Презентация Описание элементной базы PCI видеокарты онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Описание элементной базы PCI видеокарты абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 14 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Технология » Описание элементной базы PCI видеокарты
Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:14 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:780.87 kB
- Просмотров:70
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№4 слайд
![. Интегральная схема](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img3.jpg)
Содержание слайда: 1. Интегральная схема специального назначения
ASIC (аббревиатура от англ. application-specific integrated circuit, «интегральная схема специального назначения») — интегральная схема, специализированная для решения конкретной задачи. В отличие от обычных интегральных схем для общего назначения, специализированные интегральные схемы применяются в конкретном устройстве и выполняют строго ограниченные функции, характерные только для данного устройства; вследствие этого выполнение функций происходит быстрее и, в конечном счёте, дешевле.
На одной электронной схеме удалось разместить сразу несколько ключевых компонентов: графическое ядро, ЦАП и тактовый генератор.
Основными элементами электронной схемы являются транзисторы.
№5 слайд
![Транзистор В настоящее время](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img4.jpg)
Содержание слайда: Транзистор
В настоящее время в цифровой технике, например в составе микросхем, полевые транзисторы почти полностью вытеснили биполярные, поэтому здесь речь пойдет только о полевых транзисторах.
Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.
№6 слайд
![Полевой транзистор Управление](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img5.jpg)
Содержание слайда: Полевой транзистор
Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, вследствие чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток через канал транзистора станет весьма малым.
Так как обратный ток p-n-перехода весьма мал, в статическом режиме или при низких рабочих частотах мощность, отбираемая от источника сигнала ничтожно мала. При высоких частотах ток, отбираемый от источника сигнала может быть значительным и идет на перезаряд входной ёмкости транзистора.
№7 слайд
![p-n переход p-n-переход или](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img6.jpg)
Содержание слайда: p-n переход
p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой
В полупроводнике p-типа, который получается посредством акцепторной примеси, концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n-типа, который получается посредством донорной примеси, концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок.
Если между двумя такими полупроводниками установить контакт, то возникнет диффузионный ток — основные носители заряда (электроны и дырки) хаотично перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше, и рекомбинируют друг с другом. Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядам. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).
Таким образом, на границе полупроводников образуются два слоя с пространственными зарядами противоположного знака, порождающие в переходе электрическое поле. Обеднённые области с неподвижными пространственными зарядами и называют p-n-переходом
№8 слайд
![Резистор Компонент включает в](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img7.jpg)
Содержание слайда: Резистор
Компонент 1 включает в себя генератор тактовых сигналов, который основан на конденсаторах и резисторах.
Резистор — пассивный элемент электрических цепей, обладающий определённым или переменным значением электрического сопротивления, предназначенный для линейного преобразования силы тока в напряжение и напряжения в силу тока, ограничения тока, поглощения электрической энергии и др. Сопротивление резистора измеряется в омах (Ом), так, например, резистор обладает сопротивлением в 1 Ом, если к его концам приложено напряжение 1В и по нему протекает ток силой 1А (исходя из формулы Ома)
Резисторы применяют согласно мощности, на которую они рассчитаны, и которую могут выдержать без риска быть испорченными при прохождении через них электрического тока, мощность рассчитывается по формуле
Также, резистор имеет такие параметры как емкость и индуктивность, но это паразитные параметры и их необходимо минимизировать.
№9 слайд
![Компоненты , и также основаны](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img8.jpg)
Содержание слайда: Компоненты 2, 3 и 4 также основаны на транзисторах, стоит лишь отметить, что для работы EEPROM важен туннельный эффект, невозможный в классической теории физики.
Компоненты 2, 3 и 4 также основаны на транзисторах, стоит лишь отметить, что для работы EEPROM важен туннельный эффект, невозможный в классической теории физики.
Компонент 5 - конденсатор
№10 слайд
![Конденсатор Конденсатор](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img9.jpg)
Содержание слайда: Конденсатор
Конденсатор – элемент, имеющий постоянную или переменную емкость и отличающийся малой проводимостью, он способен накапливать в себе заряд электрического тока и передавать его другим элементам в электрической цепи.
Конденсатор состоит из двух электродов (называемых обкладками), разделенных диэлектриком.
Емкость конденсатора C - величина, измеряемая в фарадах (Ф) и вычисляемая по формуле где U – разность потенциалов между обкладками
Параллельное соединение конденсаторов:
Последовательное соединение конденсаторов:
№11 слайд
![Резонатор Резонатор -](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img10.jpg)
Содержание слайда: Резонатор
Резонатор - электронный прибор, в котором пьезоэлектрический эффект и явление механического резонанса используются для построения резонансного элемента электронной схемы.
На пластинку, тонкий цилиндр, кольцо или брусок, вырезанные из кристалла кварца с определённой ориентацией относительно кристаллографических осей монокристалла нанесены 2 или более электродов — проводящие металлические полоски, выполненные напылением в вакууме или вжиганием плёнки металла на заданные поверхности кристалла.
При подаче напряжения на электроды благодаря обратному пьезоэлектрическому эффекту происходит изгиб, сжатие или сдвиг в зависимости от того, каким образом вырезан кристалл относительно кристаллографических осей, конфигурации возбуждающих электродов и расположения точек крепления.
Собственные колебания кристалла в результате пьезоэлектрического эффекта наводят на электродах дополнительную ЭДС и поэтому кварцевый резонатор электрически ведёт себя подобно резонансной цепи, — колебательному контуру, составленному из конденсаторов, индуктивности и резистора, причем добротность этой эквивалентной электрической цепи очень велика и близка к добротности собственных механических колебаний кристалла.
№12 слайд
![Условное обозначение](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img11.jpg)
Содержание слайда: Условное обозначение резонатора и аналогичная ему цепь
Пьезоэлектрический эффект — эффект возникновения поляризации диэлектрика под действием механических напряжений. Существует и обратный пьезоэлектрический эффект — возникновение механических деформаций под действием электрического поля.
Резонанс - частотно-избирательный отклик колебательной системы на периодическое внешнее воздействие, который проявляется в резком увеличении амплитуды стационарных колебаний при совпадении частоты внешнего воздействия с определёнными значениями, характерными для данной системы
№13 слайд
![Поляризация диэлектриков](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img12.jpg)
Содержание слайда: Поляризация диэлектриков — явление, связанное с ограниченным смещением связанных зарядов в диэлектрике или поворотом электрических диполей, обычно под воздействием внешнего электрического поля, иногда под действием других внешних сил или спонтанно.
Поляризация диэлектриков — явление, связанное с ограниченным смещением связанных зарядов в диэлектрике или поворотом электрических диполей, обычно под воздействием внешнего электрического поля, иногда под действием других внешних сил или спонтанно.
Поляризацию диэлектриков характеризует вектор электрической поляризации. Физический смысл вектора электрической поляризации — это дипольный момент, отнесенный к единице объема диэлектрика. Иногда вектор поляризации коротко называют просто поляризацией.
Вектор поляризации применим для описания макроскопического состояния поляризации не только обычных диэлектриков, но и сегнетоэлектриков, и, в принципе, любых сред, обладающих сходными свойствами. Он применим не только для описания индуцированной поляризации, но и спонтанной поляризации (у сегнетоэлектриков).
Поляризация — состояние диэлектрика, которое характеризуется наличием электрического дипольного момента у любого (или почти любого) элемента его объема.
№14 слайд
![Печатная плата Печатная плата](/documents_6/f4fd1b13ba4e393eefd61106f71034d7/img13.jpg)
Содержание слайда: Печатная плата
Печатная плата - пластина из диэлектрика, на поверхности и/или в объёме которой сформированы электропроводящие цепи электронной схемы. Печатная плата предназначена для электрического и механического соединения различных электронных компонентов. Электронные компоненты на печатной плате соединяются своими выводами с элементами проводящего рисунка обычно пайкой.
На печатной плате электропроводящий рисунок выполнен из фольги, целиком расположенной на твердой изолирующей основе. Печатная плата содержит монтажные отверстия и контактные площадки для монтажа выводных или планарных компонентов. Кроме того, в печатных платах имеются переходные отверстия для электрического соединения участков фольги, расположенных на разных слоях платы. С внешних сторон на плату обычно нанесены защитное покрытие («паяльная маска») и маркировка (вспомогательный рисунок и текст согласно конструкторской документации).
Скачать все slide презентации Описание элементной базы PCI видеокарты одним архивом:
Похожие презентации
-
Видеокарта. Устройство и характеристики
-
Оптико-электронные приборы специального назначения. Описание и область применения
-
Видеокарта GeForce GTX TITAN-X
-
Элементная база электронных устройств
-
Разработка базы технического обслуживания и хранения машин
-
Описание земельного участка
-
Виды сигналов и формы их описания. Лекция 1
-
Ознакомление с наземными радиотехническими средствами учебной базы РТОС
-
Ознакомление с наземными радиотехническими средствами учебной базы РТОС. Отчет по лабораторной работе 2
-
Интегральные утройства. Элементная база РЭС. Основные функции и конструктивно-технологические параметры