Презентация Электроника. Основные требования к электронным приборам онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Электроника. Основные требования к электронным приборам абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 127 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Технология » Электроника. Основные требования к электронным приборам

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

127 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

2.93 MB
Просмотров:

140
Скачиваний:

0
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда:

№2 слайд

Содержание слайда: Требования к уровню освоения содержания дисциплины и формы промежуточного и итогового контроля

№3 слайд

Содержание слайда: Рекомендуемая литература Основная литература

№4 слайд

Содержание слайда: Рекомендуемая литература Дополнительная литература

№5 слайд

Содержание слайда: Электроника – область науки и техники, которая изучает физические процессы, протекающие при движении заряженных частиц в вакууме, газе, жидкости и твердом теле, а также занимается вопросами теории производства и применения приборов, основанных на этих процессах. Электронные приборы – это устройства, через которые протекает электрический ток и в которых возможно управление током за счет изменения концентрации подвижных носителей при движении между электродами. Основные принципы действия электронных приборов: 1. Формирование потока заряженных частиц. 2. Управление потоком с помощью электрических и (или) магнитных полей. 3. Отбор энергии от потока заряженных частиц в выходном устройстве.

№6 слайд

Содержание слайда: Классификация электронных приборов По применению (назначению): Генераторные, усилительные, выпрямительные и др. По мощности: малой, средней, высокой По частоте (диапазону частот, длине волны) λ = ct = c/ƒ НЧ СЧ ВЧ СВЧ Инфракрасное излучение <0,4 мм По роду среды: электровакуумные, газоразрядные, жидкостные, твердотельные

№7 слайд

Содержание слайда: Основные требования к электронным приборам 1. Главные параметры должны иметь определенные номинальные значения (с заданными допусками). 2.Надежность (безотказность, долговечность, ремонтопригодность). 3. Стойкость к различным воздействиям и стабильность параметров (термостабильность, влагостойкость, стойкость к повышенному давлению и радиации, ударостойкость, вибростойкость и т.п.). 4. Требования к электрическим свойствам: должны работать в нужном диапазоне частот и обладать необходимым быстродействием, минимальной потребляемой энергией, электрической прочностью. 5. Минимальные размеры и масса (микроминиатюризация), технологичность, стоимость.

№8 слайд

Содержание слайда: Надежность. Количественная оценка Интенсивность отказов n – число однотипных элементов, отказавших в течение промежутка времени t , N – число работоспособных элементов в начале этого промежутка времени.

№9 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№10 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№11 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№12 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№13 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Диэлектрики: ΔW > 6 эВ Полупроводники: 0,1 эВ < ΔW < 3 эВ. Пример: Ge: ΔW =0,72 эВ, Si: ΔW =1,12 эВ, GaAs: ΔW =1,43 эВ.

№14 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория) Полупроводники: между атомами молекулы ковалентные связи, образующиеся за счет обобществления валентных электронов соседних атомов.

№15 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№16 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№17 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№18 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№19 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№20 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№21 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№22 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№23 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№24 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№25 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№26 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№27 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№28 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№29 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№30 слайд

Содержание слайда: Основные положения теории электропроводности твёрдых тел (зонная теория)

№31 слайд

Содержание слайда: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Электрический переход – это граничный слой между двумя областями, физические характеристики которых существенно отличаются. Переходы между двумя областями полупроводника с различным типом электропроводности называют электронно-дырочными или p-n-переходами. Переходы между двумя областями с одним типом электропроводности, отличающиеся концентрацией примесей (и следовательно удельной проводимостью), называют электронно-электронными (n+-n-переход) или дырочно-дырочными (p+-p-переход), Переходы между двумя полупроводниковыми материалами, имеющими различную ширину запрещенной зоны, называют гетеропереходами. Если одна из областей, образующих переход, является металлом, то такой переход называют переходом металл — полупроводник.

№32 слайд

Содержание слайда: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ

№33 слайд

Содержание слайда: ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ

№34 слайд

Содержание слайда: ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОТСУТСТВИИ ВНЕШНЕГО НАПРЯЖЕНИЯ

№35 слайд

Содержание слайда: ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ПРЯМОМ НАПРЯЖЕНИИ

№36 слайд

Содержание слайда: ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ПРИ ОБРАТНОМ НАПРЯЖЕНИИ

№37 слайд

Содержание слайда: ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК

№38 слайд

Содержание слайда: ПРОБОЙ p-n ПЕРЕХОДА

№39 слайд

Содержание слайда: ЕМКОСТИ p-n ПЕРЕХОДА Емкость p-n-перехода подразделяют на две составляющие: барьерную, отражающую перераспределение зарядов в p-n-переходе, и диффузионную, отражающую перераспределение зарядов вблизи p-n-перехода. С6ар для резкого перехода можно определить из приближенного выражения где S, d0—площадь и толщина p-n-перехода при U = 0.

№40 слайд

Содержание слайда: ЕМКОСТИ p-n ПЕРЕХОДА

№41 слайд

Содержание слайда: ЕМКОСТИ p-n ПЕРЕХОДА При подключении к p-n-переходу прямого напряжения емкость p-n-перехода определяется в основном диффузионной составляющей емкости, которая зависит от значения прямого тока I и времени жизни неосновных носителей τP : При обратном смещении перехода диффузионная емкость отсутствует.

№42 слайд

Содержание слайда: ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА p-n ПЕРЕХОДА

№43 слайд

Содержание слайда: ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА p-n ПЕРЕХОДА

№44 слайд

Содержание слайда: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Подробно см. Методичка 5189 (теретическая часть л.р.) и др. рекомендуемая литература

№45 слайд

Содержание слайда: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

№46 слайд

Содержание слайда: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Эквивалентная схема диода

№47 слайд

Содержание слайда: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Выпрямительные диоды, стабилитроны, варикапы и др. типы диодов см. лит.

№48 слайд

Содержание слайда: БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ см. методичка 5189 (теор. часть) и др. лит-ра .

№49 слайд