Презентация Общая характеристика электронных устройств и интегральных микросхем (ИМС) онлайн

Содержание слайда: Общая характеристика электронных устройств и интегральных микросхем (ИМС)

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Маркировка ИМС

Содержание слайда: Рис.8.1. Основные направления развития твердотельной электроники Центральной задачей микроэлектроники является проблема создания максимально надежных элементов, схем и устройств и разработка надежных и дешевых способов их соединения путем использования качественно новых принципов изготовления электронной аппаратуры. К числу этих принципов относится отказ от использования дискретных компонентов и формирование непосредственно в микрообъемах исходных материалов сложных интегральных микросхем. Термин "схема" в приведенном словосочетании приобрел смысл устройства, объекта, а не условного обозначения устройства вместе с условными обозначениями входящих в него элементов, какой придавали ему на более ранних этапах развития электротехники и электроники. Термин "интегральная" отмечает факт объединения – интеграции – группы радиоэлементов в одном неразделимом на составные части изделии. Микроэлектроника является новой отраслью электронной техники, и поэтому вопросы терминологии приобретают особое значение. Познакомимся с основными терминами микроэлектроники, принятыми в нашей стране. Микросхема – микроэлектронное изделие, которое имеет эквивалентную плотность монтажа не менее пяти элементов в 1 см3 объема, занимаемого схемой, и рассматривается как единое конструктивное целое. Интегральная микросхема (ИС) – микросхема, все или часть элементов которой нераздельно связаны и электрически соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое. Примечание. Указанные элементы не имеют внешних выводов, корпуса и не могут рассматриваться как отдельные изделия. Полупроводниковая интегральная микросхема – интегральная микросхема, элементы которой выполнимы в объеме или на поверхности полупроводникового материала. Пленочная интегральная микросхема – интегральная микросхема, элементы которой выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала. Тонкопленочная интегральная микросхема – пленочная интегральная микросхема с толщиной пленок до 1∙10-6 м. Толстопленочная интегральная микросхема – пленочная интегральная микросхема с толщиной пленок свыше 1∙10-6 м. Гибридная интегральная микросхема – интегральная микросхема, часть элементов которой имеет самостоятельное конструктивное оформление. Микросборка – микросхема, состоящая из различных элементов и (или) интегральных микросхем, которые имеют отдельное конструктивное оформление и могут быть испытаны до сборки и монтажа. Примечание. Элементы микросборки имеют внешние выводы, могут иметь корпусы рассматриваться как отдельные изделия. Подложка интегральной микросхемы – основание, на поверхности или в объеме которого формируются элементы интегральных микросхем. Базовый кристалл – подложка из полупроводникового материала с определенным набором сформированных в ней и не соединенных между собой элементов, используемая для создания интегральных микросхем путем изготовления избирательных внутрисхемных соединений. Элемент интегральной микросхемы – часть интегральной микросхемы, выполняющая функции какого-либо радиоэлемента. Примечание. Под радиоэлементом понимают транзистор, резистор, диод и др. Корпус интегральной микросхемы – часть интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для монтажа в аппаратуре с помощью соответствующих выводов. В настоящее время наиболее развита полупроводниковая микроэлектроника. Полупроводниковые ИС различают по степени их интеграции, т.е. по числу электрических элементов в одной ИС, прибавляют к аббревиатуре ИС дополнительный цифровой символ: ИС-1 – число элементов до 10; ИС-2 – от 10 до 100; ИС-3 – от 100 до 1000; ИС-4 – от 1000 до 10000 и т.д. При этом ИС-1 и ИС-2 называют малыми, ИС-3 – средними, ИС-4 и выше – большими (БИС). На подложке сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) размещается приблизительно 106 элементов. На смену СБИС, относящимся к интегральным схемам четвертого поколения, приходит пятое поколение – так называемые УБИС (ультрабольшие интегральные схемы), содержащие на одной подложке до нескольких миллионов активных элементов. В настоящее время ежегодно полупроводниковые ИС выпускаются разными фирмами в количествах исчисляемых миллионами штук.