Презентация Электронно дырочный переход, р-n переход онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Электронно дырочный переход, р-n переход абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 15 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:15 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:602.52 kB
- Просмотров:97
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Электро дырочный переход
Р-N ПЕРЕХОД
№2 слайд
Содержание слайда: p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
№3 слайд
Содержание слайда:
№4 слайд
Содержание слайда:
№5 слайд
Содержание слайда: Из чего делают полупрводник
Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен.
№6 слайд
Содержание слайда:
№7 слайд
Содержание слайда: Условное обазначение полупроводника
№8 слайд
Содержание слайда:
№9 слайд
Содержание слайда: Принцып работы
В проводниках носителями зарядов являются электроны. В полупроводниках кроме электронов еще есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной температуре некоторые электроны приобретают энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются в свободное плавание. Они так и называются - свободные электроны.
Дырка - это свободное место в атоме потерявшее электрон. Но на место дырки может перейти электрон из соседнего атома и уже он становится "дырявым". Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника.
№10 слайд
Содержание слайда: Р-N
Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью n-типа.
Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет сдырочной проводимостью, или проводимостью р-типа.
№11 слайд
Содержание слайда: Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих при соединении полупроводников разной проводимости.
Для их изготовления вводят в чистый полупроводник примеси, которые делают его с электронной или дырочной проводимостью. Границу между обогащенными примесями областями кристалла р- и n- типа называют p-n переходом.
№12 слайд
Содержание слайда: В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область р-типа
№13 слайд
Содержание слайда: Если подать обратное напряжение на катод (+) а на анод (-) созданное источником напряжения, на контакты полупроводника ,тогда внешнее поле созданное источником напряжения, будет направлено в том же направлении как и поле p-n перехода которое заставит электроны и дырки устремятся к контактам с противоположным потенциалом.
№14 слайд
Содержание слайда: Так вот с этого мы понимаем что полупроводники пропускают ТОК только в одном направлении. То есть от Р-типа к N-типу ( от АНОДА к КАТОДУ)
Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других
№15 слайд
Содержание слайда: А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория p-n-перехода / Рецензент: проф. Ф. И. Григорьев. — М.: МИЭМ, 2002.
В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с.
https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4#Литератураhttp://www.radio-samodel.ru/p-n%20perexod.html
Скачать все slide презентации Электронно дырочный переход, р-n переход одним архивом:
