Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
18 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
747.00 kB
Просмотров:
63
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Розроблення модел легування](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img0.jpg)
Содержание слайда: Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі
№2 слайд![Актуальн сть - Твердот льн](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img1.jpg)
Содержание слайда: Актуальність
- Твердотільні інжекційні лазери
- Резонансно-тунельний транзистор
- Одноелектронний транзистор
Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна електронна логіка
№3 слайд![Методи вирощування КТ InAs](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img2.jpg)
Содержание слайда: Методи вирощування КТ InAs
Молекулярно променева епітаксія
МОС-гідридна епітаксія
Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
№4 слайд![Проблематика вирощування КТ](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img3.jpg)
Содержание слайда: Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії
Формування пересиченої газової фази
Коалесценція нанокластерів
Забезпечення планарності масиву КТ InAs
№5 слайд![Постановка задач Оптим зац я](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img4.jpg)
Содержание слайда: Постановка задачі
Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві в багатоканальному горизонтальному прямоточному реакторі методом низькотемпературної хлоридниї епітаксії.
Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5.
Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As.
Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In.
Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.
№6 слайд![Проздовжний перер з](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img5.jpg)
Содержание слайда: Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
№7 слайд![Поперечний перер з](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img6.jpg)
Содержание слайда: Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
№8 слайд![Модельн уявлення процесу](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img7.jpg)
Содержание слайда: Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs
GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔GaAss + HCl
№9 слайд![Зм на швидкост росту пл вки](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img8.jpg)
Содержание слайда: Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури
На кривих представлені результати розрахунку (суцільна лінія), експериментальні результати (крапки) 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 -5 К /см [Zhilyaev Yu. V. Dissertation Ioffe Institute, St. Peterburg (1990), Dostov V.L., Zhilyaev Yu. V., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 955 (1990)].
№10 слайд![Модельн уявлення процесу](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img9.jpg)
Содержание слайда: Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки GaAs
InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
№11 слайд![Швидкост росту пл вки InAs](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img10.jpg)
Содержание слайда: Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури
1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 - 5 К /см
№12 слайд![Модельн уявлення легування пл](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img11.jpg)
Содержание слайда: Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In
InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
№13 слайд![Розпод л дом шок по п дкладц](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img12.jpg)
Содержание слайда: Розподіл домішок по підкладці GaAs
1,2 - Розчинність домішок низька: 3 - Розчинність домішок висока [Dostov V.L., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Phys.-Tech. Phys. 35, 326 (1990)]
№14 слайд![Самоорган зац я КТ InAs в](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img13.jpg)
Содержание слайда: Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs
№15 слайд![Модельн уявлення процесу](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img14.jpg)
Содержание слайда: Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки GaAs
BiClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔BiAss + HClg
№16 слайд![Розпод л дом шки В по масиву](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img15.jpg)
Содержание слайда: Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs
№17 слайд![Висновки Обрано х м чн](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img16.jpg)
Содержание слайда: Висновки
Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs та легування їх домішкою Ві в прямоточному горизонтальному реакторі. Додаткова система Ga-HCl-H2 використовується для зарощування масиву КТ InAs легованих Ві, потрійним твердим розчином In1-xGaxAs.
Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs.
Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.
№18 слайд![Дякую за увагу Дякую за увагу](/documents_6/e1c3dc832837e79284c900c1bcd5d536/img17.jpg)
Содержание слайда: Дякую за увагу
Дякую за увагу