Презентация Организационно-технологические основы производства изделий микро- и наноэлектроники онлайн

Содержание слайда: Технология интегральных микросхем Козлов Антон Викторович К.т.н., доцент каф.ИЭМС

Содержание слайда: Компетенции/подкомпетенции, формируемые в дисциплине (ПК-3): способность обосновывать принимаемые проектные решения, осуществлять постановку и выполнять эксперименты по проверке их корректности и эффективности (ПК-3.36): способность использовать знания в области технологии производства микроэлектронной аппаратуры, а также навыков разработки технологических процессов изготовления МЭА.

Содержание слайда: ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ

Содержание слайда: Учебная нагрузка по ТИМС Лекции – в ауд.4204; Лаб. работы – допуск в ауд.4201 (выполнение в ауд. 7217 и 7219); Сам. работа (подготовка и защита лабораторных работ, подготовка и выполнение тестов в ОРОКС, подготовка и выполнение контрольных работ, подготовка и публичная защита реферата на тему по варианту).

Содержание слайда: Разделы дисциплины 1. Введение в предмет курса. Организационно-технологические основы производства изделий микро- и наноэлектроники; 2. Основы поверхностной обработки полупроводниковых материалов. Кристаллическая структура кремния. Химическая обработка подложек кремния: очистка в растворителях, травление. Химическое анизатропное травление. Контроль чистоты поверхности подложек; 3. Основные понятия процесса окисления кремния. Структура окисла кремния. Кинетика роста окисла кремния при высокой температуре (модель Дила - Гроува). Факторы, влияющие на скорость окисления кремния (температура, давление окислителя и другие). Оборудование для окисления кремния. Методы контроля параметров диэлектрических слоев; 4. Диффузия примесей в кремний. Механизмы диффузии. Коэффициент диффузии. Распределения примесей при диффузии. Источники примесей. Оборудование для процесса диффузии. Методы измерения глубины легированного слоя, его проводимости и распределения примеси; 5. Ионное легирование полупроводников. Основные параметры процесса. Взаимодействие внедряемых ионов с материалом подложки. Распределение примеси. Образование дефектов и методы их устранения. Оборудование для ионной имплантации; 6. Оптическая литография: контактная, проекционная. Свойства фоторезистов, критерии их оценки. Основные операции процесса фотолитографии. Производство фотошаблонов. Дефекты при фотолитографии, методы их устранения. Электронная и рентгеновская литографии. Перспективы развития процесса; 7. Основные понятия и механизмы плазменного травления. Классификация процессов плазменного травления. Оборудование для плазменного травления. Современное состояние технологии плазменного травления; 8. Основные понятия, механизмы и классификация процессов напыления и осаждения металлических пленок. Требования к материалам контактов и металлизации. Использование поликристаллического кремния и силицидов металлов. Методы контроля качества контактных материалов. Оборудование.

Содержание слайда: ПЕРЕЧЕНЬ УЧЕБНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ Основная литература 1. Лабораторный практикум «Основы технологии электронной компонентной базы, под ред. Ю.А.Чаплыгина, М., МИЭТ, 2013. 176 с. 2. А.А. Голишников, М.Г. Путря. Плазменные технологии в наноэлектронике. Уч. пособие. М.: МИЭТ. 2011 г. Дополнительная литература 1. Путря М.Г. Плазменные методы формирования трехмерных структур УБИС. Уч. пособие, 2005 г. 2. В.И. Шевяков. Омические и выпрямляющие контакты в ИС. Уч. пособие, М., МИЭТ, 1999 г. 3. М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.Г. Путря, В.И. Шевяков. Технология, конструкции методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч. 2. М.: Изд «БИНОМ. Лаборатория знаний» 2009. 422с. 4. Д.Г. Громов, А.И. Мочалов, А.Д. Сулимин, В.И. Шевяков. Металлизация ультрабольших интегральных схем, М.: Изд «БИНОМ. Лаборатория знаний». 2009. 277с. 5. М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелева. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч. 1. М.: Изд. «БИНОМ. Лаборатория знаний» 2007. 397с. 6. Королев М.А., Ревелева М.А. Технология и конструкции интегральных микросхем. Уч. пособие в 2-х частях. М.: МИЭТ. Ч.1. 2000 г.

Содержание слайда: Структура и график контрольных мероприятий

Содержание слайда: Лекция 1 Введение в предмет курса. Организационно-технологические основы производства изделий микро- и наноэлектроники

Содержание слайда: Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения

Содержание слайда: Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует: 1) знание физики полупроводников и полупроводниковых приборов; 2) знание технологии изготовления п/п приборов и ИМС; 3) знание схемотехнических решений формирования ИС; 4) применение современных САПР и умение работать на них.

Содержание слайда: Закон Мура Чаще всего для описания эволюции технологии КМОП применяется так называемый «закон Мура». Важно понимать предположения, на которых он базируется, так как это позволит нам заглянуть в будущее. В 1965 году Гордон Мур заметил, что число элементов наиболее сложной из существующих интегральных схем ежегодно удваивается. В 1959 году появился первый планарный транзистор, а в 1965-м уже выпускались микросхемы, состоящие из 50-60 элементов. Тогда Мур дал прогноз, согласно которому эта тенденция должна была сохраниться в течение последующих 10 лет, и в 1975 году с удивлением заметил, что он сбылся. Согласно новому прогнозу Мура через некоторое время темпы удвоения числа элементов интегральных схем должны были замедлиться вдвое. По мнению Мура, это снижение темпов роста числа элементов должно было произойти в 1980 году, но оно случилось раньше, уже в 1975-м. За последние 20 лет прогноз Мура получил широкую известность и приобрел статус «закона». Термин «закон Мура» стали употреблять для обозначения непрерывного экспоненциального роста функциональности интегральных схем с одновременным снижением их стоимости.

Содержание слайда: Ключ к успешному прогнозированию будущего технологий КМОП лежит в понимании факторов, влияющих на величину стоимости, на функцию. КМОП будет доминировать и развиваться до тех пор, пока себестоимость на функцию будет падать. Ключ к успешному прогнозированию будущего технологий КМОП лежит в понимании факторов, влияющих на величину стоимости, на функцию. КМОП будет доминировать и развиваться до тех пор, пока себестоимость на функцию будет падать. Мы рассмотрим следующие важнейшие составляющие этой тенденции. Обеспечение возможности формирования элементов все меньшего размера за счет развития литографии. Как указал Мур, это основной фактор, влияющий на рост числа элементов на кристалле. Важнейшие составляющие этой тенденции следующие: улучшение конструкции транзистора, необходимое для достижения большей производительности при меньших размерах; разработка новых топологий схем, обеспечивающих увеличение плотности упаковки; совершенствование межэлементных соединений, ведущее к повышению плотности упаковки; разработка новых семейств интегральных схем; создание новых, более компактных ячеек памяти; контроль капитальных затрат.

Содержание слайда:

Содержание слайда: Базовые этапы создания ИМС Окисление кремния

Содержание слайда: Фотолитография

Содержание слайда: Травление слоя

Содержание слайда: Создание легированных областей

Содержание слайда: Металлизация

Содержание слайда: Тенденции в изменении разрешающей способности литографического процесса полушаг – это минимальный размер литографических параметров на кристалле.

Содержание слайда: CMOS technologies - key features

Содержание слайда: Физические и механические свойства германия, кремния и арсенида галлия

Содержание слайда: Схематическое представление кристаллической решетки кремня

Содержание слайда: Схематическое представление плоскостей с различными индексами Миллера в кубической решетке

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Процесс Чохральского для выращивания кристаллов кремния

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Зонная плавка является одним из наиболее эффективных методов глубокой очистки полупроводников. Идея метода связана с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах.

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: