Презентация Жартылай өткізгішті фотодиодтар онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Жартылай өткізгішті фотодиодтар абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 10 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Физика » Жартылай өткізгішті фотодиодтар

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

10 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

436.92 kB
Просмотров:

67
Скачиваний:

0
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: Жартылай өткізгішті фотодиодтар

№2 слайд

Содержание слайда: Фотодиод — жұмыс істеу қағидасы ішкі фотоэффектіге негізделген, р-п өткелінен тұратын және екі шықпасы бар фотоэлемент.

№3 слайд

Содержание слайда:

№4 слайд

Содержание слайда:

№5 слайд

Содержание слайда:

№6 слайд

Содержание слайда: Существуют разновидности фотодиодов, обладающих дополнительными преимуществами для ряда областей применения. Так называемый p—i—n-фотодиод (рис.5.11) содержит между областями р- и n-типа широкую высокоомную зону с собственной проводимостью, в которой под действием падающего излучения генерируются электронно-дырочные пары. Электрическое поле, возникшее в этой зоне под действием запирающего напряжения, практически постоянно, а в объеме этой зоны отсутствует пространственный заряд.

№7 слайд

Содержание слайда:

№8 слайд

Содержание слайда: Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с р-п переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в р-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к р-п переходу на расстоянии, не превь,’ ,ающем диффузионной длины, диффундируют в р-п переход и проходя* через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в р-п переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком. Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с р-п переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в р-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к р-п переходу на расстоянии, не превь,’ ,ающем диффузионной длины, диффундируют в р-п переход и проходя* через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в р-п переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком.

№9 слайд