Презентация Электронно-дырочный переход онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Электронно-дырочный переход абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 16 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:16 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:905.00 kB
- Просмотров:65
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда:
№2 слайд
Содержание слайда: Допущения
Допущения
Приложенное к полупроводнику напряжение падает на p-n переходе.
№3 слайд
Содержание слайда: § 3.1. Прямосмещенный p-n переход
Прямое смещение перехода: к p-области подключен положительный полюс источника напряжения, а к n-области – отрицательный.
Ширина прямосмещенного p-n перехода:
Высота потенциального барьера :
№4 слайд
Содержание слайда:
№5 слайд
Содержание слайда: Инжекцией называется процесс нагнетания (введения) носителей заряда через p-n переход при понижении высоты потенциального барьера в область полупроводника, для которого они являются неосновными носителями заряда.
В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний характер.
№6 слайд
Содержание слайда: Область, инжектирующая носители заряда, называется эмиттером. Эта область сильно легирована примесями и имеет низкое удельное сопротивление.
Область, в которую инжектируются неосновные для нее носители заряда, называется базой. База меньше легирована примесями и имеет большее значение удельного сопротивления.
№7 слайд
Содержание слайда: В результате инжекции в p- и n-областях на границах перехода окажутся дополнительные носители заряда, неосновные для данной области.
В результате инжекции в p- и n-областях на границах перехода окажутся дополнительные носители заряда, неосновные для данной области.
В каждом из слоев появляются избыточные носители:
№8 слайд
Содержание слайда: Коэффициент инжекции показывает какую часть полного тока создают основные носители эмиттера
№9 слайд
Содержание слайда:
№10 слайд
Содержание слайда: § 3.2. Обратносмещенный p-n переход
Обратное смещение p-n перехода: к
p-области подключен отрицательный полюс внешнего источника напряжения, а к n-области – положительный.
Ширина обратносмещенного p-n перехода:
Высота потенциального барьера :
№11 слайд
Содержание слайда:
№12 слайд
Содержание слайда: Экстракцией называется извлечение неосновных носителей заряда из областей, прилегающих к p-n переходу на расстоянии диффузионной длины, возникающее при увеличении высоты потенциального барьера.
Экстракция происходит из базы в эмиттер.
№13 слайд
Содержание слайда:
№14 слайд
Содержание слайда:
№15 слайд
Содержание слайда: Выводы
Если подключить источник э.д.с. U между p- и n-слоями, то равновесие перехода нарушится и в цепи потечет ток. Поскольку удельное сопротивление обедненного слоя намного выше, чем удельные сопротивления нейтральных слоев, то внешнее напряжение практически полностью падает на переходе и изменяет высоту потенциального барьера.
В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний характер: из эмиттера в базу нагнетаются неосновные для базы носители заряда.
№16 слайд
Содержание слайда: Выводы
Дрейфовый ток несимметричного перехода создается преимущественно неосновными носителями заряда базы, т.е. преобладает экстракция неосновных носителей заряда из базы.
Скачать все slide презентации Электронно-дырочный переход одним архивом:
