Презентация Источники оптического импульсного когерентного излучения для информационных систем II. Полупроводниковые лазеры онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Источники оптического импульсного когерентного излучения для информационных систем II. Полупроводниковые лазеры абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 88 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:88 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:20.74 MB
- Просмотров:102
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда:
№2 слайд
Содержание слайда:
№3 слайд
Содержание слайда:
№4 слайд
Содержание слайда:
№5 слайд
Содержание слайда:
№6 слайд
Содержание слайда:
№7 слайд
Содержание слайда:
№8 слайд
Содержание слайда:
№9 слайд
Содержание слайда:
№10 слайд
Содержание слайда:
№11 слайд
Содержание слайда:
№12 слайд
Содержание слайда:
№13 слайд
Содержание слайда:
№14 слайд
Содержание слайда:
№15 слайд
Содержание слайда:
№16 слайд
Содержание слайда:
№17 слайд
Содержание слайда:
№18 слайд
Содержание слайда:
№19 слайд
Содержание слайда:
№20 слайд
Содержание слайда:
№21 слайд
Содержание слайда:
№22 слайд
Содержание слайда:
№23 слайд
Содержание слайда:
№24 слайд
Содержание слайда:
№25 слайд
Содержание слайда:
№26 слайд
Содержание слайда:
№27 слайд
Содержание слайда:
№28 слайд
Содержание слайда:
№29 слайд
Содержание слайда:
№30 слайд
Содержание слайда:
№31 слайд
Содержание слайда:
№32 слайд
Содержание слайда:
№33 слайд
Содержание слайда:
№34 слайд
Содержание слайда:
№35 слайд
Содержание слайда:
№36 слайд
Содержание слайда:
№37 слайд
Содержание слайда:
№38 слайд
Содержание слайда:
№39 слайд
Содержание слайда:
№40 слайд
Содержание слайда:
№41 слайд
Содержание слайда:
№42 слайд
Содержание слайда:
№43 слайд
Содержание слайда: Эффект Пельтье
№44 слайд
Содержание слайда:
№45 слайд
Содержание слайда:
№46 слайд
Содержание слайда:
№47 слайд
Содержание слайда:
№48 слайд
Содержание слайда:
№49 слайд
Содержание слайда:
№50 слайд
Содержание слайда:
№51 слайд
Содержание слайда:
№52 слайд
Содержание слайда:
№53 слайд
Содержание слайда:
№54 слайд
Содержание слайда:
№55 слайд
Содержание слайда:
№56 слайд
Содержание слайда:
№57 слайд
Содержание слайда:
№58 слайд
Содержание слайда:
№59 слайд
Содержание слайда:
№60 слайд
Содержание слайда:
№61 слайд
Содержание слайда:
№62 слайд
Содержание слайда:
№63 слайд
Содержание слайда:
№64 слайд
Содержание слайда:
№65 слайд
Содержание слайда:
№66 слайд
Содержание слайда:
№67 слайд
Содержание слайда:
№68 слайд
Содержание слайда:
№69 слайд
Содержание слайда:
№70 слайд
Содержание слайда:
№71 слайд
Содержание слайда:
№72 слайд
Содержание слайда:
№73 слайд
Содержание слайда:
№74 слайд
Содержание слайда:
№75 слайд
Содержание слайда:
№76 слайд
Содержание слайда:
№77 слайд
Содержание слайда:
№78 слайд
Содержание слайда:
№79 слайд
Содержание слайда:
№80 слайд
Содержание слайда:
№81 слайд
Содержание слайда: Приёмники оптического излучения на основе полупроводников с p-n переходом (фотодиоды)
Основными параметрами приёмников оптического излучения являются:
Энергетическая (световая) характеристика, которая определяет зависимость реакции приёмника от интенсивности падающего излучения (ампер-ваттная, вольт-ваттная, люкс-ваттная).
Спектральная характеристика чувствительности, которая определяет зависимость реакции фотоприёмника на воздействие излучения с различной длиной волны.
Частотная характеристика, которая определяет зависимость чувствительности фотоприёмника от частоты модуляции и характеризует инерционность приёмника.
Пороговая чувствительность, которая определяет минимальный уровень мощности излучения, который может быть обнаружен на фоне собственных шумов.
№82 слайд
Содержание слайда: Использование фотодиода в фотогальваническом (а) и фотодиодном (б) режимах.
R – сопротивление нагрузки, V – вольтметр, ИП – источник питания
№83 слайд
Содержание слайда: p-i-n фотодиод
Ограничения применения p-n фотодиодов в устройствах оптоинформатики:
1) обеднённая зона составляет достаточно малую часть всего объёма фотодиода (толщина – единицы микрон) и поэтому большая часть поглощённых фотонов не приводит к генерации тока во внешней цепи,
2) наличие медленного отклика делает его непригодным для средне- и высокоскоростных применений (десятки МГц).
№84 слайд
Содержание слайда: p-i-n фотодиод – скоростной фотоприёмник
Быстрый фотоотклик p-i-n фотодиодов объясняется меньшей по сравнению с p-n фотодиодами электроёмкостью. Фотодиод можно представить как плоский конденсатор, ёмкость которого прямопропорциональна электрическому заряду одной из его обкладок (Q) и обратнопропорциональна расстоянию между обкладками (С ~ Q/L). А так как длина i-слоя у p-i-n фотодиодов в 10-100 раз больше, чем длина обеднённого слоя у p-n фотодиодов то и их электроёмкость значительно меньше ёмкости p-n фотодиодов. Время заряда/разряда такого конденсатора прямопропорционально электроёмкости (t ~ C), что и обеспечивает возможность детектирования более высокочастотного сигнала с помощью
p-i-n фотодиодов
№85 слайд
Содержание слайда: Принципиальная конструкция фотодиода на основе p-n перехода (а) и p-i-n фотодиода (б)
№86 слайд
Содержание слайда:
№87 слайд
Содержание слайда: Литература
О.Звелто. Принципы лазеров.-М.:Мир, 1984
Физика полупроводниковых лазеров.- М.:Мир, 1989
Laser Focus World, 2000, Vol. 36, No. 4, 5, 6, 7
Semiconductor Lasers 2000. www.optoelectronics-world.com
№88 слайд
Содержание слайда:
Скачать все slide презентации Источники оптического импульсного когерентного излучения для информационных систем II. Полупроводниковые лазеры одним архивом:
