Презентация Полевые транзисторы онлайн

Содержание слайда: Полевые транзисторы Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель.

Содержание слайда: Определение: Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Содержание слайда: Классификация полевых транзисторов

Содержание слайда: Схема и структура полевого транзистора

Содержание слайда: Вольт-амперные характеристики

Содержание слайда:

Содержание слайда: Принцип работы С - сток, И - исток, З - затвор 1.На затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на исток -, хотя без разницы) на исток. Ток при этом проходит через транзистор, точнее через n+ слой, так как имеются носители заряда - электроны. Ток через p слой не течёт вследствие подсоединения к нему отрицательного потенциала напряжения от истока.(этот случай соответствует рисунку) 2.Уменьшаем потенциал затвора (U<0), за счёт эффекта поля отрицательное напряжение на затворе отталкивает отрицательно заряженные электроны под затвором подальше от затвора, канал при этом сужается, пока вовсе не исчезает вследствие полного обеднения n слоя под затвором электронами, которые являются единственными носителями заряда.Пороговое напряжение, при котором канал полностью исчезает называется напряжением отсечки. Тока через транзистор нет. 3.Увеличиваем потенциал затвора(U>0), при положительном потенциале вследствие того же эффекта поля положительный потенциал уже притягивает электроны, поэтому канал расширяется за счёт электронов под истоком и стоком и ток при напряжении насыщения становится максимальным. Нетрудно догадаться, что при максимальном токе глубина n слоя везде одинакова.

Содержание слайда: Полевой транзистор с индуцированным каналом .

Содержание слайда: условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою. условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.

Содержание слайда: ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Напряжение отсечки Uотс Крутизна характеристики: S=∆Iс/∆Uзи при U с=const Входное сопротивление : Rвх =∆ Uзи max ∆Iз max Выходное сопротивление: Rвых = ∆ Uс при Uзи = сonst ∆Iс