Презентация Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8) онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8) абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 37 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Физика » Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8)


Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Смотреть онлайн
Скачать
  • Тип файла:
    ppt / pptx (powerpoint)
  • Всего слайдов:
    37 слайдов
  • Для класса:
    1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
  • Размер файла:
    3.06 MB
  • Просмотров:
    100
  • Скачиваний:
    1
  • Автор:
    неизвестен


Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд
Лекция Тема Основные группы
Содержание слайда: Лекция №8 Тема: Основные группы полупроводниковых материалов 1. Простые полупроводники 2. Полупроводниковые соединения
№2 слайд
Классификация полупроводников
Содержание слайда: Классификация полупроводников
№3 слайд
Способы получения
Содержание слайда: Способы получения монокристаллов полупроводников 1. Вытягивание из расплава по методу Чохральского. 2. Метод бестигельной зонной плавки. 3. Кристаллизация из газовой фазы с использованием методов сублимации из газовой фазы и химических транспортных реакций (CdS, ZnS, SiC).
№4 слайд
Простые полупроводники .
Содержание слайда: Простые полупроводники 1. Германий 1s22s22p63s23p63d104s24p2 GeCl4 +2H2O  GeO2 + 4HCl GeO2 +2H2  Ge+2H2O
№5 слайд
Алмазоподобная кубическая
Содержание слайда: Алмазоподобная кубическая гранецентрированная решетка германия и кремния
№6 слайд
Основные свойства германия и
Содержание слайда: Основные свойства германия и кремния
№7 слайд
Кремний s s p s p
Содержание слайда: Кремний 1s22s22p63s23p2
№8 слайд
Основные параметры кремния
Содержание слайда: Основные параметры кремния
№9 слайд
Механические свойства кремния
Содержание слайда: Механические свойства кремния
№10 слайд
Теплопроводность кремния
Содержание слайда: Теплопроводность кремния
№11 слайд
Способы получения . Метод
Содержание слайда: Способы получения 1. Метод Чохральского SiO2 + 2C  Si + 2CO, Т 2000С
№12 слайд
Метод бестигельной зонной
Содержание слайда: Метод бестигельной зонной плавки
№13 слайд
Вид монокристалла Si
Содержание слайда: Вид монокристалла Si диаметром 200 мм после извлечения из расплава Вид монокристалла Si диаметром 200 мм после извлечения из расплава
№14 слайд
Содержание слайда:
№15 слайд
Вид слитка после процесса
Содержание слайда: Вид слитка после процесса выращивания
№16 слайд
Промышленная установка для
Содержание слайда: Промышленная установка для полировки кремниевых подложек диаметром 300 мм
№17 слайд
Маркировка кремниевых
Содержание слайда: Маркировка кремниевых подложек в зависимости от кристаллографической ориентации и типа легирования
№18 слайд
Удельное сопротивление
Содержание слайда: Удельное сопротивление кремния в зависимости от концентрации легирующей примеси
№19 слайд
Нанесение покрытий методом
Содержание слайда: Нанесение покрытий методом центрифугирования Нанесение покрытий методом центрифугирования (spin-on)
№20 слайд
Полупроводниковые соединения
Содержание слайда: Полупроводниковые соединения группы АIIIВV
№21 слайд
Примеси в соединениях AIIIBV
Содержание слайда: Примеси в соединениях AIIIBV Элементы II – Be, Mg, Zn, Cd – акцепторы Замещают узлы металлического компонента Элементы VI – S, Se, Te – доноры Замещают узлы элемента BV Элементы IV Замещают узлы как AIII, так и BV
№22 слайд
Арсенид галлия GaAs Ширина
Содержание слайда: Арсенид галлия GaAs Ширина запрещенной зоны - 1,43 эВ Подвижность электронов - 0,85 м2/Вс Концентрация электронов - 1022м-3 Предельная рабочая температура - 450С Акцепторы – Zn, Cd, Cu Доноры – S,Se, элементы IV
№23 слайд
Антимонид индия InSb Ширина
Содержание слайда: Антимонид индия InSb Ширина запрещенной зоны - 0,17 эВ Подвижность электронов - 7,7 м2/Вс Собственная проводимость при комнатной температуре В области примесной проводимости материал близок к вырождению
№24 слайд
Фосфид галлия GaP Ширина
Содержание слайда: Фосфид галлия GaP Ширина запрещенной зоны - 2,25 эВ Подвижность электронов - 0, 46 м2/Вс Концентрация электронов – 1017-1020м-3 Акцепторы – Mg, Zn, Cd, C, Be Доноры – O, S, Se, Te, Si, Sn
№25 слайд
Полупроводниковые соединения
Содержание слайда: Полупроводниковые соединения группы АIIВVI
№26 слайд
Особенности соединений AIIBVI
Содержание слайда: Особенности соединений AIIBVI Изменение удельного сопротивления в широких пределах термообработкой в парах одного из собственных компонентов. Монокристаллы соединений выпускаются в ограниченных объемах. Области применения – люминесцентные покрытия и экраны, фоторезисторы, солнечные элементы, тонкопленочные транзисторы
№27 слайд
Халькогениды кадмия CdS,
Содержание слайда: Халькогениды кадмия – CdS, CdSe, CdTe Электронный тип проводимости – обусловлен отклонением стехиометрического состава (недостаток S, Se, Te) CdTe n-CdTe-(избыток Cd) p-CdTe-(вакансии Cd) Концентрация свободных носителей заряда – 1020-1025 м-3 Подвижность электронов – 5,7 м2/Вс
№28 слайд
Халькогениды цинка ZdS, ZnSe,
Содержание слайда: Халькогениды цинка – ZdS, ZnSe, ZnTe - Широкая запрещенная зона – 3,6; 2,7; 2,2 эВ
№29 слайд
Полупроводниковые соединения
Содержание слайда: Полупроводниковые соединения группы АIVВVI Халькогениды свинца – PbS, PbSe, PbTe, SnTe Добавление олова (Sn) к теллуриду свинца (PbTe) приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны до нуля.
№30 слайд
Халькогениды свинца PbS,
Содержание слайда: Халькогениды свинца – PbS, PbSe, PbTe При отклонении от стехиометрического состава обладают электронной проводимостью при избытке Pb, дырочной проводимостью – при избытке элемента VI группы. Узкозонные материалы.
№31 слайд
Полупроводниковые соединения
Содержание слайда: Полупроводниковые соединения группы АIVВIV Карбид кремния SiO2 + 3C  SiC + 2CO, Т=2400-2600С ширина запрещенной зоны  2,39 эВ подвижность электронов  0,1 м2/Вс подвижность дырок  0,006м2/Вс избыток Si – n-тип проводимости избыток С – р-тип проводимости Собственная проводимость начиная с 1400С
№32 слайд
Способ формирования
Содержание слайда: Способ формирования монокристаллов SiC
№33 слайд
Области применения SiC
Содержание слайда: Области применения SiC Светодиоды, мощные выпрямительные диоды, высокотемпературные тензорезисторы. Штампы при формировании низкоразмерных структур
№34 слайд
Тонкопленочный
Содержание слайда: Тонкопленочный светоизлучательный диод (LED)
№35 слайд
Органические полупроводники
Содержание слайда: Органические полупроводники Органический материал на основе полимера Силы Ван-дер-Ваальса
№36 слайд
Линейные пентацен Линейные
Содержание слайда: Линейные – пентацен Линейные – пентацен Двумерные соединения со сшитыми кольцами – производные нафталина и фталоцианинов Гетероциклические олигомеры – производные тиофена с р-типом проводимости Применение Светодиоды, органические фотовольтаические элементы, прозрачные тонкопленочные транзисторы, дисплеи с использованием гибких материалов.
№37 слайд
Содержание слайда:
Скачать все slide презентации Основные группы полупроводниковых материалов. (Лекция 8) одним архивом:
Скачать
Похожие презентации