Презентация Рост наноструктур и микроскопия. Методы выращивания наноструктур онлайн

Содержание слайда: МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ НАНОСТРУКТУР

Содержание слайда: Эпитаксиальный рост тонкой пленки А на подложке Б Монослойный или двумерный рост (атомы группы А притягиваются к подложке сильнее, чем друг к другу. В результате этого атомы сначала объединяются, образуя монослойные островки, которые затем расширяются и сливаются, образуя первый монослой). Метод Волмера-Вебера (атомы группы А сильнее притягиваются друг к другу, чем к подложке. Таким образом, они сначала будут объединяться, формируя островки, в ходе эпитаксии эти островки будут расти и в конце концов образуют сплошную пленку). Метод Странского-Крастанова (атомы А сначала будут распределяться по плоскости, создавая или единственный монослой, или тонкую пленку из малого числа монослоев. Важным фактором, управляющим ростом эпитаксиальной пленки является несоответствие решеток между эпитаксиальным слоем А и подложкой Б) .

Содержание слайда: Метод Странского-Крастанова Рост квантовых точек методом Странского-Крастанова

Содержание слайда: Самоорганизация и самосборка наноструктур

Содержание слайда: Газофазный синтез

Содержание слайда: Плазмохимический синтез

Содержание слайда: Осаждение из коллоидных растворов Осаждение из коллоидных растворов — метод получения изолированных наночастиц и нанопорошков, заключающийся в прерывании химической реакции между компонентами раствора, после чего система переходит из жидкого коллоидного состояния в дисперсное твердое состояние. (Коллоидная (дисперсная) система — система, в которой дискретные частицы, капли или пузырьки дисперсной фазы, имеющие размер хотя бы в одном из измерений от 1 до 100 нм, распределены в другой фазе, обычно непрерывной, отличающейся от первой по составу или агрегатному состоянию и называющейся дисперсионной средой).

Содержание слайда: Молекулярно-лучевая эпитаксия

Содержание слайда: ТЕРМИЧЕСКОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ И ВОССТАНОВЛЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ И ВОССТАНОВЛЕНИЕ При термическом разложении обычно используют сложные металлоорганические соединения, гидроксиды, нитраты и т.д., которые при определенной температуре распадаются с образованием синтезируемого вещества и выделением газовой фазы. МОСГИДРИДНАЯ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ При мосгидридной газофазной эпитаксии (МОСГЭ) гетероструктуры выращиваются в газофазном реакторе при атмосферном давлении. Газовой фазой в таких реакторах обычно является горячий поток водорода, смешанный с атомами осаждаемого вещества.

Содержание слайда: МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

Содержание слайда: Полевая эмиссионная микроскопия

Содержание слайда: Полевая ионная микроскопия

Содержание слайда: Просвечивающая электронная микроскопия (TEM – transmission electron microscopy)

Содержание слайда: Отражательная электронная микроскопия

Содержание слайда: Микроскопия медленных электронов

Содержание слайда: Сканирующая электронная микроскопия (SEM – scanning electron microscopy)

Содержание слайда: Зондовая микроскопия

Содержание слайда: Сканирующая туннельная микроскопия

Содержание слайда:

Содержание слайда: Атомно-силовая микроскопия

Содержание слайда: Режимы работы АСМ 1) Контактный режим. Расстояние от иглы до образца порядка нескольких ангстрем, т.е. игла находится в мягком физическом контакте с образцом и подвержена действию сил отталкивания. Кантилевер должен быть очень гибким. Взаимодействие между иглой и образцом заставит кантилевер изгибаться, повторяя топографию поверхности. 2) Бесконтактный режим. Расстояние от иглы до образца порядка 10 - 100 Å, т.е. на кантилевер действуют силы притяжения. В этом режиме жесткий кантилевер заставляют колебаться вблизи его резонансной частоты (обычно порядка 100 – 400 кГц, типичные амплитуды порядка 10Å). Из-за взаимодействия с образцом резонансная частота кантилевера меняется. 3) Полуконтактный режим. Аналогичен бесконтактному режиму, отличие: игла кантилевера в нижней точке своих колебаний слегка касается поверхности образца. Полуконтактный режим не обеспечивает атомарного разрешения, но применяется для получения изображений шероховатых поверхностей с высоким рельефом.

Содержание слайда: Атомно-силовая микроскопия

Содержание слайда:

Содержание слайда: Спасибо за внимание!