Презентация Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 19 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:19 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:2.06 MB
- Просмотров:56
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Министерство образования и науки Российской Федерации
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
ИНСТИТУТ ЛАЗЕРНЫХ И ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Тема выпускной работы: Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe
Студент-дипломник: Дашевская А.А.
Руководитель проекта: д.ф.-м.н.профессор Ананьин О.Б.
№2 слайд
Содержание слайда: Цель работы
изучение методом масс-спектрометрии влияния МРИ на элементный состав приповерхностных слоев полупроводника.
№3 слайд
Содержание слайда: Фотографии источников МРИ:
а – Источник МРИ - 1, б – источник МРИ-2
№4 слайд
Содержание слайда: Источник МРИ - 1
№5 слайд
Содержание слайда: Примерный вид спектра рентгеновского излучения вакуумной искры
№6 слайд
Содержание слайда: Преобразование источника для проведения эксперимента
№7 слайд
Содержание слайда: Схема масс-спектрометра
№8 слайд
Содержание слайда: Типовой масс-спектр образца CdHgTe
№9 слайд
Содержание слайда: Работа в Mathcad 2000
№10 слайд
Содержание слайда: Результаты измерения облученных и необлученных образцов CdHgTe
№11 слайд
Содержание слайда: Схема источника МРИ-2
№12 слайд
Содержание слайда: Спектр излучения на входе и выходе рентгеновского концентратора
№13 слайд
Содержание слайда: Процесс облучения и получение масс-спектров
№14 слайд
Содержание слайда: Образец CdHgTe размещенный на насадке для масс-спектрального анализа
№15 слайд
Содержание слайда: Типовой масс-спектр
№16 слайд
Содержание слайда: Результат обработки масс-спектров облученных и необлученных областей
№17 слайд
Содержание слайда:
№18 слайд
Содержание слайда: Выводы
Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ вакуумно-искрового разряда
На источнике МРИ - 1 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Освоена методика работы на времяпролетном масс-спектрометре
Разработаны и апробированы методики облучения полупроводника интенсивным МРИ лазерно-плазменного источника
На источнике МРИ - 2 облучены изучаемые образцы, количественно определен элементный состав приповерхностных слоев
Сделано предположение о механизме выхода ионов Hg с поверхности образца CdHgTe после облучения источником МРИ -1. Механизм изменения приповерхностного состава CdHgTe после облучения источником МРИ -2 на данный момент не понятен и требуется повторение данных экспериментов
№19 слайд
Содержание слайда: Спасибо за внимание
Скачать все slide презентации Влияние облучения мягким рентгеновским излучением на элементный приповерхностный состав полупроводника CdHgTe одним архивом:
