Презентация ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВА онлайн

Содержание слайда: ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ «ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ»

Содержание слайда: ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПРОГРАММЕ Цель: сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем Категория обучаемых: инженеры-конструкторы всех категорий, инженеры-технологи всех категорий Форма обучения: с отрывом от работы Срок обучения: 72 академических часа

Содержание слайда: УЧЕБНЫЙ ПЛАН

Содержание слайда: СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях»

Содержание слайда: СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях»

Содержание слайда: СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС.

Содержание слайда: СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice. Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия.

Содержание слайда: ИНФРАСТРУКТУРА Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Содержание слайда: ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В производственно-технологической деятельности: ПК1.1.1 Готовность внедрять результаты разработок в производство

Содержание слайда: ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В проектно-конструкторской деятельности: ПК 1.2.1 Способность проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов ПК 1.2.2 Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования ПК 1.2.3 Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

Содержание слайда: ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ В научно-исследовательской деятельности: Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники ПК 1.3.2 Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения ПК 1.3.3 Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

Содержание слайда: СТАЖИРОВКА В РОССИИ

Содержание слайда: СТАЖИРОВКА ЗА РУБЕЖОМ

Содержание слайда: СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!