Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
31 слайд
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
1.62 MB
Просмотров:
58
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![СХЕМОТЕХНИКА Лектор доц.](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img0.jpg)
Содержание слайда: СХЕМОТЕХНИКА
Лектор: доц. Артамонова Евгения Анатольевна
Ауд. 4245, jane_art22@mail.ru
Кафедра интегральной электроники и микросистем
№2 слайд![](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img1.jpg)
№3 слайд![СТРУКТУРА И КАЛЕНДАРНЫЙ](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img2.jpg)
Содержание слайда: СТРУКТУРА И КАЛЕНДАРНЫЙ ГРАФИК КОНТРОЛЬНЫХ МЕРОПРИЯТИЙ
16 лекций (2 КР + задачки на лекциях)
7 лабораторных работ (преп. Федоров Олег Владимирович)
Экзамен
Продолжение в 8 семестре – курсовое проектирование схем с элементами памяти (курс «Моделирование схем).
Может являться частью выпускной работы.
№4 слайд![](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img3.jpg)
№5 слайд![](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img4.jpg)
№6 слайд![Лекция Введение в предмет](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img5.jpg)
Содержание слайда: Лекция 1
Введение в предмет курса
МДП-инверторы с транзисторами одинакового типа проводимости
КМДП- схемы
№7 слайд![Классификация ИС по степени](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img6.jpg)
Содержание слайда: Классификация ИС
по степени интеграции (k=lgN , N – число активных компонентов ИС (транзисторов) СБИС (VLSI) K > 6
по функциональному назначению:
аналоговые (обрабатываются сигналы, меняющиеся непрерывно) и цифровые (обрабатываются сигналы, имеющие два дискретных значения “0” и “1”)
по материалу изготовления (конструктивно-технологическая)
по типу активного элемента
№8 слайд![Конструктивно-технологическая](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img7.jpg)
Содержание слайда: Конструктивно-технологическая классификация ИС
№9 слайд![Классификация ИС по типу](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img8.jpg)
Содержание слайда: Классификация ИС по типу активного элемента
Микросхемы на униполярных (полевых) транзисторах — самые экономичные (по потреблению тока):
МОП-логика (металл-окисел-полупроводник логика) — микросхемы формируются из полевых транзисторов n-МОП или p-МОП типа;
КМОП-логика (комплементарная МОП-логика) — каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n-МОП и p-МОП).
Микросхемы на биполярных транзисторах:
РТЛ — резисторно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ);
ДТЛ — диодно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ);
ТТЛ — транзисторно-транзисторная логика — микросхемы сделаны из биполярных транзисторов с многоэмиттерными транзисторами на входе;
ТТЛШ — транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки — усовершенствованная ТТЛ, в которой используются биполярные транзисторы с эффектом Шотки.
ЭСЛ — эмиттерно-связанная логика — на биполярных транзисторах, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие.
ИИЛ — интегрально-инжекционная логика.
БиКМОП-схемы (смешанная технология)
№10 слайд![Основные характеристики](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img9.jpg)
Содержание слайда: Основные характеристики цифровых ИС
выполняемая функция;
вид элементной базы (технология основного ЛЭ);
плотность упаковки (элементов/кристалл или транзисторов/мм2);
мощность рассеивания на один вентиль (ЛЭ);
быстродействие;
экономичность технологии, число фотошаблонов;
время разработки;
надежность работы, контролепригодность, ремонтопригодность, срок службы;
стоимость одного бита информации.
№11 слайд![Основные элементы ИС Основные](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img10.jpg)
Содержание слайда: Основные элементы ИС:
Основные элементы ИС:
активные элементы биполярных ИС – транзисторы
пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и диоды
№12 слайд![Функциональные параметры ЛЭ](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img11.jpg)
Содержание слайда: Функциональные параметры ЛЭ
№13 слайд![Измеряемые параметры ЛЭ](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img12.jpg)
Содержание слайда: Измеряемые параметры ЛЭ
Статические:
- входная характеристика Iвх = f(Uвх) для схем на БТ
(проходная для схем на МОПТ Iвых = f(Uвх) ) ?
- выходная характеристика Iвых = f(Uвых)
передаточная характеристика Uвых = f(Uвх)
Динамические:
эпюры переходного процесса U = f(t)
? Какие параметры по каким характеристикам КМОП-схем можно определить
№14 слайд![Пример определения](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img13.jpg)
Содержание слайда: Пример определения динамических характеристик ЛЭ
№15 слайд![Виды логики, определяемые по](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img14.jpg)
Содержание слайда: Виды логики, определяемые по характеристике Uвых = f(Uвх)
Инвертирующая /неинвертирующая логика - при подаче на вход схемы сигнала логической “1” (“0”) на выходе формируется противоположный сигнал “0” (“1”).
Положительная /отрицательная логика - уровень логической “1” больше (выше) уровня логического “0”.
Согласованная /несогласованная логика отличается обязательным равенством входных и выходных соответствующих логических уровней:
? Для какого из инверторов логика согласована:
КМОП, с нелинейной нагрузкой, с квазилинейной нагрузкой,
с токостабилизирующей нагрузкой?
№16 слайд![МДП-инверторы с транзисторами](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img15.jpg)
Содержание слайда: МДП-инверторы с транзисторами одинакового типа проводимости
№17 слайд![Выходные и передаточные](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img16.jpg)
Содержание слайда: Выходные и передаточные характеристики
№18 слайд![КМДП- схемы КМДП- инверторы.](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img17.jpg)
Содержание слайда: КМДП- схемы
КМДП- инверторы. Структура. Принцип работы, реализация логических функций.
Передаточная характеристика в КМДП- схеме. Напряжение и ток переключения, зависимость от размеров транзисторов.
Эффект защелки в КМДП- схемах.
№19 слайд![КМДП- инверторы. Структура.](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img18.jpg)
Содержание слайда: КМДП- инверторы.
Структура. Принцип работы.
№20 слайд![ОСНОВНЫЕ ДОСТОИНСТВА](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img19.jpg)
Содержание слайда: ОСНОВНЫЕ ДОСТОИНСТВА КМДП-СХЕМ
Потребление мощности в статическом состоянии пренебрежимо мало
Высокая помехоустойчивость
(т.к. U0= 0, U1 = Vdd)
№21 слайд![Передаточная характеристика в](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img20.jpg)
Содержание слайда: Передаточная характеристика в КМДП-схеме
№22 слайд![Передаточная характеристика](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img21.jpg)
Содержание слайда: Передаточная характеристика
Зависимость от отношения Wp/Wn
№23 слайд![Реализация логических функций](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img22.jpg)
Содержание слайда: Реализация логических функций
№24 слайд![Эффект защелки в КМДП- схемах](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img23.jpg)
Содержание слайда: Эффект защелки в КМДП- схемах
(тиристорный эффект)
№25 слайд![Паразитные биполярные](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img24.jpg)
Содержание слайда: Паразитные биполярные транзисторы в КМДП-структуре
№26 слайд![Вольтамперная характеристика](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img25.jpg)
Содержание слайда: Вольтамперная характеристика тиристора
№27 слайд![Испытания на устойчивость к](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img26.jpg)
Содержание слайда: Испытания на устойчивость к защелкиванию в статическом режиме (отрицательная помеха)
№28 слайд![Испытания на устойчивость к](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img27.jpg)
Содержание слайда: Испытания на устойчивость к защелкиванию в статическом режиме (положительная помеха)
№29 слайд![Методы подавления защелкивания](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img28.jpg)
Содержание слайда: Методы подавления защелкивания
№30 слайд![Охранные области для основных](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img29.jpg)
Содержание слайда: Охранные области для основных носителей
№31 слайд![Топология МДП транзисторов с](/documents_6/df8eff53d08e110c1c03af9fce0dac84/img30.jpg)
Содержание слайда: Топология МДП транзисторов с охранными кольцами