Презентация Примеси и примесные состояния в полупроводниках онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Примеси и примесные состояния в полупроводниках абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 51 слайд. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:51 слайд
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:2.37 MB
- Просмотров:66
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Твердотельная электроника
Примеси и примесные состояния
в полупроводниках
№2 слайд
Содержание слайда: Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении атома кристалл остается электронейтральным!
Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении атома кристалл остается электронейтральным!
№3 слайд
Содержание слайда: Элементы III, IV, V групп Периодической системы Д.И. Менделеева
№4 слайд
Содержание слайда: Донорный полупроводник
№5 слайд
Содержание слайда: Донорный полупроводник
Энергия ионизации доноров (Ed), как правило, невелика и при комнатной температуре донорная примесь отдает свои электроны, поэтому такие полупроводники и называют электронными или полупроводниками n-типа, а электроны – основными носителями заряда. Дырки в электронном полупроводнике являются неосновными носителями.
№6 слайд
Содержание слайда: Уровень Ферми в донорном полупроводнике
№7 слайд
Содержание слайда: Донорный полупроводник
Введение донорной примеси приводит к увеличению концентрации электронов (при её ионизации) и, соответственно, к смещению уровня Ферми к зоне проводимости (чем он ближе к ней, тем больше концентрация электронов).
№8 слайд
Содержание слайда: Уравнение электронейтральности
№9 слайд
Содержание слайда:
№10 слайд
Содержание слайда: Зависимость положения уровня Ферми от температуры в полупроводнике n-типа
№11 слайд
Содержание слайда: Заполнение электронами зоны проводимости в невырожденном полупроводнике n-типа
№12 слайд
Содержание слайда: Функция Ферми-Дирака для примесных полупроводников
№13 слайд
Содержание слайда: Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда для донорного полупроводника
№14 слайд
Содержание слайда: Концентрация носителей заряда в легированном полупроводнике
№15 слайд
Содержание слайда: Зависимость концентрации электронов от температуры в полупроводнике n-типа
№16 слайд
Содержание слайда:
№17 слайд
Содержание слайда: Акцепторный полупроводник
№18 слайд
Содержание слайда: Акцепторный полупроводник
Энергия ионизации акцепторов Ea<<Eg, и при комнатной температуре акцепторная примесь ионизованна, поэтому такие полупроводники и называют полупроводниками p-типа, а дырки – основными носителями заряда. Электроны в полупроводнике p-типа являются неосновными носителями. Введение акцепторной примеси приводит к смещению уровня Ферми к валентной зоне.
№19 слайд
Содержание слайда: Уровень Ферми в акцепторном полупроводнике
№20 слайд
Содержание слайда: Зависимость положения уровня Ферми от температуры в акцепторном полупроводнике
№21 слайд
Содержание слайда:
№22 слайд
Содержание слайда: Зависимость положения уровня Ферми от температуры для Ge n- и p-типов
№23 слайд
Содержание слайда: Уравнение электронейтральности
№24 слайд
Содержание слайда:
№25 слайд
Содержание слайда:
№26 слайд
Содержание слайда:
№27 слайд
Содержание слайда: Смещение энергетических зон под действием электрического поля
А) Без смещения Б) Приложено внешнее напряжение
№28 слайд
Содержание слайда:
№29 слайд
Содержание слайда: Расчет скорости свободного электрона
№30 слайд
Содержание слайда: Схема движения свободного электрона
№31 слайд
Содержание слайда:
№32 слайд
Содержание слайда:
№33 слайд
Содержание слайда:
№34 слайд
Содержание слайда: Классификация веществ
№35 слайд
Содержание слайда: Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях
№36 слайд
Содержание слайда:
№37 слайд
Содержание слайда: Подвижность носителей заряда
№38 слайд
Содержание слайда: Рассеяние на ионах примеси
№39 слайд
Содержание слайда:
№40 слайд
Содержание слайда: Рассеяние на колебаниях решетки
№41 слайд
Содержание слайда:
№42 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации легирующей примеси
№43 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности носителей заряда от обратной температуры при различных концентрациях примеси
№44 слайд
Содержание слайда:
№45 слайд
Содержание слайда: Типичные значения подвижности (300К) для некоторых полупроводников
№46 слайд
Содержание слайда:
№47 слайд
Содержание слайда:
№48 слайд
Содержание слайда: Расчет электропроводности
№49 слайд
Содержание слайда:
№50 слайд
Содержание слайда: Собственная проводимость
Зависимость электропроводности собственного материала от температуры:
№51 слайд
Содержание слайда:
Скачать все slide презентации Примеси и примесные состояния в полупроводниках одним архивом:
