Презентация Формирование подзатворного диэлектрика. (Лекция 6) онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Формирование подзатворного диэлектрика. (Лекция 6) абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 54 слайда. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:54 слайда
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:10.58 MB
- Просмотров:66
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Лекция 6
Формирование подзатворного диэлектрика
№2 слайд
Содержание слайда: Нереализованный «полевой транзистор» Лилиенфельда.
№3 слайд
Содержание слайда: Принцип работы полевого транзистора
№4 слайд
Содержание слайда: Почему не работал МДП-транзистор
Управляющий электрод
Полупроводник
Соотношение между поверхностными ловушками (оборванные связи) и количеством индуцированных полем носителей
На один носитель - 100 ловушек!
№5 слайд
Содержание слайда: Разработчики метода пассивации поверхности кремния оксидом
№6 слайд
Содержание слайда: Почему стал работать МОП-транзистор
Эффект пассивации поверхности оксидом (1960-е гг. М. Аталла и Д. Кант )
Управляющий электрод
Оксид кремния
Кремний
Соотношение между поверхностными ловушками (оборванные связи) и количеством индуцированных полем носителей
На одну ловушку - 10 носителей!
№7 слайд
Содержание слайда: Почему стал работать МОП-транзистор
Эффект пассивации поверхности оксидом (1960-е гг. М. Аталла и Д. Кант )
Управляющий электрод
Оксид кремния
Кремний
Соотношение между поверхностными ловушками (оборванные связи) и количеством индуцированных полем носителей
На одну ловушку - 10 носителей!
№8 слайд
Содержание слайда: Почему неполная пассивация поверхности кремния
№9 слайд
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№10 слайд
Содержание слайда: Динамика изменения толщины подзатворного окисла
№11 слайд
Содержание слайда: Проблемы подзатворного диэлектрика
№12 слайд
Содержание слайда: Структура оксида кремния
№13 слайд
Содержание слайда: Ближний порядок
O O
O Si O Si O
O O
№14 слайд
Содержание слайда: Структура оксида кремния
№15 слайд
Содержание слайда: Кристаллические модификации оксида кремния
P
кварц тридимит кристаболит
№16 слайд
Содержание слайда: Почему растёт аморфный оксид кремния
№17 слайд
Содержание слайда: Дефекты аморфного оксида кремния
Отсутствие кремния
Отсутствие кислорода ( кислородная вакансия.)
Решеткообразующие примеси – замена кремния ( бор, фосфор, сурьма, мышьяк)
Решеткопреобразующие примеси – замена кислорода ( водород, гидроксил, натрий, калий, алюминий )
5. Кремний в междоузлии
6. Примеси ( ранее перечисленные) в междоузлии
№18 слайд
Содержание слайда: Последствия локальной кристаллизации аморфного оксида кремния
1. Разрушение решетки оксида
2. Ухудшение маскирующих свойств оксида
3. Токи утечки через оксид
4. Увеличенная скорость диффузии через оксид
5. Ухудшение эффекта пассивации поверхности кремния
6. Возникновение внутренних механических локальных напряжений
7. Повреждение металлизации
8. Изменение зарядового состояния системы кремний-оксид
9. Уменьшение подвижности носителей в канале МОПТ
№19 слайд
Содержание слайда: Факторы способствующие локальной кристаллизации аморфного оксида кремния
Длительные высокотемпературные обработки
Медленное охлаждение
Трёхвалентные решоткообразующие примеси ( бор )
Решоткопреобразующие примеси (водород, гидроксил, натрий, алюминий )
Частицы кварцевой пыли
Металлические примеси в междоузлии
№20 слайд
Содержание слайда: Факторы подавляющие локальную кристаллизацию аморфного оксида кремния
Уменьшение температуры и длительности термообработок.
Быстрое охлаждение
Пятивалентные решоткообразующие примеси ( фосфор, сурьма, мышьяк )
Окисление в сухом кислороде
Стерильность процесса окисления
№21 слайд
Содержание слайда: Структура системы кремний-оксид
Оксид Кремний
кремния
монокристалл аморфный
Кристаллизованный Аморфизированный
оксид кремний
№22 слайд
Содержание слайда: Зарядовое состояние системы
кремний-оксид
№23 слайд
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№24 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля
№25 слайд
Содержание слайда: Зарядовое состояние системы кремний-оксид
Слон и семеро слепцов Р.Донована
№26 слайд
Содержание слайда: Заряды в системе кремний-оксид кремния
№27 слайд
Содержание слайда: Постоянный заряд
Расположен в оксиде вблизи поверхности кремния (20 А0)
Всегда положительный
Не зависит от типа проводимости и концентрации примеси в кремнии
Больший при ориентации поверхности кремния (111)
Не меняется под воздействием внешних электрических полей
Уменьшается при увеличении температуры окисления
Увеличивается при окислении в парах воды
Уменьшается при термообработке в азоте или аргоне
при 400 0С
№28 слайд
Содержание слайда: Образование кислородных вакансий
№29 слайд
Содержание слайда: Постоянный заряд
O
+
O Si O Si O
O O
№30 слайд
Содержание слайда: Почему кислородная вакансия донор
№31 слайд
Содержание слайда: Треугольник Дилла
№32 слайд
Содержание слайда: Поверхностные состояния в системе кремний-оксид
№33 слайд
Содержание слайда: Поверхностные состояния
Расположены на поверхности кремния
Больше при ориентации поверхности кремния (111)
Уменьшаются при окислении в парах воды
Уменьшаются при обработке хлором
Величина и знак заряда зависит от внешнего потенциала
Имеются быстрые и медленные состояния
Увеличивается при избыточной концентрации водорода
№34 слайд
Содержание слайда: Свободные связи в объеме окисла кремния
№35 слайд
Содержание слайда: Эффект образования горячих носителей
№36 слайд
Содержание слайда: Влияние водорода в окисле на плотность поверхностных состояний и захват горячих носителей
№37 слайд
Содержание слайда: Мигрирующий заряд
Расположен в объеме оксида
Чаще положительный (Na+, K+, H+ )
Уменьшается при введении в оксид фосфора
Увеличивается при нанесении на оксид алюминия и последующей низкотемпераnурной обработке
Увеличивается при окислении в парах воды
Уменьшается при термообработке в сухом кислороде
№38 слайд
Содержание слайда: Оптимизация процесса подзатворного окисления кремния
№39 слайд
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№40 слайд
Содержание слайда: Микрофотография МОП структуры
№41 слайд
Содержание слайда: Проблемы подзатворного диэлектрика
№42 слайд
Содержание слайда: Токи через диэлектрик
№43 слайд
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на накопленный заряд при положительном смещении
№44 слайд
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на накопленный заряд при отрицательном смещении
№45 слайд
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на диффузию бора в диэлектрике
№46 слайд
Содержание слайда: Влияние фтора на диффузию бора
в диэлектрике
№47 слайд
Содержание слайда: Распределение азота и кислорода в окисле при нитридизации в N2O и NH3 с реокислением
№48 слайд
Содержание слайда: Влияние азота в окисле
на короткоканальные эффекты
№49 слайд
Содержание слайда: Причина возникновения обратного короткоканального эффекта
№50 слайд
Содержание слайда: Причина подавления обратного короткоканального эффекта азотом
№51 слайд
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на плотность поверхностных состояний
№52 слайд
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на пороговые напряжения МОПТ
№53 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности электронов от концентрации азота в окисле
№54 слайд
Содержание слайда: Оптимизация процесса нитридизации окисла по предельно допустимой концентрации азота
Скачать все slide презентации Формирование подзатворного диэлектрика. (Лекция 6) одним архивом:
