Презентация Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10) онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10) абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 39 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Презентации » Технология » Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10)


Оцените!
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Смотреть онлайн
Скачать
  • Тип файла:
    ppt / pptx (powerpoint)
  • Всего слайдов:
    39 слайдов
  • Для класса:
    1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
  • Размер файла:
    1.36 MB
  • Просмотров:
    59
  • Скачиваний:
    0
  • Автор:
    неизвестен


Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд
ОСНОВИ НАП ВПРОВ ДНИКОВО
Содержание слайда: ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 10 Енергонезалежні елементи памяті Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка
№2 слайд
Содержание слайда:
№3 слайд
Прилади з плаваючим затвором
Содержание слайда: Прилади з плаваючим затвором
№4 слайд
Содержание слайда:
№5 слайд
Содержание слайда:
№6 слайд
Содержание слайда:
№7 слайд
Содержание слайда:
№8 слайд
Содержание слайда:
№9 слайд
Содержание слайда:
№10 слайд
МДОН структури
Содержание слайда: МДОН структури
№11 слайд
Содержание слайда:
№12 слайд
Evolution- Floating-gate No
Содержание слайда: Evolution-1 Floating-gate No principal changes
№13 слайд
. . Advantages and
Содержание слайда: 1.2. Advantages and Disadvantages Floating-gate Advantages 1. Developed technology (CMOS compatibility) 2. Long data retention Disadvantages 1. Limitation of scale down 2. Low reliability 3. Low radiation hardness
№14 слайд
Evolution- Floating-gate
Содержание слайда: Evolution- 2 Floating-gate – Nanocrystal memory Nanocrystal memory
№15 слайд
. . Nanocrystal memory Main
Содержание слайда: 1.3. Nanocrystal memory Main idea: The continuous poly-Si Floating gate is replaced on discontinuous Si nanocrystals (discontinuous floating gate)
№16 слайд
Nanocrystal memory Energy
Содержание слайда: Nanocrystal memory Energy band diagram during injection (a), store (b), and removal (c) of an electron from a nanocrystal.
№17 слайд
. . . Why nanocrystal memory?
Содержание слайда: 1.3.1. Why nanocrystal memory? 1. CMOS compatibility 2. High integrity (scaling down) 3. Faster (high speed of write/erase) 4. High injection efficiency 5. Consumption of lower power 6. Low voltage operation 7. High stability 8. High reliability 9. Much smaller degradation 10. Potential application for multilevel memory and logic 11. Novel Si functional devices
№18 слайд
High integrity scaling down
Содержание слайда: High integrity (scaling down) Floating-gate 1. Poly-Si cannot be used with very thin tunnel oxide-scaling problem 2. Single leakage path in poly-Si can be discharge the memory with loss the information 3. Stress induced leakage current (SILC)
№19 слайд
High stability High
Содержание слайда: High stability / High reliability
№20 слайд
Low voltage operation
Содержание слайда: Low voltage operation / Consumption of lower power / Faster / Much smaller degradation / High injection efficiency Hot carrier injection / Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling (do<4.5 nm)
№21 слайд
Fowler-Nordheim Direct
Содержание слайда: Fowler-Nordheim – Direct tinneling(1) Hot carrier injection (1) / Fowler-Nordheim tunneling (2) Direct tunneling (do<4.5 nm) (3)
№22 слайд
Fowler-Nordheim Direct
Содержание слайда: Fowler-Nordheim – Direct tinneling(2) Fowler-Nordheim tunneling Direct tunneling
№23 слайд
Potential application for
Содержание слайда: Potential application for multilevel memory and logic
№24 слайд
Novel Si functional devices .
Содержание слайда: Novel Si functional devices 1. Nanocrystal memory- quantum dot floating gate memory 2. Single electron transistors 3. Resonant tunneling devices
№25 слайд
Comparison of non-volatile
Содержание слайда: Comparison of non-volatile memories EEPROM FN – Tunneling e- in floating gate dox8…10 nm Vw/e12…20 V Endurance 104…106 Retention: 10 years
№26 слайд
Requirements for NC s used
Содержание слайда: Requirements for NC’s used for NC Memory 1. Near-Interface NC-Band 2. NC-Size: 3...8 nm 5 nm (NCs separated to each others) 3. Distance to Substrate: 3 – 5 nm (NCs separated to the substrate) 4. Areal density (5-10)x1011 cm-2 Size homogeneity of Si nanoclusters is very important Self assembly is promising process to achieve Si nanoparticle size uniformity and high areal density
№27 слайд
Requirements for NC s used
Содержание слайда: Requirements for NC’s used for NC Memory Improved device performance and reliability depends upon: 1. Ability to control cluster core size 2. Cluster size distribution 3. Crystallinity 4. Areal particle density 5. Oxide passivation quality 6. Crystal-to-crystal insulation
№28 слайд
. . . New physics Quantum
Содержание слайда: 1.3.2. New physics Quantum confinement effect 3- dimensional system (3D) 2- dimensional system (2D) 1- dimensional system (1D) 0- dimensional system (0D)
№29 слайд
Quantum confinement effect
Содержание слайда: Quantum confinement effect
№30 слайд
Quantum confinement effect
Содержание слайда: Quantum confinement effect Energy spectrum
№31 слайд
Quantum confinement effect In
Содержание слайда: Quantum confinement effect In case of spherical nanoparticles (nanocrystals)
№32 слайд
Coulomb blockade effect The
Содержание слайда: Coulomb blockade effect The effect of blocking the injection of a second charge into a semiconductor under a certain electric field, due to modification of the electrostatic potential within it by the present of a first injected charge. Injection of a second charge needs to overcome the semiconductor charging energy.
№33 слайд
Coulomb blockade effect . I.
Содержание слайда: Coulomb blockade effect [2]. I. Kim et al. Jpn. J. Appl. Phys..40, 447-451, 2001.
№34 слайд
Coulomb blockade effect
Содержание слайда: Coulomb blockade effect Conclusions 2. 1. The electrons already transferred to the nanocrystals block the transfer of other electrons. 2. Single electron effects are expected to be observed at room temperature for nanocrystals with diameter up to >10 nm (Ee+E12>kT).
№35 слайд
Single electron transistor
Содержание слайда: Single electron transistor Quantum confinement effect + Coulomb blockade effect ___________________________ Single electron charging effects ___________________________ Single electron transistor
№36 слайд
Single electron transistor
Содержание слайда: Single electron transistor Fabrication route of forming high-density of small and uniform in size nanocrystals is an important issue to be resolved before the practical application of single electron phenomena
№37 слайд
. . . Parameters Vw e V
Содержание слайда: 1.3.5. Parameters Vw/e2…4 V Endurance >106…1010 Retention: >10 years
№38 слайд
. . Conclusions . Nanocrystal
Содержание слайда: 1.4. Conclusions 1. Nanocrystal floating gate memory is a perspective candidate for the future scaled flash memory 2. Nanocrystal memory is intermediate between present floating gate nonvolatile memory and single electron memory
№39 слайд
Дякую за увагу!
Содержание слайда: Дякую за увагу!
Скачать все slide презентации Основи напівпровідникової електроніки. Енергонезалежні елементи памяті. (Лекція 10) одним архивом:
Скачать
Похожие презентации