Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
11 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
223.23 kB
Просмотров:
80
Скачиваний:
1
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![IGBT биполярные транзисторы](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img0.jpg)
Содержание слайда: IGBT биполярные транзисторы
№2 слайд![История Биполярный точечный](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img1.jpg)
Содержание слайда: История
Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение
последующих лет он
зарекомендовал себя как
основной элемент для
изготовления интегральных
микросхем, использующих
транзисторно-транзисторную,
резисторно-транзисторную
и диодно-транзисторную логику
№3 слайд![Общие сведения Биполярный](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img2.jpg)
Содержание слайда: Общие сведения
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трёх областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления мощности
Эти области разделяются электронно-дырочными переходами(э-д переходами). Особенность транзистора состоит в том, что между его э-д переходами существует взаимодействие - ток одного из электродов может управлять током другого. Такое управление возможно, потому что носители заряда, инжектированные через один из э-д переходов могут до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток.
Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимиости от этого различают три режима работы транзистора:
№4 слайд![Режимы работы .Режим отсечки](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img3.jpg)
Содержание слайда: Режимы работы
1.Режим отсечки - оба э-д перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идёт сравнительно небольшой ток;
2.Режим насыщения - оба э-д перехода открыты;
3.Активный режим - один из э-д переходов открыт, а другой закрыт.
№5 слайд![Условное обозначение](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img4.jpg)
Содержание слайда: Условное обозначение
№6 слайд![Схемы включения](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img5.jpg)
Содержание слайда: Схемы включения
№7 слайд![Биполярный транзистор с](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img6.jpg)
Содержание слайда: Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT )
Полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком.
№8 слайд![Развитие IGBT I поколение](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img7.jpg)
Содержание слайда: Развитие IGBT
I поколение IGBT (1985 г.): предельные коммутируемые напряжения 1000 В и токи 200 А в модульном и 25 А в дискретном исполнении, прямые падения напряжения в открытом состоянии 3,0-3,5 В, частоты коммутации до 5 кГц (время включения/выключения около 1 мкс).
II поколение (1991 г.): коммутируемые напряжения до 1600 В, токи до 500 А в модульном и 50 А в дискретном исполнении; прямое падение напряжения 2,5-3,0 В, частота коммутации до 20 кГц ( время включения/ выключения около 0,5 мкс).
III поколение (1994 г.): коммутируемое напряжение до 3500 В, токи 1200 А в модульном исполнении. Для приборов с напряжением до 1800 В и токов до 600 А прямое падение напряжения составляет 1,5-2,2 В, частоты коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).
IV поколение (1998 г.): коммутируемое напряжение до 4500 В, токи до 1800 А в модульном исполнении; прямое падение напряжения 1,0-1,5 В, частота коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).
№9 слайд![Схематичный разрез структуры](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img8.jpg)
Содержание слайда: Схематичный разрез структуры IGBT
обычного (планарного) выполненого по
"trench-gate technology”
№10 слайд![IGBT-модули Типовая](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img9.jpg)
Содержание слайда: IGBT-модули
Типовая конструкция IGBT-модуля:
1 - кристалл;
2 - слой керамики;
3 - спайка;
4 - нижнее тепловыводящее основание
№11 слайд![Основные области применения и](/documents_6/1175b381ff296fcb1ce8540678214b37/img10.jpg)
Содержание слайда: Основные области применения и промышленное производство IGBT-модулей в России
Современные IGBT-модули находят сегодня широкое применение при создании неуправляемых и управляемых выпрямителей, автономных инверторов для питания двигателей постоянного и переменного тока средней мощности преобразователей индукционного нагрева, сварочных аппаратов, источников бесперебойного питания, бытовой и студийной техники.