Презентация Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 9 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Физика » Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия



Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
  • Тип файла:
    ppt / pptx (powerpoint)
  • Всего слайдов:
    9 слайдов
  • Для класса:
    1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
  • Размер файла:
    606.00 kB
  • Просмотров:
    65
  • Скачиваний:
    0
  • Автор:
    неизвестен



Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд
Содержание слайда:

№2 слайд
Рисунок Общий вид топологии
Содержание слайда: Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя Рисунок 1 — Общий вид топологии фотоакустического преобразователя

№3 слайд
Содержание слайда:

№4 слайд
Содержание слайда:

№5 слайд
Содержание слайда:

№6 слайд
Содержание слайда:

№7 слайд
E ,E источники постоянного
Содержание слайда: E1,E2 – источники постоянного напряжения; M1 – миллиамперметр (мультиметр DT-838); Q1, R1, R2, D1, D2 – элементы токостабилизирующей нагрузки; М2 – микроамперметр (мультиметр Mastech MS8222H); LED – инфракрасный светодиод Kingbright L-53SF6; STR – фотоприемник; V1 – вольтметр Рисунок 6 — Электрическая схема измерительного стенда для измерения семейства ВАХ фотоприемника при оптическом облучении

№8 слайд
а б I , IF мА I , IF , мА I ,
Содержание слайда: а) б) 1 – I = 1,00 (IF = 16 мА); 2 – I = 0,21 (IF = 3,3 мА); 3 – I = 0,04 (IF = 0,7 мА) Рисунок 7 — Семейство ВАХ фотоприемника при различных интенсивностях света (а) и ВАХ в отсутствие освещения (б)

№9 слайд
Содержание слайда:

Скачать все slide презентации Электрофизические свойства барьеров Шоттки, на высокоомном арсениде галлия одним архивом: