Презентация Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 17 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Образование » Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

17 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

1.94 MB
Просмотров:

68
Скачиваний:

0
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем

№2 слайд

Содержание слайда: Напопительная балльная система по курсу КБ ЭВС

№3 слайд

Содержание слайда: Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения

№4 слайд

Содержание слайда: Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует: 1) знание физики полупроводников и полупроводниковых приборов; 2) знание технологии изготовления п/п приборов и ИС; 3) знание схемотехнических решений формирования ИС; 4) применение современных САПР и умение работать на них.

№5 слайд

Содержание слайда: Курс состоит из двух частей: Физика полупроводников (зонная структура п/п, типы п/п, понятие носителей заряда, концентрация, подвижность и время жизни нз, плотность электронного и дырочного токов и т.д.); Физика полупроводниковых приборов (диод, биполярный тр-р, МДП и т.д.);

№6 слайд

Содержание слайда: Классификация веществ: Удельное сопротивление материалов: Металлы ( 10-6 - 10-4 ) Ом*см; Полупроводники ( 10-3 – 109 ) Ом*см; Диэлектрики – ( 1010-1018 ) Ом*см. Полупроводники (Si, Ge, GaAs): химические элементы (Si, Ge, Se); интерметаллические соединения (InSb, GaAs); окислы (CuO2, ZnO); карбиды (SiC); сульфиды (CdS, ZnS) и т.д.

№7 слайд

Содержание слайда: Зависимость удельного сопротивления от температуры

№8 слайд

Содержание слайда: Зависимость удельной проводимости свинца и кремния от температуры

№9 слайд

Содержание слайда: Использование кремния в качестве основного полупроводникового материала (преимущества) 1) Кремний доступен (отработанная технология получения и обработки); 2) Оксид кремния SiO2 – идеальный диэлектрик; 3) Кремниевая интегральная технология отрабатывалась более 45 лет.

№10 слайд