Презентация Электроприборы будущего. Smart технологии онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Электроприборы будущего. Smart технологии абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 11 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Технология » Электроприборы будущего. Smart технологии
Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:11 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:1.08 MB
- Просмотров:120
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№2 слайд
![Силовые полупроводниковые](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img1.jpg)
Содержание слайда: Силовые полупроводниковые приборы
Силовая электроника — область электроники, связанная с преобразованием электрической энергии, управлением ей или её переключением без управления (включением и отключением).
В случае с силовой техникой в первую очередь ставится задача уменьшения потери энергии при передаче.
№3 слайд
![Основные классы СПП Диод -](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img2.jpg)
Содержание слайда: Основные классы СПП
Диод - это полупроводниковый прибор, пропускающий ток только в одном направлении – от анода к катоду.
Тиристор -это полупроводниковый прибор, работающий в двух устойчивых состояниях – низкой проводимости (тиристор закрыт) и высокой проводимости (тиристор открыт).
Симистор (Тиристор симметричный)-проводит ток в обоих направлениях.
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, падение напряжения на котором мало зависит от протекающего тока.
Транзистор - это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей.
№4 слайд
![Силовые полевые транзисторы](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img3.jpg)
Содержание слайда: Силовые полевые транзисторы
Транзистор – электронный прибор на базе полупроводникового кристалла, обладающий тремя или более выводами, необходимый для преобразования и генерирования электрических колебаний. Изобретен в 1948 г. Дж. Бардиным, У. Браттейном и У. Шокли. Транзисторы образуют два главных крупных класса: униполярные транзисторы и биполярные транзисторы.
В транзисторе есть 3 области с различной проводимостью: электронной (n) и дырочной (р). В зависимости от порядка их чередования выделяют транзисторы n-р-n-типа и р-n-р-типа.
С изобретением транзисторов наступил период минимизации размеров радиоэлектронной аппаратуры на основе достижений быстро развивающейся полупроводниковой электроники.
Транзисторы могут работать при низких напряжениях источников питания, потребляя в этом случае токи в несколько микроампер. Мощные транзисторы работают при напряжениях, достигающих 10—30 В, и токах до нескольких десятков ампер, отдавая мощность до 100 Вт.
№5 слайд
![Основные классы транзисторов](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img4.jpg)
Содержание слайда: Основные классы транзисторов (по принципу действия)
биполярные транзисторы,
полевые транзисторы, среди которых наибольшее распространение получили транзисторы типа металл-оксид-полупроводник (МОП) (MOSFET - metal oxide semiconductor field effect transistor),
полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом или транзисторы со статической индукцией (СИТ) (SIT - static induction transistor),
биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) (IGBT - insulated gate bipolar transistor).
№6 слайд
![Развитие транзисторов нового](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img5.jpg)
Содержание слайда: Развитие транзисторов
нового поколения полупроводниковых модулей на базе IGBT-структур (биполярные транзисторы с изолированным затвором) на токи до 1600 А, напряжение 1200 В;
полупроводниковых ключевых приборов с полевым управлением на основе СИ-транзисторов (транзисторов со статической индукцией) и МОП-транзисторов (полевых транзисторов) с комплексом параметров, не уступающих IGBT.
№7 слайд
![Тиристоры В г. были созданы](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img6.jpg)
Содержание слайда: Тиристоры
В 1962 г. были созданы первые отечественные силовые тиристоры, называемые тогда управляемыми вентилями (например, ВКДУ-150 — вентиль кремниевый диффузионный управляемый на ток 150 А).
Конструктивно тиристор имеет три или более p-n – переходов и три вывода.
Во включенном состоянии тиристор подобен замкнутому ключу, а в выключенном – разомкнутому ключу.
Кроме анода и катода, в конструкции тиристора предусмотрен третий вывод (электрод), который называется управляющим. Тиристор без управляющего электрода называется динистором.
Тиристор предназначен для бесконтактной коммутации электрических цепей.
№8 слайд
![Развитие тиристоров Повышение](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img7.jpg)
Содержание слайда: Развитие тиристоров
Повышение параметров СПП для тиристоров токов 2500 А при 4400 В и 3500 А при 1000 В, для быстродействующих тиристоров — 2000 А при 2400 В и времени выключения 25–63 мкс и 3000 А при 800 В и времени выключения 8–25 мкс.
В последние годы специалисты силового полупроводникового приборостроения работают над созданием следующих СПП:
быстродействующих тиристоров с повторяющимся напряжением 2500 В на токи 100–1600 А и временем выключения до 16 мкс;
тиристоров на токи 160–200 А, напряжения 500–700 В с временем выключения 1–2 мкс;
быстродействующих тиристоров с повторяющимся напряжением 1400 В, работающих при повышенной рабочей температуре до 140–150 °С. Такие тиристоры позволят перевооружить электрифицированный транспорт, решить многие задачи топливно-энергетических отраслей;
запираемых тиристоров на импульсный ток до 1250 А, напряжение до 6000 В и запираемых тиристоров с полевым управлением на ток до 250 А, напряжение до 1200 В.
№9 слайд
![Полупроводниковые диоды Это](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img8.jpg)
Содержание слайда: Полупроводниковые диоды
Это полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами, работа которого основана на свойствах p-n - перехода.
Основным свойством p-n – перехода является односторонняя проводимость – ток протекает только в одну сторону (от анода к катоду).
В 50-е годы появились первые маломощные полупроводниковые диоды на базе германия и кремния .
С начала 60-х годов выполнялись исследования и разработки силовых приборов на основе монокристаллического кремния.
В конце 50-х годов в лабораториях ВЭИ были созданы первые отечественные кремниевые вентили на токи 200 А (ВК-200). Основные функциональные элементы — p-n-переходы формировались методом сплавления алюминиевой фольги с кремниевыми дисками диаметром 25 мм.
В 1961 г. были разработаны вентили серии ВКД (вентили кремниевые диффузионные) на 200 А (диаметр кремниевого диска 25 мм) на напряжения около 1000 В. Это уже позволило комплектовать ими выпрямители электровозов и мотор-вагонные секции электропоездов для эксплуатации на участках железных дорог, питаемых переменным напряжением около 25 кВ.
№10 слайд
![Развитие диодов В](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img9.jpg)
Содержание слайда: Развитие диодов
В схемотехнике силовых полупроводниковых схем сложились типовые узлы, которые служат «строительным материалом» для создания практически любых силовых электронных устройств. Эти типовые узлы выпускаются в виде силовых интегральных модулей, использование которых облегчает задачу инженеров-разработчиков, упрощает монтаж и повышает надежность преобразователей. Получили распространение диодно-диодные модули с последовательным соединением (полумостовые схемы); диодно-тиристорные модули и тиристорно-тиристорные модули (полумостовые управляемые и полууправляемые схемы); диодные и тиристорные группы из трех вентилей с общим анодом (катодом); однофазные и трехфазные мостовые структуры. Силовые модули имеют различное конструктивное решение. Существуют потенциальные и беспотенциальные исполнения; в первых активные элементы соединены с металлическим основанием, во вторых они электрически изолированы керамическими прокладками.
Следующим важным новшеством, упрощающим разработку преобразовательных устройств, стала унификация средств сопряжения силовых полупроводниковых вентилей (силовых ключей) с цепями управления.
№11 слайд
![Следующим шагом в развитии](/documents_6/ad12defd9a59d92861ccfbbb1c0d76cd/img10.jpg)
Содержание слайда: Следующим шагом в развитии элементной базы силовой электроники стали так называемые интеллектуальные (разумные) силовые модули.
Следующим шагом в развитии элементной базы силовой электроники стали так называемые интеллектуальные (разумные) силовые модули.
Интеллектуальный силовой модуль представляет собой сложную интегральную силовую схему (размер корпуса соизмерим с размером калькулятора). Интеллектуальные модули комплектуются в силовой части биполярными транзисторами, транзисторами с полевым управлением, быстродействующими триристорами.
В последние годы активно разрабатываются узлы силовой электроники для источников бесперебойного электропитания; локальных систем регулируемого электропривода (например, частотно-регулируемый асинхронный привод насосов, вентиляторов); корректоров коэффициента мощности для компенсации влияния реактивных и нелинейных нагрузок; преобразователей для источников возобновляемой энергии (солнце, ветер и пр.), а также для утилизации вторичных энергоресурсов; преобразователей для нового вида приводов Switched Reluctance Drive — вентильно-индукторного привода (SRD — ВИП).
Ведущими зарубежными фирмами в области силовой электроники, в частности силовых модулей последних поколений, являются «Motorola» (США), «Siemens» (Германия), «Mitsubishi» (Япония), «Semikron» (Германия), IR («International Rectifier», США).
Скачать все slide презентации Электроприборы будущего. Smart технологии одним архивом:
Похожие презентации
-
«Чистый воздух» - экологическая технология будущего для муниципальных производителей тепло- и электроэнергии
-
Активный дом – технология будущего
-
Современные информационные технологии : Взгляд в будущее
-
Урок по технологии 1 класс. Лепка из пластилина. Яркая гусеница. Презентация
-
Скачать презентацию Технология изготовления изделий, вязанных крючком и спицами
-
Скачать презентацию Технология изготовления изделий из текстильных и нетканых материалов ручным способом
-
Скачать презентацию Перспективные направления развития современных технологий (10 класс)
-
Скачать презентацию Моё портфолио по технологии
-
Скачать презентацию Введение в технологии продуктов питания
-
Скачать презентацию Творческий проект по технологии