Презентация Напівпровідникові діоди та їх використання онлайн

Содержание слайда: Напівпровідникові діоди та їх використання

Содержание слайда: План Діод. Види діодів. Вольт-амперна характеристика діода. Напівпровідниковий діод. Випрямні електричні переходи (електронно-дірковий, гетероперехід, контакт метал-напівпровідник). Діод Шотткі. Класифікація напівпровідникових діодів. Використання.

Содержание слайда: Діод  — електронний прилад з двома електродами, що пропускає електричний струм лише в одному напрямі. Діод  — електронний прилад з двома електродами, що пропускає електричний струм лише в одному напрямі.

Содержание слайда:

Содержание слайда: Вольт-амперна характеристика діода

Содержание слайда: Напівпровідниковий діод – це напівпровідниковий прилад з одним випрямим електричним переходом і двома зовнішніми виводами. Напівпровідниковий діод – це напівпровідниковий прилад з одним випрямим електричним переходом і двома зовнішніми виводами.

Содержание слайда: Принцип роботи напівпровідникового діода відкрив у 1874 році Карл Фердинанд Брау. Перший радіоприймач з використанням кристалічного діода сконструював Грінліф Віттер Пікард. Свій винахід він запатентував у 1906 році. Принцип роботи напівпровідникового діода відкрив у 1874 році Карл Фердинанд Брау. Перший радіоприймач з використанням кристалічного діода сконструював Грінліф Віттер Пікард. Свій винахід він запатентував у 1906 році.

Содержание слайда: Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гетероперехід або контакт метал-напівпровідник. Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гетероперехід або контакт метал-напівпровідник.

Содержание слайда: Електронно-дірковий перехід (p-n перехід) — область контакту напівпровідників p- та n-типу, яка характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. Електронно-дірковий перехід (p-n перехід) — область контакту напівпровідників p- та n-типу, яка характеризується одностороннім пропусканням електричного струму.

Содержание слайда: Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками. Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками. Термін вживається на противагу p-n переходу, в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу.

Содержание слайда: Структура і властивості контактів метал - напівпровідник залежать від розташування рівнів Ферми (конструкція, основні елементи якої працюють на розтягування-стискання) в тім і іншому шарі і від величини роботи виходу, необхідної для переводу електрона з рівня Ферми у вакуум. Структура і властивості контактів метал - напівпровідник залежать від розташування рівнів Ферми (конструкція, основні елементи якої працюють на розтягування-стискання) в тім і іншому шарі і від величини роботи виходу, необхідної для переводу електрона з рівня Ферми у вакуум.

Содержание слайда: Діод Шотткі (названий на честь німецького фізика Шотткі Вальтера), також відомий, як «діод з гарячими носіями», є напівпровідниковим діодом з низьким значенням падіння прямої напруги, та дуже швидким перемиканням. Діоди Шотткі використовують перехід метал-напівпровідник, як бар'єр Шотткі, (замість p-n переходу як у звичайних діодів). Діод Шотткі (названий на честь німецького фізика Шотткі Вальтера), також відомий, як «діод з гарячими носіями», є напівпровідниковим діодом з низьким значенням падіння прямої напруги, та дуже швидким перемиканням. Діоди Шотткі використовують перехід метал-напівпровідник, як бар'єр Шотткі, (замість p-n переходу як у звичайних діодів).

Содержание слайда: Кому цікаво * У напівпровіднику n -типу електрони беруть участь у тепловому русі й дифундують через межу в напівпровідник р-типу, де їх концентрація є значно меншою. Так само дірки будуть дифундувати з напівпровідника р-типу в напівпровідник n -типу. Це відбувається подібно до того, як атоми розчиненої речовини дифундують із міцного розчину в слабкий під час їхнього зіткнення. Якщо приєднати напівпровідник n-типу до позитивного, а р-типу до негативного полюса джерела, то приконтактна область розширяється. Опір області значно збільшується. Струм через перехідний шар буде дуже малий. Цей напрям струму називають запірним: у цьому напрямі електричний струм практично не проходить через контакт напівпровідників. Утворення запірного шару при контакті напівпровідників р- та n- типів розлянемо на такому малюнку:

Содержание слайда: Класифікація напівпровідникових діодів

Содержание слайда: За матеріалом: германієві, кремнієві, арсенідо-галієві, фосфідо-індієві. За матеріалом: германієві, кремнієві, арсенідо-галієві, фосфідо-індієві.

Содержание слайда: Тунельні (діоди Лео Есакі) — напівпровідникові елементи електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю, наявність якої базується на кванотовомеханічних ефектах. Застосовуються як підсилювачі, генератори тощо. Тунельні (діоди Лео Есакі) — напівпровідникові елементи електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю, наявність якої базується на кванотовомеханічних ефектах. Застосовуються як підсилювачі, генератори тощо.

Содержание слайда: Лавинно-пролітні напівпровідникові діоди, що працюють в режимі лавинного розмноження носіїв заряду при зворотному зміщенні електричного переходу та призначені для генерування надвисокочастотних коливань. Лавинно-пролітні напівпровідникові діоди, що працюють в режимі лавинного розмноження носіїв заряду при зворотному зміщенні електричного переходу та призначені для генерування надвисокочастотних коливань.

Содержание слайда: Фотодіоди — це приймачі оптичного випромінювання, які перетворюють світло, що падає на його фоточутливу область в електричний заряд за рахунок процесів в p-n переході. Фотодіоди — це приймачі оптичного випромінювання, які перетворюють світло, що падає на його фоточутливу область в електричний заряд за рахунок процесів в p-n переході.

Содержание слайда: Світлодіоди  — напівпровідникові пристрої, що випромінюють некогерентне світло, при пропусканні через них електричного струму (ефект, відомий як електролюмінесценція). Світлодіоди  — напівпровідникові пристрої, що випромінюють некогерентне світло, при пропусканні через них електричного струму (ефект, відомий як електролюмінесценція).

Содержание слайда: Діоди Ганна — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ (надвисокочастотне випромінювання). На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника. Діоди Ганна — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ (надвисокочастотне випромінювання). На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника.

Содержание слайда:

Содержание слайда: Використання Діоди широко використовуються в електротехніці, електроніці та радіотехніці.

Содержание слайда: