Презентация Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 18 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:18 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:747.00 kB
- Просмотров:63
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі
№2 слайд
Содержание слайда: Актуальність
- Твердотільні інжекційні лазери
- Резонансно-тунельний транзистор
- Одноелектронний транзистор
Квантово-точкові кліткові автомати і безпровідна електронна логіка
№3 слайд
Содержание слайда: Методи вирощування КТ InAs
Молекулярно променева епітаксія
МОС-гідридна епітаксія
Низькотемпературна хлиридна газофазна епітаксія
№4 слайд
Содержание слайда: Проблематика вирощування КТ InAs методом низькотемпературної хлоридної епітаксії
Формування пересиченої газової фази
Коалесценція нанокластерів
Забезпечення планарності масиву КТ InAs
№5 слайд
Содержание слайда: Постановка задачі
Оптимізація формування газової фази для легування КТ InAs домішкою Ві в багатоканальному горизонтальному прямоточному реакторі методом низькотемпературної хлоридниї епітаксії.
Ознайомлення з модельними уявленнями процесу росту плівок сполук А3В5.
Аналіз модельних уявлень росту плівки InAs по відношенню до росту плівки Ga As.
Розгляд модельних уявлень легування плівки Ga As домішкою In.
Аналіз модельних уявлень легування масиву квантових точок InAs домішкою Ві згідно до моделі легування плівки Ga As домішкою In.
№6 слайд
Содержание слайда: Проздовжний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора та його заповнення для вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
№7 слайд
Содержание слайда: Поперечний переріз багатоканального прямоточного горизонтального реактора вирощування масивів КТ InAs:Bi в матриці GaAs у хлоридній системі
№8 слайд
Содержание слайда: Модельні уявлення процесу росту плівки GaAs
GaClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔GaAss + HCl
№9 слайд
Содержание слайда: Зміна швидкості росту плівки GaAs для різних значень градієнта температури
На кривих представлені результати розрахунку (суцільна лінія), експериментальні результати (крапки) 1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 -5 К /см [Zhilyaev Yu. V. Dissertation Ioffe Institute, St. Peterburg (1990), Dostov V.L., Zhilyaev Yu. V., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Tech. Phys. Lett. 16, 955 (1990)].
№10 слайд
Содержание слайда: Модельні уявлення процесу росту плівки InAs по відношенню до росту плівки GaAs
InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
№11 слайд
Содержание слайда: Швидкості росту плівки InAs для різних значень градієнта температури
1 - 0 К /см, 2 - 2.5 К /cм, 3 - 5 К /см
№12 слайд
Содержание слайда: Модельні уявлення легування плівки GaAs домішкою In
InClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔InAss + HCl
№13 слайд
Содержание слайда: Розподіл домішок по підкладці GaAs
1,2 - Розчинність домішок низька: 3 - Розчинність домішок висока [Dostov V.L., Ipatova I.P., Kulikov A.Yu. Sov. Phys.-Tech. Phys. 35, 326 (1990)]
№14 слайд
Содержание слайда: Самоорганізація КТ InAs в матриці GaAs
№15 слайд
Содержание слайда: Модельні уявлення процесу легування масиву КТ InAs згідно моделі легування плівки GaAs
BiClg + 1/4As4g + 1/2H2g ↔BiAss + HClg
№16 слайд
Содержание слайда: Розподіл домішки Ві по масиву КТ InAs
№17 слайд
Содержание слайда: Висновки
Обрано хімічні системи In-AsCl3-H2, Bi- AsCl3-He для формування масиву КТ InAs та легування їх домішкою Ві в прямоточному горизонтальному реакторі. Додаткова система Ga-HCl-H2 використовується для зарощування масиву КТ InAs легованих Ві, потрійним твердим розчином In1-xGaxAs.
Описано процес росту плівки InAs та подальшу її самоорганізацію в масив квантових точок InAs в матриці GaAs.
Розроблено модель легування КТ InAs домішкою Ві в матриці GaAs у хлоридній системі.
№18 слайд
Содержание слайда: Дякую за увагу
Дякую за увагу
Скачать все slide презентации Розроблення моделі легування квантової точки InAs в матриці GaAs в хлоридній системі одним архивом:
