Презентация ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ МАТЕРИАЛОВ онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ МАТЕРИАЛОВ абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 33 слайда. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:33 слайда
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:7.83 MB
- Просмотров:64
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ МАТЕРИАЛОВ
№2 слайд
Содержание слайда:
№3 слайд
Содержание слайда: 1. Идеальные монокристаллы.
1. Идеальные монокристаллы.
№4 слайд
Содержание слайда:
№5 слайд
Содержание слайда: Сингонии кристаллов и соответствующие им решетки Бравэ
№6 слайд
Содержание слайда: Решётки Браве
Различают 4 типа решёток Браве :
1 - примитивные ( Р )
Р число атомов на эл. ячейку: 1;
координаты 000
Примитивные элементарные ячейки есть
в кристаллах любой сингонии
2 - объёмноцентрированные ( I )
I - число атомов на эл. ячейку: 2;
координаты 000 ; ½ ½ ½ :
появляется дополнительный
атом внутри ячейки
3 - гранецентрированные ( F )
F число атомов на эл. ячейку 4;
координаты 000 ; ½ ½ 0 ; ½ 0 ½ ; 0 ½ ½
4 - базоцентрированные ( С,B,A)
С число атомов на эл. ячейку: 2;
координаты 000 ; ½ ½ 0
C B A
Тип решётки Браве определяется из анализа рентгенограммы кристалла
№7 слайд
Содержание слайда:
№8 слайд
Содержание слайда:
№9 слайд
Содержание слайда:
№10 слайд
Содержание слайда:
№11 слайд
Содержание слайда:
№12 слайд
Содержание слайда:
№13 слайд
Содержание слайда:
№14 слайд
Содержание слайда:
№15 слайд
Содержание слайда: Применение нанотрубок
№16 слайд
Содержание слайда:
№17 слайд
Содержание слайда: 2. Монокристаллы с дефектами решетки – реальные монокристаллы.
а) Точечные дефекты
Типы точечных дефектов:
1 - вакансия;
2 - межузельный атом;
3 - дефект Френкеля:
вакансия + атом в междоузлии;
4 - дефект Шоттки
вакансия + атом на поверхности
5 - примесный атом замещения;
6 - примесный атом внедрения;
7 – примесный атом замещения большей валентности
приводит к возникновению вакансии.
№18 слайд
Содержание слайда: Краевая дислокация представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней лишней атомной полу-плоскости (экстраплоскости).
Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной и обозначают .
Если экстраплоскость находится в нижней части кристалла, то дислокацию называют отрицательной и обозначают .
В краевой дислокации линия дислокации OO’, отделяющая неподвижную область от сдвинутой, перпендикулярна вектору сдвига и вектору Бюргерса b.
№19 слайд
Содержание слайда: Винтовая дислокация в кристалле:
При образовании винтовой дислокации, линия дислокации (красная) параллельна вектору сдвига . Если представить кристалл состоящим из одной атомной плоскости, то винтовая дислокация будет подобна винтовой лестнице. Если винтовая дислокация образована по часовой стрелке, то ее называют правой, а если против часовой стрелки – левой.
Таким образом, и винтовая, и краевая дислокация – это границы между сдвинутой и несдвинутой частями кристалла.
№20 слайд
Содержание слайда: в) Плоские дефекты
Малоугловые границы блоков:
выстроенные в стенки
краевые дислокации
№21 слайд
Содержание слайда:
№22 слайд
Содержание слайда:
№23 слайд
Содержание слайда: 4. Аморфные материалы
В аморфных материалах отсутствует дальний порядок (нет трансляционной симметрии),
но имеет место ближний порядок
№24 слайд
Содержание слайда:
№25 слайд
Содержание слайда:
№26 слайд
Содержание слайда:
№27 слайд
Содержание слайда:
№28 слайд
Содержание слайда:
№29 слайд
Содержание слайда:
№30 слайд
Содержание слайда: Условия Лауэ - условия возникновения дифракционного максимума в кристаллах: углы φ01 φ02 φ03 и φ1 φ2 φ3 определяют направления распространения первичной и рассеянной волн соответственно
Три целых числа h k l называют индексами интерференции.
Условие возникновения дифракционного максимума в кристаллах также можно записать в виде уравнения Вульфа-Брэггов: 2dsin= n 2dhklsin=
где d - межплоскостное расстояние; n - порядок отражения; -угол скольжения (2 - угол рассеяния)
№31 слайд
Содержание слайда:
№32 слайд
Содержание слайда:
№33 слайд
Содержание слайда:
Скачать все slide презентации ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ О СТРУКТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ МАТЕРИАЛОВ одним архивом:
