Презентация ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА онлайн

Содержание слайда: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

Содержание слайда: ОСНОВНЫЕ ТЕМЫ ЛЕКЦИИ КЛАССИФИКАЦИЯ И ОСНОВНЫЕ ПАРА-МЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ АДРЕСНОЕ ЗУ АССОЦИАТИВНОЕ ЗУ РАСШИРЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННОЙ ЕМКО-СТИ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Содержание слайда: КЛАССИФИКАЦИЯ И ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ Запоминающие устройства (ЗУ) служат для хранения информации и обмена ею с другими частями ЭВМ или микропроцессорных систем.         По функциональному назначению ЗУ подразделяются на: ·          внешние; ·          буферные и ·          внутренние. Внешние ЗУ служат для хранения больших объемов информации и программного обеспечения системы. В них используются ЗУ с прямым доступом на магнитных дисках и ЗУ с последовательным доступом на магнитных лентах. Буферные ЗУ предназначены для промежуточного хране-ния данных при обмене между внешней и внутренней памятью.

Содержание слайда: Внутренние ЗУ по выполняемым функциям делятся на: Внутренние ЗУ по выполняемым функциям делятся на: -      оперативные (ОЗУ) и -      постоянные (ПЗУ). Оперативные ЗУ (ОЗУ) RAM (Random Access Memory –– память с произвольным доступом) выполняют запись, хранение и считывание произвольной двоичной информации, обеспечивают хранение программ для текущей обработки информации и массивов обрабатываемых данных. После выключения питания компьютера информация в ОЗУ, как правило, разрушается. Постоянные ЗУ (ПЗУ) ROM (Read Only Memory – память только для считывания) осуществляют хранение и выдачу (считывание) постоянно записанной информации, содержание которой, как правило, не изменяется во время работы системы. Это стартовые программы, стандартные подпрограммы, табличные значения различных функций, константы и др.

Содержание слайда:        По способу занесения информации ПЗУ делятся на:        По способу занесения информации ПЗУ делятся на: · масочные ПЗУ, программируемые заводом-изгото-вителем; ·  однократно программируемые пользователем (ОППЗУ); ·   репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ).     В полупроводниковых ЗУ накопителем информации служит запоминающий элемент (ЗЭ). По способу обращения к массиву ЗЭ все ЗУ делятся на: ·  адресные и ·  ассоциативные. В адресных ЗУ обращение к ЗЭ производится по их физическим координатам, задаваемым внешним двоичным кодом - адресом.

Содержание слайда: Адресные ЗУ бывают с произвольной выборкой (ЗУПВ), которые допускают любой порядок следования адресов, и с последовательным обращением, в которых выборка соседних ЗЭ возможна только в порядке возрастания или убывания адреса. Адресные ЗУ бывают с произвольной выборкой (ЗУПВ), которые допускают любой порядок следования адресов, и с последовательным обращением, в которых выборка соседних ЗЭ возможна только в порядке возрастания или убывания адреса. В ЗУ последовательного типа информация считывается в том же порядке (FIFO First Input - First Ounput - первым вошел - первым вышел) , как и была записана, или в обратном (стек, магазин). Такие ЗУ могут строиться на сдвигающих регистрах. В ассоциативных ЗУ поиск информации производится по признакам (тэгам), заключенным в самой хранимой информации, независимо от физических координат ЗЭ.

Содержание слайда:   По способу хранения информации ОЗУ делятся на:   По способу хранения информации ОЗУ делятся на: ·  статические и ·   динамические. ЗЭ статических ОЗУ представляют собой бистабильные элементы (триггеры) и обеспечивают считывание информации без ее разрушения. В динамических ОЗУ для хранения информации используются инерционные свойства реактивных элементов (конденсаторов), что требует периодического восстановления (регенерации) состояния ЗЭ памяти в процессе хранения информации. При регенерации производится перезапись каждого хранимого в ЗУ бита либо в тот же ЗЭ, либо в соседний, в последнем случае информация циклически сдвигается на один разряд с каждым циклом регенерации.

Содержание слайда:   По технологическому исполнению полупроводниковые ЗУ имеют следующие структуры:   По технологическому исполнению полупроводниковые ЗУ имеют следующие структуры: ·          ТТЛ, ТТЛШ; ·          n-МОП; ·          КМОП; · ЭСЛ; ·          И2Л и др.

Содержание слайда: Основными параметрами ЗУ являются: Основными параметрами ЗУ являются: ·     информационная емкость (бит); ·     быстродействие (мкс); ·   потребляемая мощность в режиме записи/считывания и в режиме хранения информации (мкВт/бит). Информационная емкость (М) характеризует количество информации, которое может храниться в ЗЭ на кристалле, и определяется в битах (или количестве слов N=2m с указанием их разрядности - n). М=N*n (бит). Быстродействие характеризуется: ·  временем выборки - интервалом времени между моментом подачи сигнала выборки и появлением информации на выходе микросхемы ЗУ; ·  циклом записи - минимально допустимым временем между подачей сигнала выборки при записи и моментом начала последующей операции считывания/записи.

Содержание слайда: Основные структурные элементы АДРЕСНОГО ЗУ: Основные структурные элементы АДРЕСНОГО ЗУ:   матрица ЗЭ (накопитель информации - НК);    регистр адреса;

Содержание слайда: ·   дешифратор столбцов DC X; дешифратор строк DC Y; ·   дешифратор столбцов DC X; дешифратор строк DC Y; ·   устройство записи УЗ; ·  устройство считывания УС; ·   устройство управления УУ. Входные сигналы: ·  А(0)...А(m-1) - код адреса выбираемой ячейки ЗЭ; ·  DI - входные данные при записи; ·  ~RAS - строб адреса строки; ·  ~CAS - строб адреса столбца; ·   ~CS - строб выбора микросхемы; · RD/~WR - сигнал переключения чтение/запись. Выходные сигналы: ·  DO - выходные данные при чтении;

Содержание слайда: Основные структурные элементы АССОЦИАТИВНОГО ЗУ: Основные структурные элементы АССОЦИАТИВНОГО ЗУ: ·  ячейки для хранения информации; ·  ячейки для хранения признаков (тэгов) информации;

Содержание слайда: ·  схемы сравнения; ·  схемы сравнения; ·  устройство записи; · устройство управления. В режиме записи в каждую ячейку ассоциативного ЗУ записывается информация (один или несколько байтов) и признак (тэг) этой информации (от 8 до 32 бит). Общее количество ячеек может составлять от 4-х до нескольких десятков. В режиме чтения на вход ассоциативного ЗУ поступает код ячейки, который сравнивается одновременно во всех Схемах Сравнения с признаками (тэгами) всех ячеек памяти. Если входной код совпадет с признаком какой-либо ячейки, то на выход ассоциативного ЗУ подается информация из этой ячейки. При несовпадении входного кода ни с одним из признаков - информация на выходе ЗУ отсутствует. Наличие для каждой ячейки памяти своей многоразрядной схемы сравнения кодов значительно усложняет ассоциатив-ные ЗУ. Поэтому количество ячеек памяти обычно не превышает нескольких десятков.

Содержание слайда: ОСОБЕННОСТИ СХЕМОТЕХНИКИ ОЗУ В большинстве схем ОЗУ допускается объедине-ние входных и выходных сигналов данных (DI, DO). Это необходимо для непосредственного подключения микросхем памяти к Шине Данных микропроцес-сорных систем. Статические ОЗУ могут содержать регистр адреса RG, в который по фронту входного тактирующего синхросигнала записывается код адреса (этим объясняется название: статические тактируемые ОЗУ). Наличие внутреннего регистра позволяет объединять выводы Шины Адреса микросхемы ЗУ с выводами Шины Данных, т.е. осуществлять временное мультиплексирование этих сигналов. В динамических ОЗУ (DRAM) с мультиплексированием адресов строк и адресов столбцов, регистр адреса RG запоминает только адрес строки (по сигналу ~RAS). Адреса столбцов проходят непосредственно на дешифратор DC X для выборки ячейки ОЗУ (по сигналу ~CAS).

Содержание слайда: В режиме записи в динамическое ОЗУ элементарная ячейка ЗЭ, состоящая из конденсатора и схемы выборки на полевом транзисторе, получает заряд при записи единицы (напряжение на конденсаторе увеличивается до единичного логического уровня – 1..2 В) или полностью разряжается при записи нулевого бита. Однако, с учетом малой емкости каждой элементарной ячейки (тысячные доли пикофарад) заряд логи-ческой единицы постепенно разряжается через цепи утечки. В режиме записи в динамическое ОЗУ элементарная ячейка ЗЭ, состоящая из конденсатора и схемы выборки на полевом транзисторе, получает заряд при записи единицы (напряжение на конденсаторе увеличивается до единичного логического уровня – 1..2 В) или полностью разряжается при записи нулевого бита. Однако, с учетом малой емкости каждой элементарной ячейки (тысячные доли пикофарад) заряд логи-ческой единицы постепенно разряжается через цепи утечки. В составе микросхем динамических ОЗУ имеется схема регенерации. При любом обращении к ячейке памяти (при записи или считывании) осуществляется регенерация всей выбранной строки матрицы накопительных ЗЭ. Если с микросхемой динамического ОЗУ не обмениваются информацией другие устройства, необходимо принудительно перебирать адреса строк матрицы накопителей в режиме считывания.

Содержание слайда: Период регенерации, т.е. время, за которое заряженный конденсатор разряжается до порогового напряжения, обычно составляет несколько миллисекунд. За это время необходимо обратиться ко всем строкам матрицы накопителей и начать новый цикл регенерации. Период регенерации, т.е. время, за которое заряженный конденсатор разряжается до порогового напряжения, обычно составляет несколько миллисекунд. За это время необходимо обратиться ко всем строкам матрицы накопителей и начать новый цикл регенерации. Необходимость регенерации хранимой информации - является основным недостатком динамических ОЗУ. Главное преимущество динамических ОЗУ (определяющее их широкое применение) - это большая информационная емкость каждой микросхемы. На одном кристалле располагается до 1 Гбит информации и более. Статические ОЗУ на КМОП структурах обладают высоким быстродействием и малой потребляемой мощно-стью (особенно в режиме хранения).

Содержание слайда: ОСОБЕННОСТИ СХЕМОТЕХНИКИ ПЗУ Запись информации в ПЗУ осуществляется либо заводом-изготовителем, либо специальными приборами - программаторами. В составе вычислительного комплекса записанная в ПЗУ информация, как правило, не изменяется. В качестве ЗЭ постоянных ЗУ используют: металлические перемычки (с возможностью пережигания), диоды, биполярные транзисторы, МОП структуры, аморфные полупроводники (АП) и др. В однократно программируемых ПЗУ (ОППЗУ) информация заносится, как правило, посредством пережигания плавких металлических перемычек. Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) на МОП структурах допускают многократную перезапись и хранение информации при отключении питания.

Содержание слайда: В РПЗУ запоминающие элементы строят на базе МОП структур: В РПЗУ запоминающие элементы строят на базе МОП структур: ·  с захватом заряда (транзисторы МНОП, МАОП, МАП); · с плавающим затвором (лавинно-инжекционные МОП-транзисторы с изолированным затвором - ЛИИЗМОП; или лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим и управляющим затворами - ЛИИЗМОП с двойным затвором) В ЗЭ с захватом заряда заряд хранится на ловушках на границе (границах) раздела многослойного диэлектрика и (или) в объеме диэлектрика затворной части МОП-структуры. ЗЭ с плавающим затвором более просты в изготовлении и обеспечивают более длительное сохранение информации по сравнению с ЗЭ захвата заряда.

Содержание слайда: РАСШИРЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННОЙ ЕМКОСТИ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ В настоящее время выпускается большой ассортимент микросхем оперативных и постоянных запоминающих устройств. Информационная емкость одной микросхемы может состоять от 1К*1 бит до 64М*1 бит и более. Первая цифра означает количество ячеек памяти, а вторая – количество бит информации в каждой ячейке. Имеются микросхемы памяти, у которых в каждой ячейке может быть по 4, 8 или 16 бит, например, 1К*4, 8К*8, 8К*16 и более. Однако объем памяти реальных запоминающих устройств значительно превышает информационную емкость одной микросхемы. Поэтому, обычно, запоминающие устройства содержат большое количество микросхем памяти (до нескольких десятков).

Содержание слайда: Построение ЗУ объемом 16К*16 на основе микро-схем памяти с информационной емкостью 4К*4. Построение ЗУ объемом 16К*16 на основе микро-схем памяти с информационной емкостью 4К*4. В начале определяем количество микросхем. Для этого общий объем ЗУ делится на информационную емкость одной микросхемы: N=(16K*16)/(4K*4)=16(м/с). Количество адресных входов в каждой микросхеме определяется по формуле: n1 = log2(4K) = 12 На следующем этапе создаем страницу ЗУ необходимой разрядности 4К*16. Для этого у 4-х микросхем (DD0...DD3) объединяются одноименные АДРЕСНЫЕ входы (А0...А11) и входы управления (R/W, ~CS). На схеме эти объединенные одноименные выводы всех микросхем обозначены один раз. Выводы ДАННЫХ всех микросхем образуют 16-ти разрядную ШИНУ ДАННЫХ

Содержание слайда:

Содержание слайда: На заключительном этапе 4 страницы памяти (Р0...Р3) распределяются в адресном пространстве в 16 Кслов. На заключительном этапе 4 страницы памяти (Р0...Р3) распределяются в адресном пространстве в 16 Кслов. Для этого используется дополнительная микросхема дешифратора DD17, на входы которой подаются старшие адресные разряды А12, А13, а выходы дешифратора разрешают работу только одной страницы памяти, подавая активный (нулевой) сигнал ~CS (chip select – выбор кристалла) на вход только одной страницы. У всех страниц памяти объединяются одноименные адресные входы A0..A11, вход R/W и сигналы шины данных D0..D15 (на рис. эти выводы обозначены один раз).

Содержание слайда:

Содержание слайда: Вопросы для экспресс-контроля 1.     Чем отличаются оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) от постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)? 2.  Назовите основные методы занесения инфор-мации в ПЗУ. 3.    Назовите основные отличия статических ОЗУ от динамичесих ОЗУ. 4.  Какие основные технологические структуры используются при изготовлении ЗУ? 5.     Чем отличаются адресные ЗУ от ассоциатив-ных ЗУ? 6.     Перечислите основные параметры ЗУ.

Содержание слайда: Вопросы для экспресс-контроля 7.  Перечислите основные структурные элементы адресного ЗУ. 8.  Перечислите основные структурные элементы ассоциативного ЗУ 9.  Зачем в динамических ОЗУ необходимо регене-рировать хранимую информацию? 10.   Зачем необходимо расширять информационную емкость запоминающих устройств? 11.    Какие дополнительные микросхемы необходи-мы для распределения адресов страниц памяти в адресном пространстве ЗУ?

Содержание слайда: ЛЕКЦИЯ ОКОНЧЕНА СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ