Презентация SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 9 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Химия » SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

9 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

1.16 MB
Просмотров:

61
Скачиваний:

0
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: SiC структура, политипы, физико-химические и электрофизические свойства. Сферы применения. Студент: Фолимонова М.В.

№2 слайд

Содержание слайда: Карбид кремния

№3 слайд

Содержание слайда: Структура, политипы

№4 слайд

Содержание слайда: Электрофизические свойства

№5 слайд

Содержание слайда: Физико-химические свойства Теплопроводность 3,6-4,9 (Вт/(см·К)), Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0·10−6K) При нагревании на воздухе окисляется при 800 С˚ (т.е. высокая температурная стабильность) Химически стойкий Жаростойкий

№6 слайд

Содержание слайда: Применение В качестве абразивного материала Конструкционные материалы ( композиты) Автомобильные запчасти Электроника (варисторы) Пирометрия Ядерная энергетика Ювелирные изделия

№7 слайд

Содержание слайда: Применение в электронных приборах SiC используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, транзисторах и в высокотемпературных тиристорах. По сравнению с приборами на основе Si и GaAs приборы из SiC имеют следующие преимущества: в несколько раз большая ширина запрещённой зоны; в 10 раз большая электрическая прочность; высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C); теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия; устойчивость к воздействию радиации; стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

№8 слайд