Презентация Механическая обработка кремниевых пластин онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Механическая обработка кремниевых пластин абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 68 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:68 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:6.85 MB
- Просмотров:44
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Механическая обработка кремниевых
пластин
№2 слайд
Содержание слайда: Структуру нарушенного слоя полупроводниковой пластины
Структура нарушенного при механической обработке поверхностного слоя: 1 - рельефный слой; 2 - микротрещины; 3 - область скопления дислокаций; 4 - монокристалл
В нарушенном слое, кроме структурных, возможно образование и концентрационных неоднородностей, которые связаны с сегрегацией примесей на дислокациях, что может изменять электрофизические свойства материала, влияя на электрические параметры элементов микросхем.
№3 слайд
Содержание слайда: Виды поверхностных загрязнений
№4 слайд
Содержание слайда:
№5 слайд
Содержание слайда:
№6 слайд
Содержание слайда:
№7 слайд
Содержание слайда: Химическое травление кремния
Доставка реагента из объема раствора к поверхности пластины
Химическое взаимодействие реагента с поверхностью
Десорбция продуктов реакции и их удаление в объем раствора
№8 слайд
Содержание слайда: Доставка молекул из объема травителя к поверхности пластины
Доставка молекул из объема травителя к поверхности пластины
При однородном распределении травителя в растворе в t0
При равновесии скоростей диффузии реагента и химической реакции
Результирующая скорость реакции травления
№9 слайд
Содержание слайда:
№10 слайд
Содержание слайда: Варианты травителей
Полирующие травители
Травитель для ХДП
Селективный травитель
№11 слайд
Содержание слайда: Анизотропное травление
Селективный травитель называется анизотропным, когда скорость травления кремния в определенном кристаллографическом направлении во много раз превышает скорость в других направлениях.
Один из вариантов состава таких травителей следующиий (мол.%): этилендиамин (NH2(CH2)NH2) (35,1) + пирокатехин (C6H4(OH)2) (3,7) + вода (61,2)
Также широко используется 5 - 30%-ный водный раствор щелочи KOH или NaOH
Соотношение скоростей травления для основных плоскостей
кремния в этилендиаминовом травителе такое: (111):(110):(100) =
= 3:30:50 мкм/ч
№12 слайд
Содержание слайда: Травление окисла и нитрида кремния
№13 слайд
Содержание слайда: Очистка пластин в растворах на основе перекиси
водорода
№14 слайд
Содержание слайда:
№15 слайд
Содержание слайда:
№16 слайд
Содержание слайда: Для чего нужна «чистая комната»?
Чистая комната предназначена для защиты от загрязнений следующих типов:
Неорганических
• Минеральные частицы
• Металлические частицы
Химических
• Производные углеводорода
• Органические составы
Микробиологических
• Бактерии
• Вирусы
• Споры
• Грибки
• Клещи
• Пыльца
№17 слайд
Содержание слайда:
№18 слайд
Содержание слайда:
№19 слайд
Содержание слайда:
№20 слайд
Содержание слайда:
№21 слайд
Содержание слайда:
№22 слайд
Содержание слайда:
№23 слайд
Содержание слайда:
№24 слайд
Содержание слайда:
№25 слайд
Содержание слайда:
№26 слайд
Содержание слайда:
№27 слайд
Содержание слайда:
№28 слайд
Содержание слайда: Функциональное назначение пленок термического SiO2 в ИС
№29 слайд
Содержание слайда:
№30 слайд
Содержание слайда:
№31 слайд
Содержание слайда:
№32 слайд
Содержание слайда:
№33 слайд
Содержание слайда: Физический механизм роста окисла при высокой
температуре
№34 слайд
Содержание слайда:
№35 слайд
Содержание слайда:
№36 слайд
Содержание слайда:
№37 слайд
Содержание слайда:
№38 слайд
Содержание слайда: Структура двуокиси кремния (двумерная модель)
№39 слайд
Содержание слайда:
№40 слайд
Содержание слайда:
№41 слайд
Содержание слайда: Модель Дила - Гроува
№42 слайд
Содержание слайда:
№43 слайд
Содержание слайда:
№44 слайд
Содержание слайда:
№45 слайд
Содержание слайда:
№46 слайд
Содержание слайда:
№47 слайд
Содержание слайда:
№48 слайд
Содержание слайда:
№49 слайд
Содержание слайда: Влияние температуры окисления
№50 слайд
Содержание слайда: Влияние ориентации подложки
№51 слайд
Содержание слайда:
№52 слайд
Содержание слайда: Влияние типа и концентрации примеси в подложке
№53 слайд
Содержание слайда:
№54 слайд
Содержание слайда: Влияние парциального давления окислителя
№55 слайд
Содержание слайда:
№56 слайд
Содержание слайда: Оборудование для окисления
№57 слайд
Содержание слайда:
№58 слайд
Содержание слайда: Свойства пленок SiO2
№59 слайд
Содержание слайда: Методы Контроля Параметров Диэлектрических Слоев
Основные параметры слоя SiО2, учитываемые при проектировании ИС:
плотность
коэффициент преломления
удельное сопротивление
диэлектрическую постоянную
диэлектрическую прочность
скорость травления
В производстве контролируют:
скорость травления
толщину
плотность дефектов
заряд в структуре кремний - диэлектрик.
№60 слайд
Содержание слайда: Контроль толщины
Метод цветовых оттенков Ньютона
№61 слайд
Содержание слайда:
№62 слайд
Содержание слайда: Интерферометрия
Сущность метода заключается в измерении высоты "ступеньки" после стравливания пленки диэлектрика с части пластины. При наблюдении ступеньки с помощью микроинтерферометра на фоне поверхности видны серии интер-ференционных полос, которые претерпевают излом на ступеньке (рис.2.10). Толщина пленки пропорциональна сдвигу интерференционных полос: x = (h/h)/2, где h - сдвиг полосы, отн. ед.; h - расстояние между соседними интерференционными полосами, мкм; - длина волны для видимого света, /2 = 0,27 мкм.
№63 слайд
Содержание слайда: Эллипсометрический метод
№64 слайд
Содержание слайда:
№65 слайд
Содержание слайда:
№66 слайд
Содержание слайда: Контроль заряда на границе раздела полупроводник – диэлектрик
№67 слайд
Содержание слайда: метод вольт-фарадных характеристик
№68 слайд
Содержание слайда:
Скачать все slide презентации Механическая обработка кремниевых пластин одним архивом:
