Презентация Физические процессы в диэлектриках. Электропроводность диэлектриков онлайн

Содержание слайда: Поляризацией называется состояние вещества, при котором элементарный объем диэлектрика приобретает электрический момент. №2. Физические процессы в диэлектриках. электропроводность диэлектриков Содержание лекции: определение явлений поляризации и электропроводности, их количественные характеристики и методы определений.   Цели лекции: изучить физических явлений в диэлектрике, находящемся в электрическом поле: электропроводность диэлектрика.   При разработке изделий электропромышленности необходим рациональный выбор ЭТМ. Этот выбор приходится делать из большого количества диэлектрических материалов. Чтобы правильно выбрать нужный материал, надо знать критерии выбора. К ним относятся электрические и физико-химические свойства диэлектриков. К электрическим свойствам относятся относительная диэлектрическая проницаемость, которая является количественной характеристикой явления поляризации, удельное сопротивление, которое определяет электропроводность диэлектриков, тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрические потери и электрическая прочность, пробой диэлектриков.  

Содержание слайда: 2.1 Диэлектрическая проницаемость и ее связь с электрической поляризацией   Все диэлектрики имеют связанные электрические заряды: электронные оболочки атомов, заряженные отрицательно, и атомные ядра, несущие положительный заряд. При отсутствии электрического поля эти заряды расположены концентрически, поэтому атомы электрически нейтральны. Под действием внешнего электрического поля (Е), электронные оболочки атомов смещаются в сторону, обратную направлению поля, образовывая поляризованные атомы.

Содержание слайда: а) нейтральный атом б) поляризованный атом.

Содержание слайда: Смещение зарядов тем больше, чем больше вектор Е. При снятии электрического поля заряды возвращаются в прежнее состояние. В полярных диэлектриках происходит ориентация диполей в направлении поля; при отсутствии поля диполи дезориентируются вследствие теплового движения. Большинство диэлектриков имеют линейную зависимость электрического смещения от Е поля. Особую группу составляют диэлектрики, у которых поляризованность (Р) изменяется нелинейно от изменения напряженности Е поля, такие диэлектрики называются сегнетоэлектриками. Любой диэлектрик с нанесенными на него электродами, включенный в электрическую цепь, может рассматриваться как конденсатор определенной емкости. Заряд всякого конденсатора равен

Содержание слайда:   Q = CU,   где U - приложенное напряжение; С - емкость конденсатора. Количество электричества - заряд Q слагается из 2-х составляющих: QО, которое было бы на электродах, если бы их разделял вакуум, и QД, которое обусловлено поляризацией диэлектрика, разделяющего электроды.   Q= QО + QД .

Содержание слайда:

Содержание слайда: На рисунке 2.2: U - источник напряжения, Со и QО - емкость и заряд в вакууме; прочие С и Q - соответственно емкости и заряды от электронной, ионной, дипольно-релаксационной, ионно-релаксационной, электронно-релаксационной, миграционной и спонтанной поляризации; ґ - с соответствующими индексами - сопротивления, эквивалентные потерям энергии при этих механизмах поляризации, R - сопротивление изоляции сквозному току через диэлектрик. Важнейшей характеристикой диэлектрика, имеющей особое значение для техники, является относительная диэлектрическая проницаемость- , которая представляет отношение заряда на конденсаторе, содержащем данный диэлектрик к заряду, который был на конденсаторе тех же размеров, если бы между электродами был вакуум или воздух  Q/ QО= (QО+ QД) / QО =1 + QД / QО,

Содержание слайда: из (2.3) следует, что  для любого вещества больше единицы. Соотношение (2.2) может быть представлено   Q=QО=CU=COU,   где С - емкость конденсатора, если бы его электроды разделял вакуум. Относительная диэлектрическая проницаемость зависит от структуры диэлектрика, от агрегатного состояния, частоты и напряженности поля, температуры, давления и др. Диэлектрическая проницаемость твердых сложных диэлектриков (смесь компонентов) может быть определена на основании логарифмического закона смешения (в общем случае применим для расчета самых различных свойств - теплопроводности, показателя преломления и др.)

Содержание слайда: х1 х1 + 22х,   где 1,2,3 – диэлектрическая проницаемость отдельных компонентов; 1,2 - объемные концентрации компонентов;   (1 + 2) = 1;   Х - константа, характеризующая распределение компонентов и принимает значение от +1 до -1.

Содержание слайда: Методы экспериментального определения и расчета     является важнейшей характеристикой диэлектрика. Для определения  находят емкость Сх конденсатора с диэлектриком из испытуемого материала. В случае плоской формы образца расчет  производят по формуле:  = Сх4π / Sо,

Содержание слайда: где  - толщина образца, м; S - его площадь, м2 ; 0- электрическая постоянная, равная 8,85·10-12 Ф/м. Для определения Сх применяется мостовой метод. Измерения производятся на переменном напряжении низкой частоты по схеме в соответствии с рисунком 2.3

Содержание слайда: Переменное напряжение низкой частоты  Сх считается определенным, если сопротивления цепей Сх·r3 = Сэ·(r4+С4) будут равны; в этом случае ток через гальванометр G будет минимальным или равным 0. Равенство сопротивлений в цепях достигается регулированием сопротивления r3 и емкости С4.

Содержание слайда: Электропроводность диэлектрика   Все диэлектрические материалы под воздействием постоянного напряжения пропускают некоторый весьма незначительный ток, называемый “током утечки”. Общий ток утечки через изоляцию составит   I = Iv + Is , где Iv- объемный ток; Is- поверхностный ток. Следовательно, проводимость складывается из объемной проводимости и поверхностной проводимости , отсюда   G = Gv +Gs.

Содержание слайда:

Содержание слайда:   Величины, обратные проводимостям, называются сопротивлениями изоляции – объемным, поверхностным и результирующим

Содержание слайда:

Содержание слайда: Зависимость удельной электропроводности диэлектриков различных агрегатных состояний, химического состава и структуры от воздействия внешних факторов: температуры, Е, влажности и др. Электропроводность газов. При малых напряженностях Е в области слабых полей газы обладают малой электропроводностью →0. Количество свободных ионов и электронов не превышает 10 1/см. Плотность тока при этом→ 10 А/см т.е. близка к 0. Ток в газах может возникнуть только при наличии в них свободных электронов. Ионизация нейтральных молекул газа возникает либо под действиям внешних факторов, либо вследствие соударений заряженных частиц с молекулами. Электропроводность газа, обусловленная действием внешних ионизаторов, называется несамостоятельной. В сильных полях проводимость становится самостоятельной с образованием лавины электронов за счет ударной ионизации в объеме газа. В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятельной электропроводности не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление молекулы на положительные и отрицательные ионы. Одновременно часть положительных ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс, как известно, называется рекомбинацией.

Содержание слайда: Электропроводность жидких диэлектриков. Электропроводность жидких диэлектриков подразделяется на собственную и примесную. Собственная электропроводность жидких диэлектриков определяется сквозным перемещением ионов, получаемых в результате диссоциации молекул и перемещением заряженных частиц примесей – молионов. Электропроводность неполярных жидкостей (нефтяные масла, кремнийорганические и др.) очень мала и возрастает лишь при увеличении полярных или диссоциированных примесей, включая воду. Электропроводность полярных жидкостей определяется диссоциацией молекул самой жидкости и наличия в ней примесей. Проводимость полярных жидкостей больше чем у неполярных. Температурная зависимость удельной проводимость (γ) жидких диэлектриков имеет экспоненциальной положительный характер

Содержание слайда:

Содержание слайда: Электропроводность твердых диэлектриков Электропроводность твердых диэлектриков чаще носит ионный характер. Это связано с тем, что ширина запрещенной зоны в диэлектрике ∆W>>kT и лишь ничтожное количество электронов может отрываться от своих атомов за счет теплового движения. Ионы же часто слабо связаны в узлах решетки, и энергия W для их срыва сравнима с kT. Например, для NaCI ∆W=6 эВ, а энергия отрыва положительного иона (+Na) W=0.85 эВ, поэтому, несмотря на меньшую подвижность ионов (uион) по сравнению с подвижностью электронов (uэл), ионная электропроводность γ оказывается больше электронной. Удельное сопротивление диэлектриков не зависит от направления приложенного напряжения, а зависит от химического состава и структуры. Сохранение пропорциональности между током и напряжением в твердых диэлектриках наблюдается до Е=10-10-2 В/м. При Е, превышающих этот предел, зависимость носит экспоненциональный характер и выражается формулой Пуля:

Содержание слайда: γ=γ0еβЕ,   где Е – напряженность поля; γ0 - удельная электропроводность в области независимости от Е; β – коэффициент, характеризующий материал. Зависимость удельного сопротивления твердых диэлектриков от температуры выражается: ρv=Beb/T или ρ=ρ0е-αt   где В или в коэффициенты для данного материала; ρ0 – удельное сопротивление при 0С; α – температурный коэффициент; b – для твердых диэлектриков находится в пределах от 10000 до 22000.