Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
54 слайда
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
10.58 MB
Просмотров:
66
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Лекция Формирование](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img0.jpg)
Содержание слайда: Лекция 6
Формирование подзатворного диэлектрика
№2 слайд![Нереализованный полевой](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img1.jpg)
Содержание слайда: Нереализованный «полевой транзистор» Лилиенфельда.
№3 слайд![Принцип работы полевого](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img2.jpg)
Содержание слайда: Принцип работы полевого транзистора
№4 слайд![Почему не работал](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img3.jpg)
Содержание слайда: Почему не работал МДП-транзистор
Управляющий электрод
Полупроводник
Соотношение между поверхностными ловушками (оборванные связи) и количеством индуцированных полем носителей
На один носитель - 100 ловушек!
№5 слайд![Разработчики метода](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img4.jpg)
Содержание слайда: Разработчики метода пассивации поверхности кремния оксидом
№6 слайд![Почему стал работать](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img5.jpg)
Содержание слайда: Почему стал работать МОП-транзистор
Эффект пассивации поверхности оксидом (1960-е гг. М. Аталла и Д. Кант )
Управляющий электрод
Оксид кремния
Кремний
Соотношение между поверхностными ловушками (оборванные связи) и количеством индуцированных полем носителей
На одну ловушку - 10 носителей!
№7 слайд![Почему стал работать](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img6.jpg)
Содержание слайда: Почему стал работать МОП-транзистор
Эффект пассивации поверхности оксидом (1960-е гг. М. Аталла и Д. Кант )
Управляющий электрод
Оксид кремния
Кремний
Соотношение между поверхностными ловушками (оборванные связи) и количеством индуцированных полем носителей
На одну ловушку - 10 носителей!
№8 слайд![Почему неполная пассивация](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img7.jpg)
Содержание слайда: Почему неполная пассивация поверхности кремния
№9 слайд![Пороговое напряжение](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img8.jpg)
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№10 слайд![Динамика изменения толщины](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img9.jpg)
Содержание слайда: Динамика изменения толщины подзатворного окисла
№11 слайд![Проблемы подзатворного](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img10.jpg)
Содержание слайда: Проблемы подзатворного диэлектрика
№12 слайд![Структура оксида кремния](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img11.jpg)
Содержание слайда: Структура оксида кремния
№13 слайд![Ближний порядок O O O Si O Si](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img12.jpg)
Содержание слайда: Ближний порядок
O O
O Si O Si O
O O
№14 слайд![Структура оксида кремния](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img13.jpg)
Содержание слайда: Структура оксида кремния
№15 слайд![Кристаллические модификации](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img14.jpg)
Содержание слайда: Кристаллические модификации оксида кремния
P
кварц тридимит кристаболит
№16 слайд![Почему растёт аморфный оксид](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img15.jpg)
Содержание слайда: Почему растёт аморфный оксид кремния
№17 слайд![Дефекты аморфного оксида](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img16.jpg)
Содержание слайда: Дефекты аморфного оксида кремния
Отсутствие кремния
Отсутствие кислорода ( кислородная вакансия.)
Решеткообразующие примеси – замена кремния ( бор, фосфор, сурьма, мышьяк)
Решеткопреобразующие примеси – замена кислорода ( водород, гидроксил, натрий, калий, алюминий )
5. Кремний в междоузлии
6. Примеси ( ранее перечисленные) в междоузлии
№18 слайд![Последствия локальной](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img17.jpg)
Содержание слайда: Последствия локальной кристаллизации аморфного оксида кремния
1. Разрушение решетки оксида
2. Ухудшение маскирующих свойств оксида
3. Токи утечки через оксид
4. Увеличенная скорость диффузии через оксид
5. Ухудшение эффекта пассивации поверхности кремния
6. Возникновение внутренних механических локальных напряжений
7. Повреждение металлизации
8. Изменение зарядового состояния системы кремний-оксид
9. Уменьшение подвижности носителей в канале МОПТ
№19 слайд![Факторы способствующие](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img18.jpg)
Содержание слайда: Факторы способствующие локальной кристаллизации аморфного оксида кремния
Длительные высокотемпературные обработки
Медленное охлаждение
Трёхвалентные решоткообразующие примеси ( бор )
Решоткопреобразующие примеси (водород, гидроксил, натрий, алюминий )
Частицы кварцевой пыли
Металлические примеси в междоузлии
№20 слайд![Факторы подавляющие локальную](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img19.jpg)
Содержание слайда: Факторы подавляющие локальную кристаллизацию аморфного оксида кремния
Уменьшение температуры и длительности термообработок.
Быстрое охлаждение
Пятивалентные решоткообразующие примеси ( фосфор, сурьма, мышьяк )
Окисление в сухом кислороде
Стерильность процесса окисления
№21 слайд![Структура системы](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img20.jpg)
Содержание слайда: Структура системы кремний-оксид
Оксид Кремний
кремния
монокристалл аморфный
Кристаллизованный Аморфизированный
оксид кремний
№22 слайд![Зарядовое состояние системы](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img21.jpg)
Содержание слайда: Зарядовое состояние системы
кремний-оксид
№23 слайд![Пороговое напряжение](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img22.jpg)
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№24 слайд![Зависимость подвижности](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img23.jpg)
Содержание слайда: Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля
№25 слайд![Зарядовое состояние системы](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img24.jpg)
Содержание слайда: Зарядовое состояние системы кремний-оксид
Слон и семеро слепцов Р.Донована
№26 слайд![Заряды в системе](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img25.jpg)
Содержание слайда: Заряды в системе кремний-оксид кремния
№27 слайд![Постоянный заряд Расположен в](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img26.jpg)
Содержание слайда: Постоянный заряд
Расположен в оксиде вблизи поверхности кремния (20 А0)
Всегда положительный
Не зависит от типа проводимости и концентрации примеси в кремнии
Больший при ориентации поверхности кремния (111)
Не меняется под воздействием внешних электрических полей
Уменьшается при увеличении температуры окисления
Увеличивается при окислении в парах воды
Уменьшается при термообработке в азоте или аргоне
при 400 0С
№28 слайд![Образование кислородных](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img27.jpg)
Содержание слайда: Образование кислородных вакансий
№29 слайд![Постоянный заряд O O Si O Si](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img28.jpg)
Содержание слайда: Постоянный заряд
O
+
O Si O Si O
O O
№30 слайд![Почему кислородная вакансия](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img29.jpg)
Содержание слайда: Почему кислородная вакансия донор
№31 слайд![Треугольник Дилла](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img30.jpg)
Содержание слайда: Треугольник Дилла
№32 слайд![Поверхностные состояния в](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img31.jpg)
Содержание слайда: Поверхностные состояния в системе кремний-оксид
№33 слайд![Поверхностные состояния](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img32.jpg)
Содержание слайда: Поверхностные состояния
Расположены на поверхности кремния
Больше при ориентации поверхности кремния (111)
Уменьшаются при окислении в парах воды
Уменьшаются при обработке хлором
Величина и знак заряда зависит от внешнего потенциала
Имеются быстрые и медленные состояния
Увеличивается при избыточной концентрации водорода
№34 слайд![Свободные связи в объеме](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img33.jpg)
Содержание слайда: Свободные связи в объеме окисла кремния
№35 слайд![Эффект образования горячих](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img34.jpg)
Содержание слайда: Эффект образования горячих носителей
№36 слайд![Влияние водорода в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img35.jpg)
Содержание слайда: Влияние водорода в окисле на плотность поверхностных состояний и захват горячих носителей
№37 слайд![Мигрирующий заряд Расположен](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img36.jpg)
Содержание слайда: Мигрирующий заряд
Расположен в объеме оксида
Чаще положительный (Na+, K+, H+ )
Уменьшается при введении в оксид фосфора
Увеличивается при нанесении на оксид алюминия и последующей низкотемпераnурной обработке
Увеличивается при окислении в парах воды
Уменьшается при термообработке в сухом кислороде
№38 слайд![Оптимизация процесса](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img37.jpg)
Содержание слайда: Оптимизация процесса подзатворного окисления кремния
№39 слайд![Пороговое напряжение](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img38.jpg)
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№40 слайд![Микрофотография МОП структуры](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img39.jpg)
Содержание слайда: Микрофотография МОП структуры
№41 слайд![Проблемы подзатворного](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img40.jpg)
Содержание слайда: Проблемы подзатворного диэлектрика
№42 слайд![Токи через диэлектрик](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img41.jpg)
Содержание слайда: Токи через диэлектрик
№43 слайд![Влияние азота в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img42.jpg)
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на накопленный заряд при положительном смещении
№44 слайд![Влияние азота в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img43.jpg)
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на накопленный заряд при отрицательном смещении
№45 слайд![Влияние азота в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img44.jpg)
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на диффузию бора в диэлектрике
№46 слайд![Влияние фтора на диффузию](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img45.jpg)
Содержание слайда: Влияние фтора на диффузию бора
в диэлектрике
№47 слайд![Распределение азота и](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img46.jpg)
Содержание слайда: Распределение азота и кислорода в окисле при нитридизации в N2O и NH3 с реокислением
№48 слайд![Влияние азота в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img47.jpg)
Содержание слайда: Влияние азота в окисле
на короткоканальные эффекты
№49 слайд![Причина возникновения](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img48.jpg)
Содержание слайда: Причина возникновения обратного короткоканального эффекта
№50 слайд![Причина подавления обратного](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img49.jpg)
Содержание слайда: Причина подавления обратного короткоканального эффекта азотом
№51 слайд![Влияние азота в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img50.jpg)
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на плотность поверхностных состояний
№52 слайд![Влияние азота в окисле на](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img51.jpg)
Содержание слайда: Влияние азота в окисле на пороговые напряжения МОПТ
№53 слайд![Зависимость подвижности](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img52.jpg)
Содержание слайда: Зависимость подвижности электронов от концентрации азота в окисле
№54 слайд![Оптимизация процесса](/documents_6/641d7f0d001b8570e8918c7bb0af664e/img53.jpg)
Содержание слайда: Оптимизация процесса нитридизации окисла по предельно допустимой концентрации азота