Презентация Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов онлайн

Содержание слайда:   «Прибор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов»

Содержание слайда: Методы измерения электрофизических параметров полупроводников Контактные методы измерения 1. Метод Ван дер Пау 2. Двухзондовый метод 3. Четырехзондовый метод

Содержание слайда: 1- измерительное отверстие; 2 – индуктивный штырь; 3 – стенка; 4 – элементы связи; 5 – мет. диафрагма; 6 – механизм перемещения индуктивного штыря; 7 – образец; Рис. 1 – Резонатор с внешним измерительным отверстием

Содержание слайда: Рис. 3 – Функциональная схема установки

Содержание слайда: Прочая через резонатор мощность равна: (1). (где - мощность СВЧ генератора; - внешние добротности резонатора; - нагруженная добротность; - величина, обратная тангенсу угла, потерь измеряемого полупроводника; К – коэфф. включения, образца в резонатор) В случае высокоомных образцов, когда электрическое поле не экранируется СНЗ, выражение (1) можно преобразовать к виду: (2). Где, - мощность, прошедшая через резонатор в отсутствии образца, , где определяется экспериментально. Определив значение и измеряя на резонансной частоте можно вычислить удельное сопротивление: (3).

Содержание слайда: Рис. 2 – Калибровочная кривая резонатора с внешними кольцевым отверстием

Содержание слайда: Технические характеристики «SemiCon - 1 »

Содержание слайда: Результаты

Содержание слайда: Потенциальные потребители Тут перечислить предприятия

Содержание слайда: Заключение Реализация предлагаемого метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов в виде прибора «SemiCon - 1» позволила выявить перспективность его использования на различных предприятиях, занимающиеся изготовлением полупроводниковых материалов, а также при создании полупроводниковых приборов. Результаты предварительных маркетинговых и патентных исследований позволяют сделать вывод о перспективности коммерциализации данного прибора.

Содержание слайда: Литература 1. Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников. – М.:Металлургия, 1978 – 200с. 2. Медведев Ю.В., Ахманаев В.Б., Петров А.С. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // Электронная техника, Сер 1, Электроника СВЧ. – 1961. – вып.4. – С.48-51. 3. Левашкин А.Г., Петров А.С., Тюльков Г.И. Резонатор для измерения удельного сопротивления полупроводниковых образцов // ПТЭ. – 1982. - №5. – С.187-189. 4. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1970. 5. Исследование и разработка методик и аппаратуры для измерения параметров германия: Отчет о НИР/ СФТИ; Рук Л.Г. Лапатин - №ГР01829037078; Мив.№б.н – Томск, 1984-80с. 6. Об измерении удельного сопротивления чистого германия бесконтактным резонаторным методом на СВЧ при наличии на поверхности образцов изгибов зон./ Л.Г. Лапатин, А.Г. Левашкин // Изв. ВУЗов: Физика, 1983,№4, с.128.