Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
24 слайда
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
6.13 MB
Просмотров:
63
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Лекция Использование high-k](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img0.jpg)
Содержание слайда: Лекция 7
Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ
при
№2 слайд![Изменение толщины](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img1.jpg)
Содержание слайда: Изменение толщины подзатворного окисла с уменьшением размеров элементов
№3 слайд![ВАХ подзатворного диэлектрика](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img2.jpg)
Содержание слайда: ВАХ подзатворного диэлектрика
№4 слайд![Токи через диэлектрик](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img3.jpg)
Содержание слайда: Токи через диэлектрик
№5 слайд![Граница применимости окисла](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img4.jpg)
Содержание слайда: Граница применимости окисла кремния в качестве подзатворного диэлектрика
№6 слайд![Эквивалентная толщина](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img5.jpg)
Содержание слайда: Эквивалентная толщина диэлектрика
Тэ = Tд х кок/кд
Тэ - эквивалентная толщина диэлектрика (по оксиду кремния)
Тд - толщина high-k диэлектрика
кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния
№7 слайд![Влияние диэлектрической](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img6.jpg)
Содержание слайда: Влияние диэлектрической проницаемости на физическую толщину диэлектрика
№8 слайд![Влияние проницаемости high-k](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img7.jpg)
Содержание слайда: Влияние проницаемости high-k диэлектриков на эквивалентную и физическую толщины
№9 слайд![High k диэлектрики](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img8.jpg)
Содержание слайда: High – k диэлектрики
№10 слайд![Уменьшение подвижности](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img9.jpg)
Содержание слайда: Уменьшение подвижности носителей в канале в МОПТ с high-k диэлектриками
№11 слайд![Зависимость подвижности](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img10.jpg)
Содержание слайда: Зависимость подвижности электронов от толщины промежуточного окисла
№12 слайд![Влияние промежуточного слоя](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img11.jpg)
Содержание слайда: Влияние промежуточного слоя окисла на необходимые параметры high-k диэлектрика
№13 слайд![Зависимость подвижности в](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img12.jpg)
Содержание слайда: Зависимость подвижности в канале МОПТ от эквивалентной толщины подзатворных диэлектриков с промежуточным окислом
№14 слайд![Проницаемость диэлектриков в](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img13.jpg)
Содержание слайда: Проницаемость диэлектриков в зависимости от ширины запрещенной зоны
№15 слайд![Влияние ширины запрещенной](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img14.jpg)
Содержание слайда: Влияние ширины запрещенной зоны и проницаемости на токи утечки для различных эквивалентных толщин
№16 слайд![Влияние краевых эффектов на](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img15.jpg)
Содержание слайда: Влияние краевых эффектов на максимальную толщину high-k диэлектриков
№17 слайд![Влияние проницаемости](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img16.jpg)
Содержание слайда: Влияние проницаемости диэлектрика на пороговое напряжение и DIBL- эффект
№18 слайд![Влияние диэлектрической](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img17.jpg)
Содержание слайда: Влияние диэлектрической проницаемости на поле стока в канале МОПТ
№19 слайд![Изменение порогового](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img18.jpg)
Содержание слайда: Изменение порогового напряжения при использовании диэлектриков с различной проницаемостью
№20 слайд![Диапазон оптимальной](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img19.jpg)
Содержание слайда: Диапазон оптимальной проницаемости диэлектрика в зависимости от толщины промежуточного оксида
№21 слайд![Значения работы выхода для](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img20.jpg)
Содержание слайда: Значения работы выхода для металлов
№22 слайд![Проблемы формирования МОПТ с](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img21.jpg)
Содержание слайда: Проблемы формирования МОПТ с high-k диэлектриком и металлическим затвором
№23 слайд![Микрофотография структуры с](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img22.jpg)
Содержание слайда: Микрофотография структуры
с high – k диэлектриком
№24 слайд![Литература . MOS Scaling](/documents_6/23ae9d5e0051d6998b38d456c71bd33d/img23.jpg)
Содержание слайда: Литература
1. MOS Scaling: Transistor Challenges for the21st Century. Intel Technology Journal 03\98
2. SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERAVol. 4 – Deep-Submicron Process Technology© 2002 LATTICE PRESS
3. EE 311 Note/Prof.Saraswai print 2003
4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Москва: Техносила. 2011.
5. B.H.Lee at all. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Manageme. IEEE Transactions on Electron Devices vol 55 No 1 2008
6. N.R.Mohapatra at all. The Effect High-K Dielectrics on Deep Submicrometr CMOS Device and Circuit Performance