Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
13 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
2.62 MB
Просмотров:
61
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![ZnS и ZnSe как оптические](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img0.jpg)
Содержание слайда: ZnS и ZnSe как оптические материалы,люминофоры, лазерные матрицы.
Выполнила Колобкова Е. М.
Группа МН-15
№2 слайд![Общие сведения ZnS цинковая](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img1.jpg)
Содержание слайда: Общие сведения
ZnS – цинковая соль сероводородной кислоты
Плотность 3,98—4,09 г/см³ - достаточно мягкий материал
Нерастворим в воде
Плавится под давлением при температуре 1850°C
Способен окисляться на влажном воздухе до сульфата, реагирует с кислотами с образованием новых солей
Твердость 3,5-4
№3 слайд![Модификации сульфида цинка](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img2.jpg)
Содержание слайда: Модификации сульфида цинка
Сфалерит – цинковая обманка. Обладает
кубической сингонией и структурой, подобной алмазу. Имеет место плотнейшая кубическая упаковка атомов серы.
Ячейка – гранецентрированный куб, по углам которого расположены атомы Zn, а в центре куба – атом S.
№4 слайд![](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img3.jpg)
№5 слайд![Вюрцит лучистая цинковая](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img4.jpg)
Содержание слайда: Вюрцит – лучистая цинковая обманка. Обладает гексагональной сингонией. И плотнейшей гексагональной упаковкой. Встречается гораздо реже сфалерита, чаще всего в виде вкраплений в руду цинковой обманки.
Вюрцит – лучистая цинковая обманка. Обладает гексагональной сингонией. И плотнейшей гексагональной упаковкой. Встречается гораздо реже сфалерита, чаще всего в виде вкраплений в руду цинковой обманки.
Обе структуры обладают координационным числом 4, их структуры очень похожи, что делает их политипами.
№6 слайд![Применение ZnS. Является](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img5.jpg)
Содержание слайда: Применение ZnS.
Является соединением типа A(II)B(VI) – полупроводник.
Шириной запрещённой зоны 3,54—3,91 эВ (широкозонный полупроводник n-типа).
Подвижность электронов = 0,014 кв.м/(В*с)
(для сравнения, у кремния 0,15 кв.м/(В*с))
Используется в полупроводниковых лазерах.
Fe2+:ZnS, Cr2+:ZnS, Cо2+:ZnS,
№7 слайд![Основа для многих люминофоров](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img6.jpg)
Содержание слайда: Основа для многих люминофоров
Основа для многих люминофоров
ZnS:Ag (с синим цветом свечения) — для цветных кинескопов;
(Zn, Cd)S:Ag — для рентгеновских трубок;
ZnS:Cu (с зелёным цветом свечения) — для светящихся табло, панелей, люминофоров осциллографических трубок.
Обладает нелинейно-оптическими свойствами – применяется в производстве волноводов и модуляторов.
В металлургии – получение сплава латуни.
№8 слайд![Получение и методы роста.](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img7.jpg)
Содержание слайда: Получение и методы роста.
Соединения A(II)B(VI), как правило, имеют низкую температуру плавления и высокое давление насыщенных паров. При повышенной температуре вещество разлагается.
Технология роста кристаллов развита слабее, чем, например, у A(III)B(V).
Чаще всего применяется метод перекристаллизации из газовой фазы.
№9 слайд![Метод Штернберга Мининзона](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img8.jpg)
Содержание слайда: Метод Штернберга – Мининзона (институт кристаллографии имени Шубникова):
Метод Штернберга – Мининзона (институт кристаллографии имени Шубникова):
Выращивание ZnS в растворе ортофосфорной кислоты с температурным перепадом.
№10 слайд![ZnSe селенид цинка.](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img9.jpg)
Содержание слайда: ZnSe – селенид цинка.
Соединение типа A(II)B(VI)
Плотность 5,27 г/см³
Плавится при температуре 1520°C
Твердость 3-4
Кубическая гранецентрированная ячейка со структурой сфалерита или вюрцита
№11 слайд![Является прямозонным](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img10.jpg)
Содержание слайда: Является прямозонным полупроводником, ширина запрещенной зоны = 2,68 эВ(при комн. темп.), благодаря чему термоустойчив.
Является прямозонным полупроводником, ширина запрещенной зоны = 2,68 эВ(при комн. темп.), благодаря чему термоустойчив.
Компонент для создания СО2-лазеров, оптических приборов (защитные окна, линзы, призмы), оптоволокно с сердечников из селенида цинка
Сине-голубые светодиоды
Детекторы излучения
№12 слайд![Различают поликристаллический](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img11.jpg)
Содержание слайда: Различают поликристаллический ZnSe:
Различают поликристаллический ZnSe:
лазерного качества (размер зерна 50-70 мкм) используется для изготовления оптики для мощных лазерных систем, в том числе для CO2 лазеров. Важным преимуществом материала является прозрачность в видимом диапазоне спектра, что делает возможной юстировку приборов и оптических систем на красной длине волны 632,8 нм.
оптического качества (размер зерна 20-100 мкм) используется для изготовления защитных окон и оптических компонент в ИК системах построения изображения, медицинской и оборонной технике.
№13 слайд![Получение и методы роста. В](/documents_6/5d7c09a125a7fb011e1ee45e66f48e9f/img12.jpg)
Содержание слайда: Получение и методы роста.
В природе встречается в виде минерала штиллеита.
Электрохимический способ:
Катод – сплав Se-Pt, анод – Zn, электролит – серная/соляная кислота.
Основные методы роста
1. газофазная перекристаллизация
2. направленная кристаллизация под давлением
3. Эпитаксиальное наращивание плёнок CVD-ZnSe на подложку.
Исходные реагенты - пары цинка и газ селеноводород. CVD метод позволяет получить поликристаллический ZnSe с низким содержанием примесей и структурных дефектов.
4. Вертикальный метод Бриджмена кристаллы ZnSe:Fe (для изготовления активных элементов перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона)