Презентация Основные понятия твердотельной электроники онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Основные понятия твердотельной электроники абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 59 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Технология » Основные понятия твердотельной электроники
Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:59 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:3.31 MB
- Просмотров:69
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№5 слайд
![Джон Амброз Амброзий Флеминг](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img4.jpg)
Содержание слайда: Джон Амброз (Амброзий) Флеминг – английский ученый и инженер, сделавший немало для развития электроники и радиотехники, родился 29 ноября 1849 года в городе Ланкастер в семье священнослужителя. Известен, прежде всего, как изобретатель первой двухэлектродной электронной лампы (лампового диода).
Джон Амброз (Амброзий) Флеминг – английский ученый и инженер, сделавший немало для развития электроники и радиотехники, родился 29 ноября 1849 года в городе Ланкастер в семье священнослужителя. Известен, прежде всего, как изобретатель первой двухэлектродной электронной лампы (лампового диода).
№6 слайд
![С тех пор развитие](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img5.jpg)
Содержание слайда: С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора, а затем интегральных микросхем (ИС) на кремнии, положившим начало микроэлектронике.
С тех пор развитие электроники отмечено изобретением и практическим освоением вакуумного триода (1906 год, Л. Де Форест и Р. Либен) и полупроводникового транзистора, а затем интегральных микросхем (ИС) на кремнии, положившим начало микроэлектронике.
№7 слайд
![Ли де Форест англ. Lee De](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img6.jpg)
Содержание слайда: Ли де Фо́рест (англ. Lee De Forest; 26.08.1873 — 30.06.1961 США) — американский изобретатель, имеющий на своём счету 180 патентов на изобретения. Де Форест изобрёл триод — электронную лампу, которая принимает на входе относительно слабый электрический сигнал и затем усиливает его. Де Форест является одним из отцов «века электроники», потому что триод помог открыть дорогу широкому использованию электроники.
Ли де Фо́рест (англ. Lee De Forest; 26.08.1873 — 30.06.1961 США) — американский изобретатель, имеющий на своём счету 180 патентов на изобретения. Де Форест изобрёл триод — электронную лампу, которая принимает на входе относительно слабый электрический сигнал и затем усиливает его. Де Форест является одним из отцов «века электроники», потому что триод помог открыть дорогу широкому использованию электроники.
№14 слайд
![Сама возможность](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img13.jpg)
Содержание слайда: Сама возможность существования твердого состояния вещества обусловлена взаимодействием сил притяжения и отталкивания (взаимодействия) между частицами (атомами, ионами или молекулами) при их сближении.
Сама возможность существования твердого состояния вещества обусловлена взаимодействием сил притяжения и отталкивания (взаимодействия) между частицами (атомами, ионами или молекулами) при их сближении.
№16 слайд
![Кристаллы это вещества, в](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img15.jpg)
Содержание слайда: Кристаллы –
это вещества, в которых составляющие их частицы (атомы, молекулы) расположены строго периодически, образуя геометрически закономерную кристаллическую структуру, при этом выделяют кристаллы изотропные и анизотропны. Анизотропия (от греч. ánisos — неравный и tróроs — направление) – зависимость свойств вещества от направления, аналогично анизотропия – инвариантность свойств по отношению к направлению.
№21 слайд
![Движение электронов в атоме](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img20.jpg)
Содержание слайда: Движение электронов в атоме
Все окружающие нас тела состоят из элементарных частиц (атомов) или из групп определенным образом объединенных атомов (молекул). Любая молекула состоит из совокупности электронов и атомных ядер, движение и взаимное расположение которых определяют значение внутренней энергии молекулы
№33 слайд
![Взаимодействие частиц в](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img32.jpg)
Содержание слайда: Взаимодействие частиц в квантовой механике характеризуют потенциальной энергией, формула которой заимствуется из классической механики. Например, потенциальная энергия заряженной частицы (например, электрона с зарядом минус q) в электрическом поле другой заряженной частицы (например, ядра атома водорода c зарядом плюс q) выражается формулой
Взаимодействие частиц в квантовой механике характеризуют потенциальной энергией, формула которой заимствуется из классической механики. Например, потенциальная энергия заряженной частицы (например, электрона с зарядом минус q) в электрическом поле другой заряженной частицы (например, ядра атома водорода c зарядом плюс q) выражается формулой
№36 слайд
![Для скорости электрона на](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img35.jpg)
Содержание слайда: Для скорости электрона на n-ой стационарной орбите получаем значение
Для скорости электрона на n-ой стационарной орбите получаем значение
Полная энергия электрона, движущегося по n -ой стационарной орбите, складывается из его кинетической энергии
и потенциальной энергии кулоновского взаимодействия электрона с ядром
эВ
№37 слайд
![Полная энергия электрона в](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img36.jpg)
Содержание слайда: Полная энергия электрона в атоме оказалась отрицательной, так как отрицательна потенциальная электростатическая энергия взаимодействия электрона с ядром. С ростом номера орбиты полная энергия электрона в атоме возрастает. При этом номер орбиты является квантовым числом в такой теории.
Полная энергия электрона в атоме оказалась отрицательной, так как отрицательна потенциальная электростатическая энергия взаимодействия электрона с ядром. С ростом номера орбиты полная энергия электрона в атоме возрастает. При этом номер орбиты является квантовым числом в такой теории.
Для описания атома используют квантовые числа – энергетические параметры, определяющие состояние электрона и тип атомной орбитали, на которой он находится
№41 слайд
![Размеры атомной орбитали с](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img40.jpg)
Содержание слайда: Размеры атомной орбитали с увеличением атомного номера z уменьшаются приблизительно в z раз, а с увеличением главного квантового числа возрастают приблизительно как . Поэтому внутренние электронные оболочки атомов (с меньшими значениями квантового числа n) имеют значительно меньшие размеры и "скрыты" глубоко внутри внешних.
Размеры атомной орбитали с увеличением атомного номера z уменьшаются приблизительно в z раз, а с увеличением главного квантового числа возрастают приблизительно как . Поэтому внутренние электронные оболочки атомов (с меньшими значениями квантового числа n) имеют значительно меньшие размеры и "скрыты" глубоко внутри внешних.
Для внешних (валентных) электронов атома его ядро и внутренние атомные электронные оболочки образуют "квази-ядро", внутренний остов, суммарный положительный электрический заряд которого меньше, чем заряд ядра. Например, у атомов второго периода периодической системы элементов остовом атома является ядро, экранированное внутренней электронной оболочкой, т.е. катион с положительным электрическим зарядом (z-2).
№43 слайд
![Орбитальное квантовое число l](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img42.jpg)
Содержание слайда: Орбитальное квантовое число l
определяет форму орбитали. Значение орбитального числа l=(n-1)=0,1,2,3...(n-1).
Также вводят буквенные обозначения: орбитали с l = 0 называются s-орбиталями,
l = 1 – р-орбиталями (3 типа, отличающихся магнитным квантовым числом m),
l = 2 – d-орбиталями (5 типов),
l = 3 – f-орбиталями (7 типов)
№47 слайд
![Каждому уровню энергии](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img46.jpg)
Содержание слайда: Каждому уровню энергии соответствует стоячая электронная волна, электрон колеблется вокруг и возле атомов и образует как бы облако электронной плотности. Плотность этого облака показывает вероятность обнаружения электрона в той или иной области пространства или долю времени, которую электрон проводит в той или иной области.
Каждому уровню энергии соответствует стоячая электронная волна, электрон колеблется вокруг и возле атомов и образует как бы облако электронной плотности. Плотность этого облака показывает вероятность обнаружения электрона в той или иной области пространства или долю времени, которую электрон проводит в той или иной области.
№49 слайд
![Магнитное квантовое число](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img48.jpg)
Содержание слайда: Магнитное квантовое число
характеризует величину магнитного поля, создаваемого при вращении электрона вокруг ядра. Поэтому значение магнитного квантового числа m связано со значением орбитального квантового числа и изменяется от –l до + l, а всего число может принимать (2l+1) значение, включая нулевое.
Например, для l = 2: m = -2, -1, 0, 1, 2.
№57 слайд
![Спиновое квантовое число s](/documents_6/e662a5935b5bd2a5c6e803b95b495cd0/img56.jpg)
Содержание слайда: Спиновое квантовое число s
Электрон помимо координат и импульса характеризуется вектором спина.
Внутренний момент импульса, связанный с вращением, назвали спином (от англ. spin – вращение), а момент, связанный с вращением вокруг ядра – орбитальным моментом.
Спин, подобно заряду, – внутренняя характеристика электрона, в классической теории аналогичного понятия быть не может.
Спиновое число s =+½.
Скачать все slide презентации Основные понятия твердотельной электроники одним архивом:
Похожие презентации
-
Силовая электроника. Лекция 2. Основные понятия
-
Инженерная геология. Основные понятия
-
Основные понятия, термины и определения механики грунтов
-
Основные положения и понятия, принятые в строительстве
-
Этапы проектных работ, основные понятия и положения
-
Основные понятия о мостовых сооружениях и трубах на автомобильных и городских дорогах
-
История развития и классификация микропроцессоров, основные понятия и архитектура микропроцессорных систем
-
Системы коммутации в электросвязи. Принципы построения узла коммутации. Основные понятия и терминология
-
Основные термины электроники. Полупроводниковые элементы. Полупроводниковые выпрямители
-
Основные понятия. Принципы электрических измерений