Презентация Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7) онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7) абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 24 слайда. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:24 слайда
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:6.13 MB
- Просмотров:63
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Лекция 7
Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ
при
№2 слайд
Содержание слайда: Изменение толщины подзатворного окисла с уменьшением размеров элементов
№3 слайд
Содержание слайда: ВАХ подзатворного диэлектрика
№4 слайд
Содержание слайда: Токи через диэлектрик
№5 слайд
Содержание слайда: Граница применимости окисла кремния в качестве подзатворного диэлектрика
№6 слайд
Содержание слайда: Эквивалентная толщина диэлектрика
Тэ = Tд х кок/кд
Тэ - эквивалентная толщина диэлектрика (по оксиду кремния)
Тд - толщина high-k диэлектрика
кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния
№7 слайд
Содержание слайда: Влияние диэлектрической проницаемости на физическую толщину диэлектрика
№8 слайд
Содержание слайда: Влияние проницаемости high-k диэлектриков на эквивалентную и физическую толщины
№9 слайд
Содержание слайда: High – k диэлектрики
№10 слайд
Содержание слайда: Уменьшение подвижности носителей в канале в МОПТ с high-k диэлектриками
№11 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности электронов от толщины промежуточного окисла
№12 слайд
Содержание слайда: Влияние промежуточного слоя окисла на необходимые параметры high-k диэлектрика
№13 слайд
Содержание слайда: Зависимость подвижности в канале МОПТ от эквивалентной толщины подзатворных диэлектриков с промежуточным окислом
№14 слайд
Содержание слайда: Проницаемость диэлектриков в зависимости от ширины запрещенной зоны
№15 слайд
Содержание слайда: Влияние ширины запрещенной зоны и проницаемости на токи утечки для различных эквивалентных толщин
№16 слайд
Содержание слайда: Влияние краевых эффектов на максимальную толщину high-k диэлектриков
№17 слайд
Содержание слайда: Влияние проницаемости диэлектрика на пороговое напряжение и DIBL- эффект
№18 слайд
Содержание слайда: Влияние диэлектрической проницаемости на поле стока в канале МОПТ
№19 слайд
Содержание слайда: Изменение порогового напряжения при использовании диэлектриков с различной проницаемостью
№20 слайд
Содержание слайда: Диапазон оптимальной проницаемости диэлектрика в зависимости от толщины промежуточного оксида
№21 слайд
Содержание слайда: Значения работы выхода для металлов
№22 слайд
Содержание слайда: Проблемы формирования МОПТ с high-k диэлектриком и металлическим затвором
№23 слайд
Содержание слайда: Микрофотография структуры
с high – k диэлектриком
№24 слайд
Содержание слайда: Литература
1. MOS Scaling: Transistor Challenges for the21st Century. Intel Technology Journal 03\98
2. SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERAVol. 4 – Deep-Submicron Process Technology© 2002 LATTICE PRESS
3. EE 311 Note/Prof.Saraswai print 2003
4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Москва: Техносила. 2011.
5. B.H.Lee at all. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Manageme. IEEE Transactions on Electron Devices vol 55 No 1 2008
6. N.R.Mohapatra at all. The Effect High-K Dielectrics on Deep Submicrometr CMOS Device and Circuit Performance
Скачать все slide презентации Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7) одним архивом:
