Презентация Базовые логические элементы цифровых микросхем онлайн

Содержание слайда: Базовые логические элементы цифровых микросхем

Содержание слайда: Цифровые интегральные микросхемы предназначены для обработки и хранения информации, представленной в виде двоичных чисел.

Содержание слайда: Основой элементов микросхем служит –p-n переход, который можно формировать различными методами нанотехнологий в микрообластях кристалла. Основой элементов микросхем служит –p-n переход, который можно формировать различными методами нанотехнологий в микрообластях кристалла.

Содержание слайда: Запертый обратным постоянным напряжением p − n -переход выполняет роль конденсатора; Запертый обратным постоянным напряжением p − n -переход выполняет роль конденсатора; обратное сопротивление p − n -перехода играет роль высокоомного резистора; в качестве небольших сопротивлений используют просто участки слаболегированного кристалла кремния, от которых делают контактные выводы.

Содержание слайда: Выпускаются ИМС сериями. Основой каждой серии цифровых микросхем является базовый логический элемент, на котором могут быть собраны устройства, выполняющие любые логические операции. Выпускаются ИМС сериями. Основой каждой серии цифровых микросхем является базовый логический элемент, на котором могут быть собраны устройства, выполняющие любые логические операции. Обычно в качестве базовых берут элементы, выполняющие операции И–НЕ или ИЛИ–НЕ.

Содержание слайда: Базовый элемент транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)

Содержание слайда: Если хотя бы на один вход (или на все входы) VT1 будет подан сигнал логического нуля U0вх, то ток, текyщий по Rб, замкнeтся через откpытый эмиттерный переход VT1. Пpи этoм входной ток VT2 будет близoк к нулю, и выходной транзистоp окажется запеpтым, т. е. Y=U1вых. Если хотя бы на один вход (или на все входы) VT1 будет подан сигнал логического нуля U0вх, то ток, текyщий по Rб, замкнeтся через откpытый эмиттерный переход VT1. Пpи этoм входной ток VT2 будет близoк к нулю, и выходной транзистоp окажется запеpтым, т. е. Y=U1вых.

Содержание слайда: К155ЛА3

Содержание слайда: Базовый элемент на КМДП структурах Для реализации функции И–НЕ используется параллельное включение транзисторов p–типа и последовательное (каскадное) включение транзисторов n-типа. При этом каждый входной сигнал подаётся на пару транзисторов с каналами различной проводимости.

Содержание слайда: Переменная x1 поступает на транзисторы VT1 и VT3, X2 на VT2 и VT4. Переменная x1 поступает на транзисторы VT1 и VT3, X2 на VT2 и VT4. При поступлении на все входы логической единицы закроются все транзисторы p-типа (VT1, VT2) и откроются транзисторы с каналами n–типа (VT3, VT4).

Содержание слайда: В результате выход элемента соединится с общим проводом, и выходное напряжение буден низкого уровня В результате выход элемента соединится с общим проводом, и выходное напряжение буден низкого уровня

Содержание слайда: Если же напряжение хотя бы на одном из выходов, например x1, останется низкого уровня, то закроется n-канальный транзистор VT3 и откроется p-канальный транзистор VT1, через который выход элемента подключится к источнику питания. Таким образом, на выходе будет напряжение высокого уровня, соответствующее логической единице. Если же напряжение хотя бы на одном из выходов, например x1, останется низкого уровня, то закроется n-канальный транзистор VT3 и откроется p-канальный транзистор VT1, через который выход элемента подключится к источнику питания. Таким образом, на выходе будет напряжение высокого уровня, соответствующее логической единице.

Содержание слайда: