Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
11 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
1.95 MB
Просмотров:
99
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img0.jpg)
Содержание слайда: ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА
СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ
МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ
№2 слайд![Цель работы Исследование](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img1.jpg)
Содержание слайда: Цель работы
Исследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора.
Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2
№3 слайд![Для реализации цели](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img2.jpg)
Содержание слайда: Для реализации цели:
Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;
Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах
№4 слайд![](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img3.jpg)
№5 слайд![](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img4.jpg)
№6 слайд![Топография монокристалов Si](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img5.jpg)
Содержание слайда: Топография монокристалов Si
№7 слайд![Атомно-силовая микроскопия](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img6.jpg)
Содержание слайда: Атомно-силовая микроскопия образца Si
№8 слайд![Схема трехосного](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img7.jpg)
Содержание слайда: Схема трехосного рентгеновского дифрактометра
Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырехкратным отражением, на второй – исследуемый образец, на третьей кристалл - анализатор .
№9 слайд![Кривые дифракционного](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img8.jpg)
Содержание слайда: Кривые дифракционного отражения монокристалла Si
№10 слайд![](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img9.jpg)
№11 слайд![Выводы .Воздействие ионной](/documents/b813862c977967cf053410bff0d9eeae/img10.jpg)
Содержание слайда: Выводы:
.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы кривых качания, особенно их “хвостов”, относительно исходной части образца. Наблюдается также незначительное увеличение полуширины кривых качания и отношения интегральной интенсивности к высоте максимума кривой.
Из полученного распределения имплантированных ионов следует, что максимальное значение концентрации имплантанта n=5.75·1019 см-3 наблюдается на глубине порядка ~2500Å.
Исходя из численных решений уравнений Такаги – Топена, а также из расчетов на основании обобщенной динамической теории дифракции рентгеновских лучей построен профили деформации в поверхностных слоях кремния
Оценены средний радиус и концентрация микродефектов: дискообразные кластеры – размер ~0,5 мкм, концентрация ~ 107÷108 см-3; сферические кластеры – размер ~0,011 мкм, концентрация ~1012÷1013 см-3 ; дислокационные петли – размер ~0,7 мкм, концентрация ~108÷109 см-3
Определенная с помощью атомно-силовой микроскопии высота Rа характерного рельефа неровностей на имплантированной ионами поверхности, равна ~0,273 нм