягає у порушенні справного стану об'єкта коли зберігається його працездатність Відмова - Подія, яка полягає у втраті об'єктом здатності виконувати потрібну функцію, тобто у порушенні працездатного стану об'єкта часткова відмова повна відмова ресурсна відмова критична відмова конструкційна відмова виробнича відмова систематична відмова

№99 слайд
ДСТУ - Над йн сть техн ки.
Содержание слайда: ДСТУ 2860-94 Надійність техніки. Терміни та визначення Збій - Самоусувна відмова або одноразова відмова, яку незначним втручанням усуває оператор повторювальна відмова відмова через перевантаження відмова через неправильне поводження відмова через неміцність деградовна відмова раптова відмова поступова відмова ураховувана відмова невраховувана відмова залежна відмова незалежна відмова явна відмова прихована відмова

№100 слайд
Класиф кац я прояв
Содержание слайда: Класифікація і прояві несправностей цифрових пристроїв. В залежності від етапу життєвого циклу ідеологічні технологічні та виробничі помилки експлуатаційні За умовами виникнення помилки можна поділити на: Статичні обриви закорочення Динамічні перегони сигналів “Погана земля” електромагнітні завади Мікротріщини Холодна пайка Дренькіт контактів Ефекти довгих ліній Асинхронність вхідних сигналів Інші

№101 слайд
Повний оп р у кол зм нного
Содержание слайда: Повний опір у колі змінного струму

№102 слайд
Хвильовий оп р та швидк сть
Содержание слайда: Хвильовий опір та швидкість розповсюдження сигналу лініями зв’зку без втрат

№103 слайд
Содержание слайда:

№104 слайд
Довг л н
Содержание слайда: “Довгі” лінії

№105 слайд
деолог чн помилки Брак
Содержание слайда: Ідеологічні помилки Брак теоретичних знань

№106 слайд
деолог чн помилки Перегони
Содержание слайда: Ідеологічні помилки Перегони сигналів - виникнення

№107 слайд
деолог чн помилки Перегони
Содержание слайда: Ідеологічні помилки Перегони сигналів - боротьба

№108 слайд
Асинхронн сть вх дних сигнал в
Содержание слайда: Асинхронність вхідних сигналів

№109 слайд
Технолог чн та виробнич
Содержание слайда: Технологічні та виробничі помилки Технологічні помилки неправильно обрана температура паяльника, за допомогою якого здійснюється встановлення радіоелементів на друковану плати недостатня температура призводить до виникнення так званої “холодної пайки”, яка є дуже ненадійною; надвелика температура призводить до відшарування друкованих провідників від друкованої плати, мікротріщин Погане заземлення або екранування Ефекти довгих ліній інші Виробничі помилки неправильна орієнтація мікросхеми під час її встановлення на друковану плату; встановлення не того типу радіоелемента на друковану плату; відсутність елементів на друкованій платі; встановлення бракованих (пошкоджених) елементів; переплутаність дротів в джгутах інші.

№110 слайд
Експлуатац йн помилки
Содержание слайда: Експлуатаційні помилки виникнення обривів та закороток сигналів за рахунок механічного чи іншого пошкодження виробу подача іншої напруги живлення перегрів переохолодження потрапляння вологи радіація дія хімічних речовин електромагнітні завади “погана земля” інші.

№111 слайд
Обриви ТТЛ КМОН вход в
Содержание слайда: Обриви ТТЛ і КМОН входів цифрових мікросхем

№112 слайд
Об рваний вх д як антена
Содержание слайда: Обірваний вхід як антена

№113 слайд
Потужност quot приор тети
Содержание слайда: “Потужності" (приорітети) цифрових сигналів

№114 слайд
Типи виход в цифрових схем
Содержание слайда: Типи виходів цифрових схем

№115 слайд
Рекомендована посл довн сть
Содержание слайда: Рекомендована послідовність перевірки цифрових пристроїв візуальний огляд, виявлення механічних пошкоджень, невідповідність виробу конструкторській документації - відсутності елементів, неправильного їх встановлення і таке інше; продзвонка зв’язків – виявлення обривів; продзвонка потужних силових зв’язків (живлення, особливо більше за +5 В і менше за 0 В) з сигнальними зв’язками – виявлення найбільш небезпечних закороток на живлення; перевірка напруг живлення без подачі їх на пристрій; подача напруг живлення на виріб, перевірка усіх напруг живлення; технологічне тренування (приблизно 100 годин); перевірка усіх генераторів і розподілювачів синхроімпульсів; для цифрових схем - перевірка шин об’єкта тестування, які з’єднують його з зовнішнім середовищем, тобто перевірка шляхів надходження інформації до вузлів об’єкта і зняття інформації з вузлів об’єкта. Для аналогових схем – перевірка шляхів надходження і зняття аналогових сигналів; перевірка роботи вузлів об’єкта за тестами – перевірка логічного функціонування в нормальних умовах; перевірка логічного функціонування в граничних умовах зовнішнього середовища (згідно з вимогами технічного завдання) – при підвищеній та понижених робочих температурах і таке інше.

№116 слайд
Основн вимоги до алгоритм в
Содержание слайда: Основні вимоги до алгоритмів перевіряння працездатності цифрових схем однією з основних вимог до алгоритмів перевірки працездатності цифрової схеми є забезпечення можливості отримання усіх можливих станів усіх виходів пристрою, що перевіряється. важливою вимогою до алгоритму є можливість перевірки реакції кожного елементу пристрою на усі можливі стани і зміни станів на кожному з його входів.

№117 слайд
Тестов посл довност
Содержание слайда: Тестові послідовності

№118 слайд
Тестування шинних структур
Содержание слайда: Тестування шинних структур

№119 слайд
Закорочення на земля
Содержание слайда: Закорочення на 0 (земля)

№120 слайд
Закорочення на живлення
Содержание слайда: Закорочення на 1 (живлення)

№121 слайд
Закорочення двох сигнал в
Содержание слайда: Закорочення двох сигналів

№122 слайд
Загальна структурна схема
Содержание слайда: Загальна структурна схема цифрового автомата

№123 слайд
Структура комп ютера
Содержание слайда: Структура комп’ютера

№124 слайд
Цифров схеми Комб нац йн
Содержание слайда: Цифрові схеми Комбінаційні схеми (схеми без пам’яті, схеми без зворотних зв’язків) Стан на виході вузла залежить тільки від комбінації сигналів на вході вузла у даний момент часу – легко тестувати Немає зворотних зв’язків Схеми з пам’яттю Стан на виході вузла залежить від комбінації сигналів на вході вузла у даний момент часу і у попередні моменти часу – важко тестувати Є хоча би один зворотний зв’язок

№125 слайд
Тестування комб нац йних схем
Содержание слайда: Тестування комбінаційних схем Буфер Арифметико-логічний пристрій Постійний запам’ятовуючий пристрій

№126 слайд
Особливост тестування комб
Содержание слайда: Особливості тестування комбінаційних схем (на прикладі АЛП).

№127 слайд
Арифметико-лог чний пристр й
Содержание слайда: Арифметико-логічний пристрій

№128 слайд
Арифметичний вузол
Содержание слайда: Арифметичний вузол

№129 слайд
Лог чний вузол
Содержание слайда: Логічний вузол

№130 слайд
Вузол зсув в
Содержание слайда: Вузол зсувів

№131 слайд
Таблиця стинност АЛП
Содержание слайда: Таблиця істинності АЛП

№132 слайд
Тестування АЛП як буфера
Содержание слайда: Тестування АЛП як буфера

№133 слайд
Тестування ланцюжк в перенос в
Содержание слайда: Тестування ланцюжків переносів

№134 слайд
Методи тестування ПЗП
Содержание слайда: Методи тестування ПЗП

№135 слайд
Контрольн суми арифметичн без
Содержание слайда: Контрольні суми арифметичні без врахування переносів із старшого розряду. При цьому формат контрольної суми не збігається з форматом слів, які додаються і для її збереження потрібно більше однієї комірки пам’яті. Крім того, за рахунок розповсюдження переносів при арифметичному додаванні важко визначити причину помилок (розряд слова, в якому вони виникають); арифметичними з додаванням переносів із старшого розряду до молодшого розряду. При цьому контрольна сума збігається за форматом з форматом слів, які додаються; за модулем (здебільшого за модулем 2). Міжрозрядні переноси при цьому відсутні, формат слова зберігається. Крім того, помилка в одному з розрядів слів ПЗП проявляється в цьому ж розряді контрольної суми. Але, в деяких випадках, помилки можуть компенсувати самі себе; за модулем із циклічним зсувом перед кожним додаванням.

№136 слайд
Контрольн суми розташовано вс
Содержание слайда: Контрольні суми розташовано всі разом (у кінці адресного простору ПЗП); розподілені по всьому об'єму ПЗП (для кожної мікросхеми її контрольна сума міститься у цій самій мікросхемі). На рис. 21.2 показане місце знаходження контрольних сум в адресному просторі усього ПЗП для даного випадку, а поруч – розташування контрольних сум в адресному просторі однієї мікросхеми.

№137 слайд
Контрольн суми для одного
Содержание слайда: Контрольні суми для одного слова можуть збігатися за розрядністю з розрядністю слова (резервування ПЗП); мати більшу розрядність ніж розрядність слова (мажоритарний контроль ПЗП); дорівнювати одному розряду (контроль за парністю); мати проміжне значення (код Хеммінга).

№138 слайд
Особливост тестування схем з
Содержание слайда: Особливості тестування схем з пам'яттю (на прикладі ОЗП)

№139 слайд
Посл довн сть перев ряння ОЗП
Содержание слайда: Послідовність перевіряння ОЗП Основа – повторення циклів “запис-читання” Тест шини даних – біжуча одиничка по шині даних для однієї адреси (A=0) Тест шини адрес – біжуче слово F…F на фоні 0…0 за адресами з біжучою 1 (A=1, 2, 4, 8, 10, 20, 40, …, 80…0) Тест запам’ятовуючого масиву – запис 0 та 1 за всіма адресами

№140 слайд
Тест m-розрядно шини даних
Содержание слайда: Тест m-розрядної шини даних

№141 слайд
Тест n-розрядно шини адреси
Содержание слайда: Тест n-розрядної шини адреси

№142 слайд
Тест масиву пам ят
Содержание слайда: Тест масиву пам’яті

№143 слайд
Кеш-пам ять команд
Содержание слайда: Кеш-пам’ять команд

№144 слайд
Методи зам щення даних в
Содержание слайда: Методи заміщення даних в кеш-пам’яті LRU (англ. Least Recently Used) — витісняється буфер, що не використовувався найдовше; MRU (англ. Most Recently Used) — витісняється останній використаний буфер; LFU (англ.) (англ. Least Frequently Used) — витісняється буфер, використаний менше всіх; ARC (англ.) (англ. Adaptive Replacement Cache) — алгоритм витіснення, що комбінує LRU і LFU, запатентований IBM. Інші

№145 слайд
Структура кеш-пам ят з прямим
Содержание слайда: Структура кеш-пам'яті з прямим відображенням

№146 слайд
Багатор вневий кеш
Содержание слайда: Багаторівневий кеш

№147 слайд
Р вн кеш-пам ят
Содержание слайда: Рівні кеш-пам’яті

№148 слайд
Кеш-пам ять
Содержание слайда: Кеш-пам’ять

№149 слайд
По днання арх тектур
Содержание слайда: Поєднання архітектур

№150 слайд
Тестування кеш-пам ят
Содержание слайда: Тестування кеш-пам’яті

№151 слайд
Загальна структурна схема
Содержание слайда: Загальна структурна схема цифрового автомата

№152 слайд
Структурна схема автомата Мура
Содержание слайда: Структурна схема автомата Мура

№153 слайд
Структурна схема автомата М л
Содержание слайда: Структурна схема автомата Мілі

№154 слайд
Граф автомата Мура
Содержание слайда: Граф автомата Мура

№155 слайд
Граф автомата М л
Содержание слайда: Граф автомата Мілі

№156 слайд
Особливост тестування
Содержание слайда: Особливості тестування цифрових автоматів

№157 слайд
Стандартне нестандартне
Содержание слайда: Стандартне і нестандартне обладнання

№158 слайд
Перев рка у статиц ,
Содержание слайда: Перевірка у статиці, псевдодинаміці і динаміці. 1) СІз формуються вручну оператором за допомогою кнопки або тумблера, тобто період зовнішних синхроімпульсів набагато більший за період внутрішних синхроімпульсів TСІз >> TСІв. Такий режим тестування носить назву перевірка у статиці, оскільки можна вважати, що після подачі чергового синхроімпульса стан об’єкта тривалий час (секунди, хвилини) не міняється; 2) період СІз збігається з періодом СІв, TСІз = TСІв. Такий режим тестування називається перевіркою у динаміці, оскільки об’єкт працює на максимальній швидкості у реальному масштабі часу; 3) СІз формуються спеціалізованим тестуючим комп’ютером, при цьому період зовнішних синхроімпульсів не на багато більший за період внутрішних синхроімпульсів TСІз > TСІв. Такий режим тестування носить назву перевірка у псевдодинаміці, оскільки частота зовнішних синхроімпульсів все ж таки досить висока по відношенню до частоти синхроімпульсів, які вручну може зформувати людина, але менше за частоту внутрішних синхроімпульсів об’єкта.

№159 слайд
Пастки сигнал в Хибн стани
Содержание слайда: Пастки сигналів Хибні стани засобів обчислювальної техніки можуть характеризуватися: 1) однократною появою короткого імпульсу; 2) появою безперервної послідовності імпульсів; 3) зникненням імпульсів; 4) зменшенням частоти імпульсів; 5) збільшенням частоти імпульсів.

№160 слайд
однократна поява короткого
Содержание слайда: 1) однократна поява короткого імпульсу; 2) поява безперервної послідовності імпульсів;

№161 слайд
зникнення мпульс в Аналоговий
Содержание слайда: зникнення імпульсів; Аналоговий одновібратор Цифровий одновібратор (цифровий автомат)

№162 слайд
зменшення частоти мпульс в
Содержание слайда: зменшення частоти імпульсів;

№163 слайд
зб льшення частоти мпульс в
Содержание слайда: збільшення частоти імпульсів;

№164 слайд
Вар анти синхрон зац
Содержание слайда: Варіанти синхронізації осцилографів та аналізаторів

№165 слайд
Трасування, режими трасування
Содержание слайда: Трасування, режими трасування при дослідженні мікропроцесорної системи може зніматися траса, 96-розрядні слова якої утворюються з: шини адреси мікропроцесорної системи (24 двійкових розряди); шина даних мікропроцесорної системи (32 двійкових розряди); шина управління мікропроцесорної системи (8 двійкових розрядів); стану таймера (32 двійкових розряди). У цьому випадку говорять, що слово траси поділяється на відповідні поля (адреси, даних, управління, часу).

№166 слайд
Пристро , як можуть зн мати
Содержание слайда: Пристрої, які можуть знімати трасу універсальні - логічні аналізатори, призначені для зняття довільних трас; спеціалізовані - аналізатори шини, призначені для зняття трас з стандартних мікропроцесорних шин (ISA, EISA, PCI, VME або якихось інших).

№167 слайд
Ознаками, як визначають
Содержание слайда: Ознаками, які визначають початок і кінець трасування заповнення пам’яті; асинхронний сигнал людини-оператора (сигнал "Пуск" або сигнал "Стоп"); наявність однієї з умов синхронізації: наперед визначений стан пастки сигналів; наперед визначений стан усього слова траси або його окремих розрядів; наперед визначена обмежена послідовність слів траси або їхніх окремих розрядів.

№168 слайд
Режими синхрон зац
Содержание слайда: Режими синхронізації

№169 слайд
тривал сть фронт в, смуга
Содержание слайда: тривалість фронтів, смуга пропускання, екранний фронт

№170 слайд
Терема Котельн кова fвим р lt
Содержание слайда: Терема Котельнікова fвимір < 2fсигн

№171 слайд
Вар анти синхрон зац
Содержание слайда: Варіанти синхронізації

№172 слайд
Особливост роботи аналогових
Содержание слайда: Особливості роботи аналогових осцилографів

№173 слайд
Осциллограф з робочою
Содержание слайда: Осциллограф із робочою частотою до 350 МГц Philips РМ 3295

№174 слайд
PCI- PCI-
Содержание слайда: PCI-420 і PCI-430

№175 слайд
TDS- канала Tektronix США
Содержание слайда: TDS-220/224(4 канала) Tektronix (США)

№176 слайд
Сприйняття сигнал в лог чним
Содержание слайда: Сприйняття сигналів логічним аналізатором

№177 слайд
СЗН IonoSat micro в структур
Содержание слайда: СЗНІ “IonoSat micro” в структурі передачі телеметрії ESA “IonoSat micro” SDCS and ESA telemetry data transmission structure

№178 слайд
Формат транспортного пакету
Содержание слайда: Формат транспортного пакету

№179 слайд
Формат пакет в в д джерел
Содержание слайда: Формат пакетів від джерел інформації

№180 слайд
Лаборатор я електрон ки ун
Содержание слайда: Лабораторія електроніки університету Вальпараісо

№181 слайд
Содержание слайда:

№182 слайд
В ртуальн нструменти
Содержание слайда: Віртуальні інструменти

№183 слайд
осцилограф RDS
Содержание слайда: осцилограф RDS1021

№184 слайд
АСК- Двоканальний USB
Содержание слайда: АСК-3712 Двоканальний USB осцилограф - приставка - вид збоку

№185 слайд
АСК- Двоканальний USB
Содержание слайда: АСК-3712 Двоканальний USB осцилограф - приставка - вид ззаду

№186 слайд
АСК- Двоканальний USB
Содержание слайда: АСК-3712 Двоканальний USB осцилограф - приставка - можливість збору та побудови довгих осциллограмм

№187 слайд
АКС- Лог чний USB анал
Содержание слайда: АКС-3116 Логічний USB аналізатор-приставка

№188 слайд
АКС- Лог чний USB анал
Содержание слайда: АКС-3116 Логічний USB аналізатор-приставка

№189 слайд
АКС- Лог чний USB анал
Содержание слайда: АКС-3116 Логічний USB аналізатор-приставка

№190 слайд
Multisim Active Analyses
Содержание слайда: Multisim Active Analyses

№191 слайд
NI LabVIEW
Содержание слайда: NI LabVIEW

№192 слайд
NI LabVIEW
Содержание слайда: NI LabVIEW

№193 слайд
NI LabVIEW
Содержание слайда: NI LabVIEW

№194 слайд
NI LabVIEW
Содержание слайда: NI LabVIEW

№195 слайд
Cигнатурний анал затор
Содержание слайда: Cигнатурний аналізатор

№196 слайд
Цикл чн контрольн суми
Содержание слайда: Циклічні контрольні суми

№197 слайд
Форма Галуа
Содержание слайда: Форма Галуа

№198 слайд
Содержание слайда:

№199 слайд
Прим тивн многчлени
Содержание слайда: Примітивні многчлени

№200 слайд
Схема д лення на пол ном g x
Содержание слайда: Схема ділення на поліном g(x) = x3 + x +1

№201 слайд
Схема визначення ознаки в
Содержание слайда: Схема визначення ознаки відсутності помилки

№202 слайд
Посл довний вбудований
Содержание слайда: Послідовний вбудований контроль

№203 слайд
Цифровий контроль за модулем
Содержание слайда: Цифровий контроль за модулем – Контроль на парність

№204 слайд
Вдосконалений контроль за
Содержание слайда: Вдосконалений контроль за парністю

№205 слайд
К льк сть нформац йних та
Содержание слайда: Кількість інформаційних та контрольних розрядів для виправлення 1 помилки

№206 слайд
Перев рочна матриця кода Хемм
Содержание слайда: Перевірочна матриця кода Хеммінга

№207 слайд
Використання кода Хемм нга
Содержание слайда: Використання кода Хеммінга

№208 слайд
Паралельний вбудований
Содержание слайда: Паралельний вбудований контроль

№209 слайд
Числовий контроль за модулем
Содержание слайда: Числовий контроль за модулем

№210 слайд
Схема д лення на пол ном g x
Содержание слайда: Схема ділення на поліном g(x) = x3 + x +1

№211 слайд
Схема визначення ознаки в
Содержание слайда: Схема визначення ознаки відсутності помилки

№212 слайд
Формувач згорткового коду
Содержание слайда: Формувач згорткового коду

№213 слайд
Характеристики згорткового
Содержание слайда: Характеристики згорткового коду

№214 слайд
Кодер Р да-Соломона
Содержание слайда: Кодер Ріда-Соломона

№215 слайд
Характеристики кода Р
Содержание слайда: Характеристики кода Ріда-Соломона

№216 слайд
Посл довне використання код
Содержание слайда: Послідовне використання кодів, що виправляють помилки

№217 слайд
Система граничного сканування
Содержание слайда: Система граничного сканування JTAG 1149.1-1990 Причини виникнення

№218 слайд
Система граничного сканування
Содержание слайда: Система граничного сканування JTAG 1149.1-1990

№219 слайд
Внутр шня структура м
Содержание слайда: Внутрішня структура мікросхеми з JTAG

№220 слайд
Режими роботи
Содержание слайда: Режими роботи

№221 слайд
Тестування плат, блок в та
Содержание слайда: Тестування плат, блоків та багатоядерних систем

№222 слайд
Режим програмування флеш-пам
Содержание слайда: Режим програмування флеш-пам’яті та ПЛІС

№223 слайд
Досл дження складних систем
Содержание слайда: Дослідження складних систем

№224 слайд
Робота з несум сними
Содержание слайда: Робота з несумісними пристроями

№225 слайд
Автомат TAP
Содержание слайда: Автомат TAP

№226 слайд
Схема одн ланки рег стру зсуву
Содержание слайда: Схема однієї ланки регістру зсуву

№227 слайд
Система команд JTAG
Содержание слайда: Система команд JTAG

№228 слайд
Команди розробника м
Содержание слайда: Команди розробника мікросхеми. Призначення і позначення цих команд, також їхні коди стандартом не регламентуються. Єдине обмеження для цих команд - вони не повинні використовувати коди команд двох попередніх категорій. Далі наведений коротенький опис кожної з команд. Extest Під час виконання цієї команди, з регістра даних тестові дані видаються назовні мікросхеми, а результати роботи мікросхеми запам’ятовуються в регістрі даних. Sample/Preload За допомогою цієї команди між виводами TDI і TDO під’єднується регістр даних. Bypass За допомогою цієї команди між виводами TDI і TDO під’єднується обхідний регістр. Intest Під час виконання цієї команди, з регістра даних тестові дані видаються в середину мікросхеми, а вхідні її сигнали запам’ятовуються в регістрі даних. RunBist За допомогою цієї команди запускається вбудована у мікросхему система її самотестування. Clamp Під час виконання цієї команди, з регістра даних тестові дані видаються назовні мікросхеми, а між виводами TDI і TDO під’єднується обхідний регістр. Idcode За допомогою цієї команди виконується читання через вихід TDO вмістимого регістра ідентифікаційного кода. UserCode За допомогою цієї команди виконується читання через вихід TDO вмістимого ідентифікаційного регістра розробника (якщо таий регістр є).

№229 слайд
Мови опису тест в спец ал
Содержание слайда: Мови опису тестів 1) спеціалізованої мови Boundary-Scan Description Language (BSDL). Ця мова є модифікацією мови VHDL і призначена для опису мікросхем. Файли програм мають розширення .BSM; 2) спеціалізованої мови Hierarchical Scan Description Language (HSDL). Ця мова також є модифікацією мови VHDL, але призначена для опису комірок і блоків; 3) послідовностей вхідних тестових, вихідних еталонних і масочних векторів у форматі ASCII - Serial Vector Format (SVF).

№230 слайд
Метод актив зац одновим рного
Содержание слайда: Метод активізації одновимірного шляху

№231 слайд
Структура комп ютера
Содержание слайда: Структура комп’ютера

№232 слайд
Детальна структура
Содержание слайда: Детальна структура одноциклового операційного пристрою для RISC – де вхід?

№233 слайд
Операц йний пристр й для RISC
Содержание слайда: Операційний пристрій для RISC (5 сходинок) – де вхід?

№234 слайд
Операц йний пристр й для RISC
Содержание слайда: Операційний пристрій для RISC (5 сходинок) – де вхід?

№235 слайд
Обм н нформац ю через
Содержание слайда: Обмін інформацією через двопортову пам’ять Безадресна пам’ять FIFO FILO LIFO LILO Одноадресна пам’ять Двоадресна пам’ять (двопортова)

№236 слайд
Обчислювальна структура без
Содержание слайда: Обчислювальна структура без конвеєра і конвеєрна (нижня)

№237 слайд
Содержание слайда:

№238 слайд
Содержание слайда:

№239 слайд
Робота конве ра
Содержание слайда: Робота конвеєра

№240 слайд
Конфл кти в конве р Структурн
Содержание слайда: Конфлікти в конвеєрі Структурні (обмеженість апаратури) Одночасне читання з однієї пам’яті команди і даних Даних RAW (чтение после записи). 2 пытается прочитать операнд прежде чем 1 туда что-нибудь запишет. WAR (запись после чтения). 2 пытается записать результат в приемник раньше, чем от считывается оттуда 1. WAW (запись после записи). 2 пытается записать операнд раньше, чем будет записан результат 1. Керування Умовні та безумовні переходи в програмі (алгоритми керування ВКС)

№241 слайд
Конфл кт даних
Содержание слайда: Конфлікт даних

№242 слайд
Содержание слайда:

№243 слайд
Керуюча програма на конве р
Содержание слайда: Керуюча програма на конвеєрі

№244 слайд
Ряд Тейлора
Содержание слайда: Ряд Тейлора

№245 слайд
Схема Горнера
Содержание слайда: Схема Горнера

№246 слайд
Схема Горнера з конве ром
Содержание слайда: Схема Горнера з конвеєром

№247 слайд
Схема Горнера цикл чна
Содержание слайда: Схема Горнера циклічна

№248 слайд
Арх тектура фон Неймана
Содержание слайда: Архітектура фон Неймана

№249 слайд
Гарвардська арх тектура
Содержание слайда: Гарвардська архітектура

№250 слайд
По днання арх тектур
Содержание слайда: Поєднання архітектур

№251 слайд
Продуктивн сть к льк сть
Содержание слайда: Продуктивність і кількість транзисторів

№252 слайд
Содержание слайда:

№253 слайд
Двоядерний процесор
Содержание слайда: Двоядерний процесор

№254 слайд
Содержание слайда:

№255 слайд
Закон Амдаля для паралельних
Содержание слайда: Закон Амдаля для паралельних структур f – частка послідовного коду p – кількість паралельних процесорів (ядер)

№256 слайд
Динам ка зменшення тополог
Содержание слайда: Динаміка зменшення топологічних розмірів

№257 слайд
Технолог чн норми
Содержание слайда: Технологічні норми

№258 слайд
Масштабування НВ С P NFCV k -
Содержание слайда: Масштабування НВІС P = NFCV2 k - зменшення розміру (в k разів) Vнова = V/k; Cнова = C/k; Idновий = Id/k; tновий = t/k; Fнова=kF; Rновий = kR; Pновий = P/k2 τнова = τ; Lнова = kL(?); vнова = v (?); Nнове = k2N.

№259 слайд
Схема виб ркового контролю
Содержание слайда: Схема вибіркового контролю

№260 слайд
Оперативна характеристика суц
Содержание слайда: Оперативна характеристика суцільного контролю

№261 слайд
Оперативна характеристика
Содержание слайда: Оперативна характеристика статистичного контролю

№262 слайд
Оперативна характеристика
Содержание слайда: Оперативна характеристика статистичного контролю

№263 слайд
Г пергеометричний розпод л
Содержание слайда: Гіпергеометричний розподіл

№264 слайд
ризик постачальника ризик
Содержание слайда: α – ризик постачальника; β – ризик замовника; AQL – приймальний рівень дефектності (accept – приймати; quality – якість; level – рівень); LQ – бракувальний рівень дефектності . AQL = 2 %, α = 0,05, LQ = 5 % и β = 0,05

№265 слайд
Розпод л Пуассона Якщо ймов
Содержание слайда: Розподіл Пуассона Якщо ймовірність q події А дуже мала (q ≤ 0,1), а число випробувань велике, то ймовірність того, що подія А наступить d раз в n випробуваннях, буде дорівнювати

№266 слайд
Запишемо ймов рн сть прийому
Содержание слайда: Запишемо ймовірність прийому партії F (n; Ac; q = 0,02) = 0,95 і вірогідність її бракування F (n; Ac; q = 0,05) = 0,05, використовуючи розподіл Пуассона:

№267 слайд
Типов оперативн
Содержание слайда: Типові оперативні характеристики планів приймального контролю

№268 слайд
Посл довний арб траж
Содержание слайда: Послідовний арбітраж

№269 слайд
Паралельний арб траж
Содержание слайда: Паралельний арбітраж

№270 слайд
Процес проектування
Содержание слайда: Процес проектування апаратного забезпечення КС

№271 слайд
План стандартного ПЛ С ПЛМ
Содержание слайда: План стандартного ПЛІС/ПЛМ проектування

№272 слайд
Принцип проектування в САПР
Содержание слайда: Принцип проектування в САПР Xilinx ISE

№273 слайд
Посл довн сть крок в
Содержание слайда: Послідовність кроків програмування ПЛІС

№274 слайд
Апаратна м кроарх тектура ПЛ
Содержание слайда: Апаратна мікроархітектура ПЛІС Xilinx Spartan-II

№275 слайд
ПЛ С Virtex II Pro ф рми
Содержание слайда: ПЛІС Virtex II Pro фірми Xilinx

№276 слайд
Платформа для проект в на ПЛ
Содержание слайда: Платформа для проектів на ПЛІС Xilinx Spartan-6

№277 слайд
Прототипна плата XSA- ф рми
Содержание слайда: Прототипна плата XSA-100 фірми XESS Corp.

№278 слайд
Конструкц я прототипно плати
Содержание слайда: Конструкція прототипної плати XSA-100

№279 слайд
Структурна схема прототипно
Содержание слайда: Структурна схема прототипної плати XSA-100

№280 слайд
Обчислювальна структура без
Содержание слайда: Обчислювальна структура без конвеєра і конвеєрна (нижня)

№281 слайд
Лекц я
Содержание слайда: Лекція 2

№282 слайд
Л тература. References ДПКСМ.
Содержание слайда: Література. References ДПКСМ. Частина 1. Троценко В.В. Конспект лекцій. 1. http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml Закон Мура против нанометров http://www.nanonewsnet.ru/articles/2009/zakon-mura-kakim-putem-poidet-dalneishee-razvitie-poluprovodnikov Закoн Мура: каким путем пойдет дальнейшее развитие полупроводников Spartan-3 Generation FPGA User Guide UG331 (v1.8) June 13, 2011 https://ece.uwaterloo.ca/~cgebotys/NEW/ece427/Xtechnology.htm Xilinx FPGA Technology http://iroi.seu.edu.cn/books/asics/Book2/CH07/CH07.2.htm Xilinx LCA http://www.cse.unsw.edu.au/~cs4211/seminars/va/VirtexArchitecture.html Virtex Architecture Guide http://mazsola.iit.uni-miskolc.hu/cae/docs/pld1.en.html Field Programmable Gate Arrays (FPGA) http://mahanteshpm.blogspot.com/2013/07/how-to-use-dcmpll-as-frequency.html How to use DCM(PLL) as frequency multiplier on FPGA http://svenand.blogdrive.com/archive/149.html Phase Lock Loop (PLL) http://uk.wikipedia.org/wiki/Система https://ru.wikipedia.org/wiki/Компьютерная_сеть

Скачать все slide презентации Дослідження та проектування комп&apos;ютерних систем та мереж одним архивом:
Похожие презентации