Презентация Схемотехника. Введение в предмет курса онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Схемотехника. Введение в предмет курса абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 31 слайд. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Технология » Схемотехника. Введение в предмет курса



Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
  • Тип файла:
    ppt / pptx (powerpoint)
  • Всего слайдов:
    31 слайд
  • Для класса:
    1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
  • Размер файла:
    1.62 MB
  • Просмотров:
    58
  • Скачиваний:
    0
  • Автор:
    неизвестен



Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд
СХЕМОТЕХНИКА Лектор доц.
Содержание слайда: СХЕМОТЕХНИКА Лектор: доц. Артамонова Евгения Анатольевна Ауд. 4245, jane_art22@mail.ru Кафедра интегральной электроники и микросистем

№2 слайд
Содержание слайда:

№3 слайд
СТРУКТУРА И КАЛЕНДАРНЫЙ
Содержание слайда: СТРУКТУРА И КАЛЕНДАРНЫЙ ГРАФИК КОНТРОЛЬНЫХ МЕРОПРИЯТИЙ 16 лекций (2 КР + задачки на лекциях) 7 лабораторных работ (преп. Федоров Олег Владимирович) Экзамен Продолжение в 8 семестре – курсовое проектирование схем с элементами памяти (курс «Моделирование схем). Может являться частью выпускной работы.

№4 слайд
Содержание слайда:

№5 слайд
Содержание слайда:

№6 слайд
Лекция Введение в предмет
Содержание слайда: Лекция 1 Введение в предмет курса МДП-инверторы с транзисторами одинакового типа проводимости КМДП- схемы

№7 слайд
Классификация ИС по степени
Содержание слайда: Классификация ИС по степени интеграции (k=lgN , N – число активных компонентов ИС (транзисторов) СБИС (VLSI) K > 6 по функциональному назначению: аналоговые (обрабатываются сигналы, меняющиеся непрерывно) и цифровые (обрабатываются сигналы, имеющие два дискретных значения “0” и “1”) по материалу изготовления (конструктивно-технологическая) по типу активного элемента

№8 слайд
Конструктивно-технологическая
Содержание слайда: Конструктивно-технологическая классификация ИС

№9 слайд
Классификация ИС по типу
Содержание слайда: Классификация ИС по типу активного элемента Микросхемы на униполярных (полевых) транзисторах — самые экономичные (по потреблению тока): МОП-логика (металл-окисел-полупроводник логика) — микросхемы формируются из полевых транзисторов n-МОП или p-МОП типа; КМОП-логика (комплементарная МОП-логика) — каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n-МОП и p-МОП). Микросхемы на биполярных транзисторах: РТЛ — резисторно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ); ДТЛ — диодно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ); ТТЛ — транзисторно-транзисторная логика — микросхемы сделаны из биполярных транзисторов с многоэмиттерными транзисторами на входе; ТТЛШ — транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки — усовершенствованная ТТЛ, в которой используются биполярные транзисторы с эффектом Шотки. ЭСЛ — эмиттерно-связанная логика — на биполярных транзисторах, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие. ИИЛ — интегрально-инжекционная логика. БиКМОП-схемы (смешанная технология)

№10 слайд
Основные характеристики
Содержание слайда: Основные характеристики цифровых ИС выполняемая функция; вид элементной базы (технология основного ЛЭ); плотность упаковки (элементов/кристалл или транзисторов/мм2); мощность рассеивания на один вентиль (ЛЭ); быстродействие; экономичность технологии, число фотошаблонов; время разработки; надежность работы, контролепригодность, ремонтопригодность, срок службы; стоимость одного бита информации.

№11 слайд
Основные элементы ИС Основные
Содержание слайда: Основные элементы ИС: Основные элементы ИС: активные элементы биполярных ИС – транзисторы пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и диоды

№12 слайд
Функциональные параметры ЛЭ
Содержание слайда: Функциональные параметры ЛЭ

№13 слайд
Измеряемые параметры ЛЭ
Содержание слайда: Измеряемые параметры ЛЭ Статические: - входная характеристика Iвх = f(Uвх) для схем на БТ (проходная для схем на МОПТ Iвых = f(Uвх) ) ? - выходная характеристика Iвых = f(Uвых) передаточная характеристика Uвых = f(Uвх) Динамические: эпюры переходного процесса U = f(t) ? Какие параметры по каким характеристикам КМОП-схем можно определить

№14 слайд
Пример определения
Содержание слайда: Пример определения динамических характеристик ЛЭ

№15 слайд
Виды логики, определяемые по
Содержание слайда: Виды логики, определяемые по характеристике Uвых = f(Uвх) Инвертирующая /неинвертирующая логика - при подаче на вход схемы сигнала логической “1” (“0”) на выходе формируется противоположный сигнал “0” (“1”). Положительная /отрицательная логика - уровень логической “1” больше (выше) уровня логического “0”. Согласованная /несогласованная логика отличается обязательным равенством вход­ных и выходных соответствующих логических уровней: ? Для какого из инверторов логика согласована: КМОП, с нелинейной нагрузкой, с квазилинейной нагрузкой, с токостабилизирующей нагрузкой?

№16 слайд
МДП-инверторы с транзисторами
Содержание слайда: МДП-инверторы с транзисторами одинакового типа проводимости

№17 слайд
Выходные и передаточные
Содержание слайда: Выходные и передаточные характеристики

№18 слайд
КМДП- схемы КМДП- инверторы.
Содержание слайда: КМДП- схемы КМДП- инверторы. Структура. Принцип работы, реализация логических функций. Передаточная характеристика в КМДП- схеме. Напряжение и ток переключения, зависимость от размеров транзисторов. Эффект защелки в КМДП- схемах.

№19 слайд
КМДП- инверторы. Структура.
Содержание слайда: КМДП- инверторы. Структура. Принцип работы.

№20 слайд
ОСНОВНЫЕ ДОСТОИНСТВА
Содержание слайда: ОСНОВНЫЕ ДОСТОИНСТВА КМДП-СХЕМ Потребление мощности в статическом состоянии пренебрежимо мало Высокая помехоустойчивость (т.к. U0= 0, U1 = Vdd)

№21 слайд
Передаточная характеристика в
Содержание слайда: Передаточная характеристика в КМДП-схеме

№22 слайд
Передаточная характеристика
Содержание слайда: Передаточная характеристика Зависимость от отношения Wp/Wn

№23 слайд
Реализация логических функций
Содержание слайда: Реализация логических функций

№24 слайд
Эффект защелки в КМДП- схемах
Содержание слайда: Эффект защелки в КМДП- схемах (тиристорный эффект)

№25 слайд
Паразитные биполярные
Содержание слайда: Паразитные биполярные транзисторы в КМДП-структуре

№26 слайд
Вольтамперная характеристика
Содержание слайда: Вольтамперная характеристика тиристора

№27 слайд
Испытания на устойчивость к
Содержание слайда: Испытания на устойчивость к защелкиванию в статическом режиме (отрицательная помеха)

№28 слайд
Испытания на устойчивость к
Содержание слайда: Испытания на устойчивость к защелкиванию в статическом режиме (положительная помеха)

№29 слайд
Методы подавления защелкивания
Содержание слайда: Методы подавления защелкивания

№30 слайд
Охранные области для основных
Содержание слайда: Охранные области для основных носителей

№31 слайд
Топология МДП транзисторов с
Содержание слайда: Топология МДП транзисторов с охранными кольцами

Скачать все slide презентации Схемотехника. Введение в предмет курса одним архивом: