Презентация Транзисторы биполярные и униполярные онлайн

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Биполярные транзисторы имеют три вывода и конструктивно выглядят совершенно по разному, но на электрических схемах они выглядят всегда одинаково.

Содержание слайда: Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны или «дырки» ). Т.е. для p-n-p транзистора электроны перемещаются от эмиттера к коллектору и управляются базой. Для n-p-n транзистора электроны идут уже от коллектора к эмиттеру и управляются базой. Вывод: для того чтобы в схеме заменить транзистор одного типа проводимости на другой достаточно изменить полярность приложенного напряжения. Или поменять полярность источника питания.

Содержание слайда: Выводы транзисторов определяют по справочнику, но можно просто  прозвонить транзистор мультиметром.  Выводы транзисторов определяют по справочнику, но можно просто  прозвонить транзистор мультиметром.  Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке (в области базы). Слева изображена картинка для транзистора p-n-p типа,  при прозвонке  создается ощущение (посредством показаний мультиметра ), что перед вами два диода которые соединены в одной точке своими катодами. Для транзистора  n-p-n типа  диоды в точке базы соединены своими анодами.

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Как работает транзистор?

Содержание слайда:

Содержание слайда: Физические процессы, происходящие Физические процессы, происходящие во время работы биполярного транзистора. - Для примера возьмем модель NPN. Принцип работы транзистора PNP аналогичен, только полярность напряжения между коллектором и эмиттером будет противоположной. - В полупроводниках, в веществе P-типа находятся положительно заряженные ионы - дырки. Вещество N-типа насыщено отрицательно заряженными электронами.

Содержание слайда: Работа биполярного транзистора

Содержание слайда: Подключим источник напряжения между коллектором и эмиттером VКЭ (VCE). Подключим источник напряжения между коллектором и эмиттером VКЭ (VCE). Под его действием, электроны из верхней N части начнут притягиваться к плюсу и собираться возле коллектора. Однако ток не сможет идти, потому что электрическое поле источника напряжения не достигает эмиттера. Этому мешает толстая прослойка полупроводника коллектора плюс прослойка полупроводника базы.

Содержание слайда: Подключим напряжение между базой и эмиттером, но значительно ниже чем коллектором и эмиттером (для кремниевых транзисторов минимальное необходимое VBE - 0.6V). Поскольку прослойка P очень тонкая, плюс источника напряжения подключенного к базе, сможет "дотянуться" своим электрическим полем до N области эмиттера. Под его действием электроны направятся к базе. Часть из них начнет заполнять находящиеся там дырки (рекомбинировать). Другая часть не найдет себе свободную дырку, потому что концентрация дырок в базе гораздо ниже концентрации электронов в эмиттере. В результате центральный слой базы обогащается свободными электронами. Большинство из них направится в сторону коллектора, поскольку там напряжение намного выше. Так же этому способствует очень маленькая толщина центрального слоя. Какая-то часть электронов, хоть гораздо меньшая, все равно потечет в сторону + базы.

Содержание слайда: В итоге мы получаем два тока: В итоге мы получаем два тока: маленький - от базы к эмиттеру IBE, и большой - от коллектора к эмиттеру ICE. Если увеличить напряжение на базе, то в прослойке P соберётся еще больше электронов. В результате немного усилится ток базы, и значительно усилится ток коллектора. Таким образом, при небольшом изменении тока базы IB, сильно меняется ток коллектора IС. Так и происходит усиление сигнала в биполярном транзисторе. Соотношение тока коллектора IС к току базы IB называется коэффициентом усиления по току. β = IC / IB

Содержание слайда: Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. Коллектор имеет более положительный потенциал , чем эмиттер Цепи база — коллектор и база — эмиттер работают как диоды Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы. Из этой формулы определено основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора. где-коэффициент усиления по току , его обозначают

Содержание слайда:

Содержание слайда: Инверсный режим транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняют местами. В результате таких манипуляций коэффициент усиления транзистора очень сильно страдает. Транзистор изначально проектировался не для того, чтобы он работал в таком особенном режиме.

Содержание слайда: Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. В результате ток базы отсутствует и следовательно ток коллектора тоже будет отсутствовать.

Содержание слайда: Режим насыщения транзистора — в этот режим транзистор переходит тогда, когда ток базы становится настолько большим, что мощности источника питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора. В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.

Содержание слайда: Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора. В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся. Ток базы достаточен и ток коллектора тоже имеется. Ток коллектора равняется току базы умноженному на коэффициент усиления.

Содержание слайда:

Содержание слайда:

Содержание слайда: Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе