Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
25 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
190.46 kB
Просмотров:
85
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Электроника и Схемотехника
Часть I
№2 слайд
Содержание слайда: Введение
№3 слайд
Содержание слайда: Определение
Электроника - это наука о взаимодействии электронов с ЭМП, о методах, охватывающих исследование и разработку электронных приборов и принципах их использования.
№4 слайд
Содержание слайда: Разделы электроники
Вакуумная (электронные лампы; работают в области высоких уровней мощности и высоких частот).
Плазменная (силовая электроника)
Квантовая (пример: лазер).
Оптическая (оптические волноводы, устройства, управляющие световыми потоками, приемники оптического излучения и др.).
№5 слайд
Содержание слайда: Разделы электроники
Функциональная (используют домены, зарядовые пакеты - динамическая неоднородность)
№6 слайд
Содержание слайда: Разделы электроники
Микроэлектроника
По количеству выпускаемых промышленностью единиц, точности технологий и чистоте производства, количеству областей применения нет прибора, который хоть в какой-то мере мог приблизиться к транзистору. На основе транзисторов созданы интегральные схемы, совершённый продукт технологического прогресса XX столетия.
1 июля 1948 г. - новость в "New York Times" о новой разработке Bell Telecom Labs, как о замене лампам,
1956 г. - Нобелевская премия по физике за изобретение германиевого транзистора,
1958 г. - полевой транзистор.
№7 слайд
Содержание слайда: Тема 1. Физика полупроводниковых структур
№8 слайд
Содержание слайда: 1.1. Энергетические зоны полупроводника
Полупроводник - вещество, основным свойством которого является сильная зависимость удельной проводимости от внешних факторов.
Основные материалы: Ge, Si, GaAs. Каждый электрон в атоме занимает определенный энергетический уровень. В твердом теле благодаря взаимодействию атомов энергетические уровни расщепляются и образуют энергетические зоны. Электроны могут находиться только на разрешенных уровнях.
№9 слайд
Содержание слайда: 1.1. Энергетические зоны полупроводника
№10 слайд
Содержание слайда: 1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда
Электропроводность полупроводника определяется двумя типами носителей электрического заряда, которые могут перемещаться под действием градиента концентрации или внешнего поля.
Носители заряда:
Электроны зоны проводимости
Дырки валентной зоны
№11 слайд
Содержание слайда: 1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда
№12 слайд
Содержание слайда: 1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда
Дырка - квазичастица или незаполненное электронными состояние (вакансия) в валентной зоне полупроводника.
Под действием внешних факторов происходит генерация носителей заряда - образование свободных электронов и дырок. Сопротивление полупроводника при этом уменьшается.
Обратный процесс называется рекомбинацией.
В состоянии термодинамического равновесия существует равновесная концентрация электронов (n0) и дырок (p0).
№13 слайд
Содержание слайда: 1.3. Собственные полупроводники (i-типа)
Беспримесный и бездефектный полупроводник с идеальной кристаллической решеткой называется собственным полупроводником. При T=0 является изолятором. При возрастании T возникают колебания атомов в решетке, нарушаются связи между атомами, возникают свободные электроны и дырки. Процесс образования электронно-дырочных пар под действием температуры называется термогенерацией.
№14 слайд
Содержание слайда: 1.4. Примесные полупроводники
Проводимостью собственного полупроводника можно управлять, вводя примеси. Большинство полупроводниковых приборов изготавливают на основе примесных полупроводников, т.е. полупроводником, электрических характеристики которого определяются донорными или акцепторными примесями. В результате в рабочем диапазоне температур полупроводникового прибора поставщика ми основного носителя заряда должны быть примеси, поэтому в практике важное значение имеют материалы, у которых ощутимая собственная концентрация носителей заряда появляется при возможно более высокой T.
№15 слайд
Содержание слайда: 1.4. Примесные полупроводники
№16 слайд
Содержание слайда: 1.4. Примесные полупроводники
Акцептор - примесный атом, или дефект кристаллической решётки, образующий в запрещённой зоне энергетический уровень, свободный от электрона в невозбуждённом состоянии атома, и способный захватить электрон валентной зоны в возбуждённом состоянии.
№17 слайд
Содержание слайда: 1.4. Примесные полупроводники
Донор – примесный атом или дефект кристаллической решётки, образующий в запрещённой зоне энергетический уровень, занятый электронами в невозбуждённом состоянии атома, и способный отдать электрон в зону проводимости.
№18 слайд
Содержание слайда: 1.4. Примесные полупроводники
Энергия ионизации акцептора – минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтоб перенести его на акцепторный уровень.
Энергия ионизации донора – минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на донорном уровне, чтобы перевести его в зону проводимости.
При низких T основными источниками носителей заряда являются примеси.
Носители преобладающего типа называются основные, другие – неосновные.
Что дают примеси:
Меньше напряжение для изменения проводимости полупроводника
Можно изменять проводимость технологическим путём (вводя примеси), тем самым создавая различные приборы
Создание p-n перехода
№19 слайд
Содержание слайда: 1.5. Уровень Ферми
На энергетических диаграммах полупроводников указывают расположение уровня Ферми, что делает наглядным объяснение многих физических процессов.
Вероятность заполнения электроном энергетического уровня Э. Соответствует статистике Ферми-Дирака:
№20 слайд
Содержание слайда: 1.5. Уровень Ферми
№21 слайд
Содержание слайда: 1.5. Уровень Ферми
В невырожденных ПП уровень Ферми всегда лежит в запрещённой зоне.
В условиях термодинамического равновесия уровень Ферми – горизонтальный.
С увеличением T уровень Ферми стремится к середине запрещённой зоны. С увеличением концентрации носителей заряда – соответственно: к потолку валентной зоны и дну зоны проводимости.
Температурный потенциал (25 мВ при T=300 K):
№22 слайд
Содержание слайда: 1.6. Процессы переноса носителей заряда в полупроводнике
Процесс переноса зарядов происходит при наличии ЭП или grad концентрации носителей заряда.
Дрейф – направленное движение носителей заряда при наличии ЭП.
№23 слайд
Содержание слайда: 1.6. Процессы переноса носителей заряда в полупроводнике
Электронная составляющая плотности дрейфового тока:
n – концентрация, E – напряжённость, γn - удельная проводимость полупроводника при одном виде носителей (электрон), μn – подвижность (величина, численно равная средней скорости их направленного движения в ЭП с E=1.
Дырочная составляющая плотности дрейфового тока:
№24 слайд
Содержание слайда: 1.6. Процессы переноса носителей заряда в полупроводнике
Диффузия – направленное движение носителей заряда вследствие градиента концентрации.
Из молекулярной физики известно, что поток частиц при диффузии пропорционален градиенту концентрации этих частиц.
№25 слайд
Содержание слайда: 1.6. Процессы переноса носителей заряда в полупроводнике
Поток – число частиц, пересекающих в единицу времени единичную площадку, перпендикулярную направлению градиента концентрации.
Dn – коэффициент диффузии.
Плотность диффузионного тока: