Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
38 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
3.75 MB
Просмотров:
120
Скачиваний:
7
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![СЭС](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img0.jpg)
№2 слайд![Технологии получения](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img1.jpg)
Содержание слайда: Технологии получения электрической энергии за счет солнечной энергии:
1. Посредством промежуточного теплового процесса – с помощью термодинамических солнечных станций
2. Напрямую — с помощью фотоэлектрических преобразователей.
№3 слайд![По способу производства тепла](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img2.jpg)
Содержание слайда: По способу производства тепла
По способу производства тепла
термодинамические СЭС используют:
- солнечные концентраторы;
- солнечные пруды.
Основные способы концентрации СЭ на теплоприемник:
рассредоточенные теплоприемники: тарельчатые СЭС и СЭС с параболоцилиндрическими концентраторами;
центральный теплоприемник – башенные СЭС
№4 слайд![Упрощенная технологическая](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img3.jpg)
Содержание слайда: Упрощенная технологическая схема башенной солнечной электростанции
2) с аккумулирующей системой
№5 слайд![Особенности использования](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img4.jpg)
Содержание слайда: Особенности использования концентраторов:
Концентраторы необходимо непрерывно ориентировать на Солнце (системы слежения: одноосные, двухосные)
Высокая стоимость конструкции.
Необходима постоянная очистка поверхности.
Способны нагревать теплоноситель до высоких температур.
№6 слайд![](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img5.jpg)
№7 слайд![Характеристики солнечных](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img6.jpg)
Содержание слайда: Характеристики солнечных тепловых электростанций
№8 слайд![Основные недостатки](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img7.jpg)
Содержание слайда: Основные недостатки термодинамических СЭС с концентраторами
высокая стоимость конструкции;
необходимость постоянной очистки отражающих поверхностей от пыли;
работа только в светлое время суток, а следовательно, потребность в аккумулирующих системах;
большие энергозатраты на привод системы слежения за ходом Солнца.
№9 слайд![](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img8.jpg)
№10 слайд![Структура солнечного элемента](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img9.jpg)
Содержание слайда: Структура солнечного элемента
№11 слайд![Ширина запрещенной зоны S для](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img10.jpg)
Содержание слайда: Ширина запрещенной зоны S для различных полупроводниковых элементов
№12 слайд![](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img11.jpg)
№13 слайд![Полоса поглощения и](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img12.jpg)
Содержание слайда: Полоса поглощения и эффективность СЭ
Полоса поглощения характеризует предельную энергию фотонов света, которая используется для получения фототока.
Полоса поглощения СЭ зависит:
от основного материала СЭ;
количества и толщины слоев полупроводника;
их расположения по отношению к падающему СИ;
лигирующих материалов и т.д.
№14 слайд![Электрическая схема замещения](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img13.jpg)
Содержание слайда: Электрическая схема замещения СЭ
№15 слайд![Вольт-амперная характеристика](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img14.jpg)
Содержание слайда: Вольт-амперная характеристика СЭ
№16 слайд![Энергетические характеристики](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img15.jpg)
Содержание слайда: Энергетические характеристики СЭ
№17 слайд![Основные влияющие факторы на](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img16.jpg)
Содержание слайда: Основные влияющие факторы на эффективность СЭ:
№18 слайд![Влияние интенсивности СИ на](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img17.jpg)
Содержание слайда: Влияние интенсивности СИ на энергетические характеристики СЭ при t0С=const
№19 слайд![max СЭ из разных материалов](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img18.jpg)
Содержание слайда: max СЭ из разных
материалов при изменении T0C
№20 слайд![Классификация технологий СЭ](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img19.jpg)
Содержание слайда: Классификация технологий СЭ
№21 слайд![Изменения доли технологий и](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img20.jpg)
Содержание слайда: Изменения «доли» технологий 1 и 2 поколения различных типов ФЭП и прогноз до 2020 г
[Historical data (until2009) based onNavigant Consulting based on EPIA analysis]
№22 слайд![КПД разных солнечных](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img21.jpg)
Содержание слайда: КПД разных солнечных элементов, полученные в лабораторных условиях
[Joar Johansaon. Modelling and simulation of CIGS solar cell modules.Master thesis. 2007]
№23 слайд![ФЭП первого поколения Более](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img22.jpg)
Содержание слайда: ФЭП первого поколения
Более 80% СЭ, изготавливаемых по всему миру состоят из полупроводникового материала кремния (Si)
№24 слайд![](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img23.jpg)
№25 слайд![Сравнение разных технологий](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img24.jpg)
Содержание слайда: Сравнение разных технологий использования полупроводникового материала кремния
№26 слайд![Повышение КПД кремниевых](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img25.jpg)
Содержание слайда: Повышение КПД кремниевых фотоэлементов возможно за счет:
- концентраций легирующих добавок с обеих сторон p-n соединения;
- чистоты полупроводника (до 99,99%);
- пассивация поверхности, улавливание света;
- контакты, занимающие меньше освещаемой площади;
- сложные антиотражающие покрытия.
№27 слайд![Преимущества и недостатки СЭ](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img26.jpg)
Содержание слайда: Преимущества и недостатки СЭ из арсенида галлия (GaAs)
GaAs популярен для космических применений
Преимущества:
высокий уровень светопоглощения;
Выше КПД, чем у кристаллического кремния (около 25 – 30 %)
высокая жаропрочность делает его лучшим для концентраторных систем, в которых температура ФЭП очень высокая.
Основной недостаток
Дорогая монокристаллическая подложка, на которой GaAs растет (Используется в концентраторных системах, где необходима лишь малая часть GaAs).
№28 слайд![ФЭП второго поколения на](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img27.jpg)
Содержание слайда: ФЭП второго поколения на основе тонких пленок
Технология: слой полупроводникового материала нанесен на дешевый вспомогательный слой (стекло, металл, полимерная пленка).
№29 слайд![Сравнение материалов СЭ на](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img28.jpg)
Содержание слайда: Сравнение материалов СЭ на основе тонких пленок
№30 слайд![Случаи, когда применение](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img29.jpg)
Содержание слайда: Случаи, когда применение фотоэлектрических преобразователей на основе тонкопленочных солнечных элементов обосновано:
В регионах, где преобладает пасмурная погода.
Модули, выполненные по тонкопленочной технологии, лучше поглощают рассеянный свет.
В странах с жарким климатом.
При высокой температуре тонкопленочные солнечные батареи показывают большую эффективность.
Есть необходимость монтирования панелей в здание либо требуется их использование в качестве дизайнерских задумок или конструкторских решений, например, для отделки фасада.
Потребность в модулях с частичной прозрачностью до 20%.
№31 слайд![Слой фотоэлемента наносится](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img30.jpg)
Содержание слайда: Слой фотоэлемента наносится на поверхность стеклянной трубки, которая помещается в еще одну такую же трубку с электрическими контактами.
Слой фотоэлемента наносится на поверхность стеклянной трубки, которая помещается в еще одну такую же трубку с электрическими контактами.
В качестве полупроводников для элементов используют медь, галлий, селен и индий.
№32 слайд![ФЭП третьего поколения на](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img31.jpg)
Содержание слайда: ФЭП третьего поколения на основе полимеров
В настоящее время основная часть проектов в области ФЭП третьего поколения находится в стадии исследования.
Полимерные ФЭП имеют на сегодняшний день КПД всего 5-6%.
В качестве светопоглощающих материалов используются органические полупроводники:
полифенилен,
углеродные фуллерены,
фталоцианин меди и другие.
Толщина пленок составляет 100 нм.
Главные достоинства фотоэлементов из полимеров:
Низкая стоимость производства.
Легкость и доступность.
Отсутствие вредного воздействия на окружающую среду.
Применяются полимерные батареи в областях, где наибольшее значение имеет механическая эластичность и экологичность утилизации.
№33 слайд![Многослойные каскадные СЭ](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img32.jpg)
Содержание слайда: Многослойные (каскадные) СЭ
Трехпереходные и четырехпереходные СЭ
Рекордное КПД около 45%
(компания Sharp)
№34 слайд![](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img33.jpg)
№35 слайд![Качество солнечных элементов](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img34.jpg)
Содержание слайда: Качество солнечных элементов
Категория A
первая категория качества не допускает никаких, даже самых незначительных дефектов.
Категория B
вторая категория качества, элементы данной категории всегда имеют визуальные внешние дефекты (разные цвета и оттенки элементов, пятна на элементах).
Категория C
элементы считаются непригодными для использования в солнечных модулях , имеют сколы, микротрещины, визуальные внешние дефекты, аналогичные категории В.
№36 слайд![Контроль качества солнечных](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img35.jpg)
Содержание слайда: Контроль качества солнечных элементов
Контроль качества солнечных элементов осуществляется:
по визуальному контролю;
тестированию на деградацию солнечных элементов.
Методика тестирования (PID test) на деградацию:
http://www.pi-berlin.com/images/pdf/investorsday/2011/6-PID-Tests.pdf).
Тест проводится в течение 48 часов при температуре 85 градусов, влажности 85 % и потенциале солнечных элементов относительно заземленной рамы солнечной панели, равным 1000 Вольт.
Результаты теста старения:
категория A —снижение мощности элементов составляет не более 5%, т.е. элементы продолжают выдавать более 95% от своего номинала;
категория B —снижение мощности элементов составляет не более 30%, т.е. элементы продолжают выдавать более 70% от своего номинала;
категория C —снижение мощности элементов составляет более 30%, т.е. элементы продолжают выдавать менее 70% от своего номинала.
№37 слайд![](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img36.jpg)
№38 слайд![Основные пути развития](/documents_6/dfbc71c9cc7c7b174fc0a0ac30b6a868/img37.jpg)
Содержание слайда: Основные пути развития технологий СЭ:
- снижении стоимости кремниевых СФЭУ ;
- внедрение тонкопленочных СФЭУ;
повышение КПД СФЭУ;
интеграция СФЭУ в строящиеся здания.