Презентация Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3) онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3) абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 98 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:98 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:35.69 MB
- Просмотров:93
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Выбор структуры и подложки для
КМОП ИС
№2 слайд
Содержание слайда: КМОП - структура
№3 слайд
Содержание слайда: Варианты КМОП структур
№4 слайд
Содержание слайда: Выбор кармана КМОП - структуры
№5 слайд
Содержание слайда: Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния
(N в кремнии/N в оксиде)
№6 слайд
Содержание слайда: Инверсионный канал по краю кармана р-типа
№7 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности от электрического поля, легирования и температуры
№8 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси
№9 слайд
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№10 слайд
Содержание слайда: Выбор кармана КМОП - структуры
№11 слайд
Содержание слайда: Карманы в КМОП структуре
№12 слайд
Содержание слайда: Выбор кармана КМОП - структуры
№13 слайд
Содержание слайда: Подгонка порогового напряжения в двухкарманной КМОП-структуре
№14 слайд
Содержание слайда: Подгонка порогового напряжения в двухкарманной КМОП-структуре
№15 слайд
Содержание слайда: Возникает ли инверсный канал по периферии
р-кармана в случае двухкарманной технологии?
№16 слайд
Содержание слайда: Токи утечки в двухкарманной КМОП структуре
№17 слайд
Содержание слайда: р - подложка в КМОП структуре
№18 слайд
Содержание слайда: Преимущества р+- р подложки
1. Улучшение качества полупроводника
2. Уменьшение потока неосновных носителей из подложки в рп –переходы карманов
3. Подавление эффекта «защелкивания»
4. Геттерирование кислорода из пленки р+ - подложкой
5. Геттерирование металлов из пленки переходом р+р пленка-подложка
№19 слайд
Содержание слайда: Выращивание слитка кремния
по методу Чохральского
№20 слайд
Содержание слайда: Зависимость концентрации кислорода в кремнии от диаметра слитка
№21 слайд
Содержание слайда: Дефекты кремния, вызванные преципитацией кислорода
№22 слайд
Содержание слайда: Дефекты слитка кремния, вызванные преципитацией кислорода
№23 слайд
Содержание слайда: Геттерирование примесей на границе раздела пленка-подложка
№24 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности носителей от концентрации носителей и ориентации подложки
№25 слайд
Содержание слайда: Создание КМОП структуры на гибридно-ориентированной подложке
№26 слайд
Содержание слайда: Механизм гидрофобного сращивания
№27 слайд
Содержание слайда: Формирование гибридно-ориентированной подложки методом аморфизации и рекристаллизации кремния
№28 слайд
Содержание слайда: Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры
№29 слайд
Содержание слайда: Эффект защелкивания в КМОП структуре
№30 слайд
Содержание слайда: Эффект защелкивания в КМОП структуре
№31 слайд
Содержание слайда: КНИ КМОП структура
№32 слайд
Содержание слайда: КМОП-структура на основе КНС
№33 слайд
Содержание слайда: Недостатки КНС - структуры
106
102
Кремний
Сапфир ( Al2 O3
№34 слайд
Содержание слайда: Улучшение КНС - структуры
№35 слайд
Содержание слайда: РЭМ - фото границы раздела КНС - структуры до и после рекристаллизации
№36 слайд
Содержание слайда: КНИ -структура
№37 слайд
Содержание слайда: Преимущества КНИ КМОП структуры
Резкое уменьшение ёмкостей стока и истока на подложку
Уменьшенный эффект подложки при последовательном соединении приборов
Отсутствие «защелки»
Отличная изоляция приборов, малая площадь
Повышенная радиационная стойкость
Малые токи утечки торцевых рп-переходов
Уменьшенные короткоканальные эффекты
Работа при повышенных температурах
№38 слайд
Содержание слайда: Уменьшение емкости сток/исток - подложка
№39 слайд
Содержание слайда: Уменьшение емкости сток/исток - подложка
№40 слайд
Содержание слайда: Увеличение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности ИС ЗУ в случае КНИ структуры
№41 слайд
Содержание слайда: Увеличение порогового напряжения МОП-транзистора при последовательном соединении для объёмных КМОП ИС.
№42 слайд
Содержание слайда: Образование электрон-дырочных пар при облучении полупроводниковой структуры
№43 слайд
Содержание слайда: Повышение радиационной стойкости КНИ КМОП ИС
№44 слайд
Содержание слайда: Температурная зависимость тока утечки КНИ и объемного МОП-транзисторов
№45 слайд
Содержание слайда: Сращивание окисленных кремниевых пластин
№46 слайд
Содержание слайда: Бондинг-метод
№47 слайд
Содержание слайда: Поверхность окисленной пластины кремния
№48 слайд
Содержание слайда: Механизм гидрофильного бондинга
№49 слайд
Содержание слайда: Механизм гидрофильного сращивания
№50 слайд
Содержание слайда: Механизм гидрофильного сращивания
№51 слайд
Содержание слайда: Метод сращивания со стоп-слоем
№52 слайд
Содержание слайда: Smart-cut - метод сращивания пластин кремния
№53 слайд
Содержание слайда: Smart-cut - метод сращивания пластин кремния
№54 слайд
Содержание слайда: Образование пузырьков водорода
№55 слайд
Содержание слайда: Механизм газового расщепления
№56 слайд
Содержание слайда: ПЭМ изображение скрытого дефектного слоя
№57 слайд
Содержание слайда: Влияние пыли на ионную имплантацию водорода
№58 слайд
Содержание слайда: ПЭМ –изображение КНИ – структуры перед расщеплением
№59 слайд
Содержание слайда: Зависимость прочности сращивания от зазора между пластинами при бондинге
№60 слайд
Содержание слайда: Формирование КНИ структуры методом имплантации кислорода ( SIMOX)
№61 слайд
Содержание слайда: Микрофотография косого шлифа
первой SIMOX структуры (1976 год)
№62 слайд
Содержание слайда: Факторы, влияющие на параметры КНИ-структуры
Доза ионов более 1018 см-2
Температура при облучении более 4000С
Плотность ионного тока разогрев, диффузия
Энергия ионов глубина слоя изолятора
Постимплантационный отжиг 13000С, часы
Слой искусственных центров преципитации B, C, H. N
№63 слайд
Содержание слайда: Изменение распределения кислорода в процессе термообработки после имплантации (шнурование)
№64 слайд
Содержание слайда: Влияние искусственных центров преципитации на распределение кислорода – «шнурование»
№65 слайд
Содержание слайда: Поперечное сечение структур КНИ SIMOX, полученное с помощью ПЭМ
№66 слайд
Содержание слайда: Структура ITOX–SIMOX подложки на различных стадиях технологии
№67 слайд
Содержание слайда: ПЭМ–изображения поперечного сечения
КНИ ITOX–SIMOX - структуры
№68 слайд
Содержание слайда: АСМ изображения поверхности кремния и границы раздела КНИ структур ITOX–SIMOX.
№69 слайд
Содержание слайда: Трехмерная интегральная схема
на основе КНИ - структуры
№70 слайд
Содержание слайда: Трехмерная КМОП –структура этажерочного типа
№71 слайд
Содержание слайда: Трехмерная КМОП – структура мезонинного типа
№72 слайд
Содержание слайда: ZMR - процесс
№73 слайд
Содержание слайда: Проблемы ZMR
Кристаллографические дефекты вследствие взаимодействия лазерного луча с кремнием
Изменение оптических свойств кремния в процессе расплавления
Необходимость высокой степени поглощения лазерного излучения поликремнием
Возникновение крупноблочной структуры пленки кремния из-за множественности зародышевых центров кристаллизации
№74 слайд
Содержание слайда: Требования к источнику лазерного излучения
Мощность излучения - более 20 Вт/см2
Длина волны излучения - менее 0,8 мкм
Непрерывное действие
Высокая стабильность величины мощности излучения
при обработке пленки поликремния
Промышленные лазеры непрерывного действия:
1 Аргоновый газовый лазер ( 0,5 мкм, 250 Вт, невысокая стабильность)
2. Твердотельный на основе иттрий-алюминиевого граната
( 1,06 мкм, высокая стабильность , до 250 Вт )
№75 слайд
Содержание слайда: Косвенный лазерный нагрев (КЛН)
№76 слайд
Содержание слайда: Структура пленки кремния после рекристаллизации
№77 слайд
Содержание слайда: Конфигурации островков из поликремния
№78 слайд
Содержание слайда: Влияние направления движения лазера на равномерность толщины пленки кремния
№79 слайд
Содержание слайда: Результат ZMR обработки пленки поликремния
№80 слайд
Содержание слайда: КНИ МОП - транзистор, сформированный
ZMR - процессом
№81 слайд
Содержание слайда: Трехмерная КНИ КМОП ИС преобразователя сигналов (106 транзисторов 2 уровня ,МИЭТ 1987 г )
№82 слайд
Содержание слайда: Токовые потоки в КНИ МОП транзисторе
№83 слайд
Содержание слайда: Биполярный эффект в КНИ МОП транзисторе
№84 слайд
Содержание слайда: Принцип работы полевого транзистора
( из патента Лилиенфельда, 1926 год )
№85 слайд
Содержание слайда: Принцип работы беспереходного ( БПТ)
КНИ МОП - транзистора
№86 слайд
Содержание слайда: Изменение области обеднения в БПТ
№87 слайд
Содержание слайда: Микрофотографии КНИ МОП БПТ
№88 слайд
Содержание слайда: Области канала в инверсионном и БП транзисторах
№89 слайд
Содержание слайда: Подвижность носителей в разных областях инверсионного и БП транзисторов
№90 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности электронов от концентрации примеси в кремнии
№91 слайд
Содержание слайда: «Нанопроволочный» КНИ МОП БПТ
№92 слайд
Содержание слайда: «Нанопроволочный» КНИ МОП БПТ
№93 слайд
Содержание слайда: Конструкция и проблемы формирования наноразмерной КМОП структуры
№94 слайд
Содержание слайда: Мелкая щелевая изоляция
- ограниченные литографией
размеры
- независимость ширины от глубины
- малая электрическая емкость
- отсутствие необходимости
в сплошном окислении
- паразитные связи
№95 слайд
Содержание слайда: Неоднородно легированный канал
- подавление короткоканальных
эффектов
- гало-области для подавления
спада Vп при уменьшении Lк
- уменьшение емкости p-n переходов
№96 слайд
Содержание слайда: Подзатворный диэлектрик
- очень тонкий для подавления
короткоканальных эффектов
и увеличения тока стока
- ограничения: плотность дефектов,
туннельный ток, надежность
№97 слайд
Содержание слайда: Составной затвор
- разные величины работы выхода
для затворов n- или p- типов
- низкое поверхностное сопротивление
- отсутствие проникновения бора
- жесткий контроль размеров
№98 слайд
Содержание слайда: Исток/сток
- мелкая область исток/стока
для подавления
короткоканальных эффектов
оптимизация концентрационных
профилей для повышения надежности
и улучшения характеристик
- низкое поверхностное сопротивление
Скачать все slide презентации Выбор структуры и подложки для КМОП ИС. (Лекция 3) одним архивом:
