Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
10 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
207.78 kB
Просмотров:
92
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Электрический ток в полупроводниках
Полупроводники – вещества, способные, как проводить электрический ток, так и препятствовать его прохождению.
Это большая группа веществ, применяемых в радиотехнике (германий, кремний, селен, окись меди), но для изготовления полупроводниковых приборов используют в основном только Кремний (Si) и Германий (Ge).
По своим электрическим свойствам полупроводники занимают среднее место между проводниками и непроводниками электрического тока.
№2 слайд
Содержание слайда: Свойства полупроводников
Электропроводность проводников сильно зависит от окружающей температуры.
При очень низкой температуре, близкой к абсолютному нулю (-273°С), полупроводники не проводят электрический ток, а с повышением температуры, их сопротивляемость току уменьшается.
Если на полупроводник навести свет, то его электропроводность начинает увеличиваться. Используя это свойство полупроводников, были созданы фотоэлектрические приборы. Также полупроводники способны преобразовывать энергию света в электрический ток, например, солнечные батареи. А при введении в полупроводники примесей определенных веществ, их электропроводность резко увеличивается.
№3 слайд
Содержание слайда: Полупроводники при наличии примесей
Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.Свойства полупроводников сильно зависят от содержания примесей.
№4 слайд
Содержание слайда: Существуют следующие примеси:
Существуют следующие примеси:
1) донорные примеси (отдающие);
2) акцепторные примеси (принимающие).
№5 слайд
Содержание слайда: Донорные примеси
Примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения такого же числа дырок, называются донорными. Они являются дополнительными поставщиками электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число свободных электронов в полупроводнике. Это проводники “n”- типа, где основной носитель заряда - электроны, а неосновной - дырки. Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью (пример – мышьяк).
№6 слайд
Содержание слайда: Акцепторные примеси
Акцепторные примеси - атомы химических элементов, внедренные в кристаллическую решетку полупроводника и создающие дополнительную концентрацию дырок. Акцепторными примесями являются химические элементы, внедренные в полупроводник с большей, чем у примеси, валентностью. Они создают "дырки", забирая в себя электроны. Это полупроводники " р "- типа, где основной носитель заряда – дырки, а неосновной - электроны. Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью (пример – индий).
№7 слайд
Содержание слайда: Механизм проводимости у полупроводников
Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями.
При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и он ведет себя как диэлектрик.
№8 слайд
Содержание слайда: Собственная проводимость бывает двух видов:
1) электронная ( проводимость "n " - типа) - проводимость полупроводника, обусловленнaя перемещением свободных электронов.
При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл.поля.
2) дырочная ( проводимость " p" - типа ) -проводимость полупроводника, в котором основные носители заряда — дырки.
При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка".
№9 слайд
Содержание слайда: Явление возникновения тока в полупроводнике
№10 слайд
Содержание слайда: Главная особенность полупроводников – зависимость их удельного сопротивления от внешних условий (температуры, освещенности, электрического поля) и от наличия примесей.
В 20-м веке ученые и инженеры начали использовать эту особенность полупроводников для создания чрезвычайно миниатюрных сложных приборов с автоматизированным управлением – например, компьютеров, мобильных телефонов, бытовой техники.
Главная особенность полупроводников – зависимость их удельного сопротивления от внешних условий (температуры, освещенности, электрического поля) и от наличия примесей.
В 20-м веке ученые и инженеры начали использовать эту особенность полупроводников для создания чрезвычайно миниатюрных сложных приборов с автоматизированным управлением – например, компьютеров, мобильных телефонов, бытовой техники.