Презентация Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 7 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Технология » Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы



Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
  • Тип файла:
    ppt / pptx (powerpoint)
  • Всего слайдов:
    7 слайдов
  • Для класса:
    1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
  • Размер файла:
    249.49 kB
  • Просмотров:
    80
  • Скачиваний:
    0
  • Автор:
    неизвестен



Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд
Методы создания p-n-переходов
Содержание слайда: Методы создания p-n-переходов

№2 слайд
Точечные переходы
Содержание слайда: Точечные переходы

№3 слайд
Сплавные переходы
Содержание слайда: Сплавные переходы

№4 слайд
Фотолитография
Содержание слайда: Фотолитография

№5 слайд
Диффузионные переходы
Содержание слайда: Диффузионные переходы

№6 слайд
Эпитаксиальные переходы
Содержание слайда: Эпитаксиальные переходы

№7 слайд
Ионное легирование Ионное
Содержание слайда: Ионное легирование Ионное легирование (имплантация) - способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ). Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов. Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твердости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.).

Скачать все slide презентации Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы одним архивом: