Презентация Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 41 слайд. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:41 слайд
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:398.00 kB
- Просмотров:90
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Моделирование технологических процессов
Лекция 7
№2 слайд
Содержание слайда: Вопросы к экзамену
Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения слоев.
Расчет процесса травления для заданного показателя анизотропии.
Моделирование процесса литографии. Расчет изображения на поверхности фоторезиста.
Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста. Моделирование процесса проявления.
№3 слайд
Содержание слайда:
№4 слайд
Содержание слайда: Выбор моделей травления/осаждения
№5 слайд
Содержание слайда: Примеры различных типов моделей.
№6 слайд
Содержание слайда: Особенности использования геометрических алгоритмов
№7 слайд
Содержание слайда: Примеры моделирования процессов травления/осаждения
№8 слайд
Содержание слайда: Примеры моделирования процессов травления/осаждения
№9 слайд
Содержание слайда: Алгоритм струны
№10 слайд
Содержание слайда: Алгоритм струны (продолжение)
№11 слайд
Содержание слайда: Схема расчета элементарных продвижений точек закрепления струны
№12 слайд
Содержание слайда: Расчет результирующего перемещения
№13 слайд
Содержание слайда: Расчет результирующего перемещения
№14 слайд
Содержание слайда: Точность алгоритма продвижения струны
№15 слайд
Содержание слайда: Алгоритм продвижения струны в присутствии маски
№16 слайд
Содержание слайда: Преобразования струны с добавлением новой точки
№17 слайд
Содержание слайда: Сужение углов между сегментами
№18 слайд
Содержание слайда: Образование областей затенения
№19 слайд
Содержание слайда: Выделение участков затенения
№20 слайд
Содержание слайда: Обобщенная геометрическая модель травления
№21 слайд
Содержание слайда: Результаты моделирования
№22 слайд
Содержание слайда: Цель моделирования фотолитографии
№23 слайд
Содержание слайда: Основные этапы численного моделирования фотолитографии
расчет распределения интенсивности света, падающего на поверхность резистивной пленки, или фронтального изображения
расчет интенсивности света в пленке как функции глубины
расчет нормализованной концентрации светочувствительного компонента (М) в позитивном резисте как функции координат и времени
определение скорости проявления R(x,y,z) в каждой точке резистивной пленки
расчет процесса проявления с использованием алгоритма продвижения струны
№24 слайд
Содержание слайда: Расчет изображения на поверхности фоторезиста
№25 слайд
Содержание слайда: Распределение освещенности в плоскости фоторезиста
№26 слайд
Содержание слайда: Распределение освещенности в плоскости фоторезиста в случае точечного источника
№27 слайд
Содержание слайда: Распределение освещенности в плоскости фоторезиста для протяженного источника
№28 слайд
Содержание слайда: Два фактора, приводящих к деградации изображения
- дифракционные максимумы, которые уменьшаются при увеличении размера источника света;
- область полутени, которая увеличивается при увеличении размера источника
№29 слайд
Содержание слайда: Формирование изображения на поверхности фоторезиста
№30 слайд
Содержание слайда: Параметры, характеризующие маску
№31 слайд
Содержание слайда: Параметры, характеризующие маску
№32 слайд
Содержание слайда: Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста
Полная интенсивность I0 уменьшается с глубиной в результате поглощения света резистивным материалом
Отражение света от подложки вызывает наложение стоячих волн в пленке на распределение интенсивности по глубине
Материал резистивного слоя претерпевает химические изменения в процесс экспонирования
Распределение интенсивности по глубине меняется во времени и должно рассчитываться в каждый момент времени отдельно по каждой из имеющихся длин волн
Распределение интенсивности света с длиной волны λ в пленке есть функция трех координат и времени: Iλ = Iλ(x, y, z, t)
№33 слайд
Содержание слайда: Физические и химические факторы, учитываемые при расчете распределения интенсивности по глубине
интенсивность освещения на поверхности резистивной пленки
уменьшение интенсивности с глубиной, связанное с поглощением света материалом пленки
отражение света от подложки и возникновение вертикальных стоячих волн
распад светочувствительного компонента в процессе экспонирования (отбеливание фоторезиста) в результате химических реакций и, как следствие, зависимость свойств материала пленки от времени
№34 слайд
Содержание слайда: Моделирование нестационарного процесса отбеливания материала резиста
№35 слайд
Содержание слайда: Схема алгоритма анализа прохождения света в тонких пленках
№36 слайд
Содержание слайда: Пример расчетных кривых для распределения интенсивности света в пленке фоторезиста
№37 слайд
Содержание слайда: Моделирование процесса проявления
№38 слайд
Содержание слайда: Скорость травления химически однородных резистов
№39 слайд
Содержание слайда: Полиномиальная аппроксимация скорости травления
№40 слайд
Содержание слайда: Типичный профиль края линии в фоторезисте
№41 слайд
Содержание слайда: Усовершенствованные методы фотолитографии для формирования наноразмерных структур
Оптическая коррекция фотошаблонов
Фазовая коррекция
Программные средства для моделирования: Sentaurus Lithography
Скачать все slide презентации Лекция 7. Моделирование технологических процессов. Травление, литография, проявление одним архивом:
