Презентация Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 17 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:17 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:612.50 kB
- Просмотров:77
- Скачиваний:1
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда:
№2 слайд
Содержание слайда: Общая характеристика пробоя p-n перехода
Пробой p-n перехода – это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, которое приводит к резкому увеличению обратного тока, при достижении критического значения обратного напряжения.
Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависит от типа p-n перехода и может иметь величину от единиц до сотен вольт.
№3 слайд
Содержание слайда:
№4 слайд
Содержание слайда: Тепловой пробой p-n перехода
характерен для широких p-n переходов, у которых база слабо легирована примесями;
причина – нарушение теплового баланса;
обусловлен разогревом p-n перехода при протекании через него обратного тока.
№5 слайд
Содержание слайда: В режиме постоянного тока мощность, выделяемая в p-n переходе, определяется соотношением:
Отводимая от p-n перехода мощность:
Тепловое сопротивление определяет перепад T, необходимый для отвода 1 Вт мощности от p-n перехода в окружающую среду.
№6 слайд
Содержание слайда: Тепловой пробой p-n перехода
В установившемся режиме
При нарушении теплового баланса
Тепловой режим перехода теряет устойчивость: Т и ток перехода неограниченно растут. Возникает тепловой пробой.
№7 слайд
Содержание слайда: участок АВ: rДИФ = dUобр / dIобр < 0
№8 слайд
Содержание слайда: Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя :
Температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя :
ТКНТЕПЛ = Uпроб/Т 0,
где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 , Т = Т2 – Т1.
Тепловой пробой – необратимый пробой, приводит к разрушению перехода. Он характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов.
№9 слайд
Содержание слайда: Полевой пробой p-n перехода
электрический вид пробоя
характерен для сравнительно узких p-n переходов (ширина p-n перехода в равновесном состоянии составляет сотые доли микрометра)
обе области p-n перехода имеют высокую степень легирования примесями
напряженность электрического поля
туннельный эффект – явление «просачивания» электронов сквозь узкий энергетический барьер p-n перехода
№10 слайд
Содержание слайда: Энергетическая диаграмма при полевом пробое
№11 слайд
Содержание слайда:
№12 слайд
Содержание слайда: Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя :
Температурный коэффициент напряжения для полевого пробоя :
ТКНпол = Uпроб/Т 0,
где Uпроб = Uпроб2 – Uпроб1 при Iобр = const, Т = Т2 – Т1 .
Напряжение полевого пробоя определяется эмпирическим соотношением:
Uпроб = Аn+Вp
где n и p – удельные сопротивления n- и p-областей, прилегающих к переходу.
№13 слайд
Содержание слайда: Лавинный пробой p-n перехода
электрический вид пробоя
проявляется в p-n переходах ширина, которых достаточно большая
напряженность электрического поля EКР=(80−120) кВ/см
ударная ионизация нейтральных атомов полупроводника непосредственно в p-n переходе быстрыми электронами (дырками), которые получили достаточное ускорение за счет действия электрического поля p-n перехода.
№14 слайд
Содержание слайда: Механизм ударной ионизации
№15 слайд
Содержание слайда: Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В,
Напряжение лавинного пробоя:Uпроб = Аб В,
где б – удельное сопротивление базы перехода, А, В – коэффициенты, зависящие от материала и типа электропроводности полупроводника.
Например, для p-n перехода с базой n-типа
Чем меньше в базе, тем выше б , шире p-n переход, меньше Еобр , тем больше напряжение лавинного пробоя.
Температурный коэффициент напряжения при лавинном пробое: ТКНЛАВ = Uпроб/Т 0
№16 слайд
Содержание слайда:
№17 слайд
Содержание слайда: Выводы
Тепловой пробой – необратимый пробой, причина – нарушение теплового баланса, характерен для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов.
Электрические виды пробоя: полевой и лавинный.
Напряжение лавинного пробоя более 7 В, полевого пробоя менее 5 В.
ТКН лавинного пробоя – положительный, полевого и теплового пробоя – отрицательный.
Уменьшение степени легирования приводит к увеличению напряжения лавинного и полевого пробоя.
Скачать все slide презентации Электронно-дырочный переход. Пробой p-n перехода одним архивом:
