Презентация Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 57 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Физика » Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства. Светодиоды

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

57 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

2.90 MB
Просмотров:

69
Скачиваний:

0
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: Оптоэлектронные и квантовые приборы и устройства Лекция: Светодиоды В.М. Шандаров Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

№2 слайд

Содержание слайда: История создания

№3 слайд

Содержание слайда: К чему приводит прямое смещение

№4 слайд

Содержание слайда: Светодиод

№5 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№6 слайд

Содержание слайда: Светодиод

№7 слайд

Содержание слайда: Квантовый выход

№8 слайд

Содержание слайда: Потери

№9 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№10 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№11 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№12 слайд

Содержание слайда: На рис. показаны поперечные разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, полусферическую и усечённо сферическую геометрию. На рис. показаны поперечные разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, полусферическую и усечённо сферическую геометрию.

№13 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№14 слайд

Содержание слайда: Структура поверхностно излучающего светодиода

№15 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№16 слайд

Содержание слайда: Edge-emitting LED

№17 слайд

Содержание слайда:

№18 слайд

Содержание слайда: LED spectral patterns

№19 слайд

Содержание слайда: Светодиоды

№20 слайд

Содержание слайда: Light-emission cone

№21 слайд

Содержание слайда: Drawbacks of LED Large line width (30-40 nm) Large beam width (Little optical power coupled in to the fiber) Incoherency Low E/O conversion efficiency Advantages Robust Linear

№22 слайд

Содержание слайда:

№23 слайд

Содержание слайда:

№24 слайд

Содержание слайда:

№25 слайд

Содержание слайда:

№26 слайд

Содержание слайда:

№27 слайд

Содержание слайда:

№28 слайд

Содержание слайда:

№29 слайд

Содержание слайда: Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения в оптические волокна малого диаметра: светодиоды с излучающей поверхностью (рис.4) и с излучающей гранью (рис.). Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения в оптические волокна малого диаметра: светодиоды с излучающей поверхностью (рис.4) и с излучающей гранью (рис.).

№30 слайд

Содержание слайда:

№31 слайд

Содержание слайда:

№32 слайд

Содержание слайда:

№33 слайд

Содержание слайда:

№34 слайд

Содержание слайда:

№35 слайд

Содержание слайда:

№36 слайд

Содержание слайда:

№37 слайд

Содержание слайда:

№38 слайд

Содержание слайда:

№39 слайд

Содержание слайда:

№40 слайд

Содержание слайда: Фотоэлементы

№41 слайд

Содержание слайда: Фоторезисторы Это светочувствительные элементы, принцип действия которых основан на изменении проводимости полупроводникового материала под действием света. Он представляет собой пленку из полупроводникового материала (сернистый свинец, селенид кремния, сернистый кадмий), обладающего очень высокой чувствительностью к свету, которую наносят на стекло или керамику. В цепи источника постоянного или переменного напряжения фоторезистор изменяет свое сопротивление и ток в цепи в зависимости от интенсивности света.

№42 слайд

Содержание слайда: Фотодиоды Принцип действия: под действием оптического излучения образуется электронно-дырочная пара и в области пространственного заряда p-n перехода резко возрастает обратный ток фотодиода. Схема фотодиода:

№43 слайд

Содержание слайда: ВАХ диода на основе p-n – перехода

№44 слайд

Содержание слайда: p-n-фотодиод в оптической связи Две характеристики p-n-фотодиодов ограничивают их применение в волоконно-оптической связи. Во-первых, обедненная зона составляет достаточно малую часть всего объема диода, и большая часть поглощенных фотонов не приводит к генерации тока во внешнем контуре. Возникающие при этом электроны и дырки рекомбинируют на пути к области сильного поля. Для генерации тока достаточной силы требуется мощный световой источник. Во-вторых, наличие медленного отклика, обусловленного медленной диффузией, замедляет работу диода, делая его непригодным для средне- и высокоскоростных применений. Это позволяет использовать фотодиод на основе p-n – перехода только в килогерцовом диапазоне.

№45 слайд

Содержание слайда:

№46 слайд

Содержание слайда: P-i-n фотодиод

№47 слайд

Содержание слайда: Принцип работы

№48 слайд

Содержание слайда: Основные параметры чувствительность (в современных p-i-n-фотодиодах чувствительнось составляет величину от 10 нВт до 100 пВт , что соответствует -50 дБм - -70 дБм); квантовая эффективность (в p-i-n-фотодиодах обычно достигает 80%, для фотодиодов, сконструированных для применения в оптоволоконных линиях, емкость перехода равна 0,2 пФ при рабочей поверхности диода 200 мкм); время отклика (фотогенерированные носители в i-слое будут разделяться в сильном электрическом поле, и фотоотклик таких диодов будет быстрым).

№49 слайд