Презентация Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02 онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02 абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 12 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:12 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:217.07 kB
- Просмотров:61
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Полупроводниковые лазеры
Выполнила:
Вартанова Анна
У4-02
№2 слайд
Содержание слайда: Содержание:
Полупроводниковые лазеры и их особенности
Историческая справка
Люминесценция и инверсия населенностей в полупроводниках
Методы накачки в п.л.
Инжекционные лазеры
П.л. с электронной накачкой
П.л. материалы
Применение п.л.
№3 слайд
Содержание слайда: Полупроводниковый лазер -
полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В П. л. возбуждаются и излучают (коллективно) атомы, слагающие кристаллическую решётку.
№4 слайд
Содержание слайда: Важные особенности п.л.
Компактность
Высокая эффективность преобразования электрической энергии в энергию когерентного излучения (до 30—50%);
Малая инерционность, обусловливающая широкую полосу частот прямой модуляции (более 109 Ггц);
Простота конструкции;
Возможность перестройки длины волны излучения и наличие большого числа полупроводников, непрерывно перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм.
№5 слайд
Содержание слайда: Историческая справка:
1959 г. – опубликована первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера
1961 г. – для этих целей предложено применение p-n переходов
1962 г. – осуществлены п.л. На кристалле GaAs (США)
1964 г. – осуществлен п.л. с электронным возбуждением; сообщено о создании п.л. с оптической накачкой
1968 г. – созданы п.л. с использованием гетероструктуры.
№6 слайд
Содержание слайда: Люминесценция в полупроводниках (а)
Люминесценция в полупроводниках (а)
Инверсия населённостей в полупроводниках (б)
№7 слайд
Содержание слайда: Методы накачки в п.л.
Инжекция носителей тока через р—n-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры);
Накачка пучком быстрых электронов;
Оптическая накачка;
Накачка путём пробоя в электрическом поле.
Наибольшее развитие получили П. л. первых двух типов.
№8 слайд
Содержание слайда: Инжекционные лазеры
№9 слайд
Содержание слайда: П.л. с электронной накачкой
№10 слайд
Содержание слайда: Полупроводниковые лазерные материалы:
№11 слайд
Содержание слайда: Применение п.л.
Оптическая связь (портативный оптический телефон, многоканальные стационарные линии связи);
Оптическая локация и специальная автоматика (дальнометрия, высотометрия, автоматическое слежение и т.д.);
Оптоэлектроника (излучатель в оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические системы памяти),
Техника специального освещения (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров и др.);
Обнаружение загрязнений и примесей в различных средах;
Лазерное проекционное телевидение
№12 слайд
Содержание слайда: Спасибо за внимание!
Скачать все slide презентации Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02 одним архивом:
