Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
10 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
226.17 kB
Просмотров:
61
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Полевые транзисторы Выполнил](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img0.jpg)
Содержание слайда: Полевые транзисторы
Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель.
№2 слайд![Определение Полевым](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img1.jpg)
Содержание слайда: Определение:
Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля,
а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.
№3 слайд![Классификация полевых](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img2.jpg)
Содержание слайда: Классификация полевых транзисторов
№4 слайд![Схема и структура полевого](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img3.jpg)
Содержание слайда: Схема и структура полевого транзистора
№5 слайд![Вольт-амперные характеристики](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img4.jpg)
Содержание слайда: Вольт-амперные характеристики
№6 слайд![](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img5.jpg)
№7 слайд![Принцип работы С - сток, И -](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img6.jpg)
Содержание слайда: Принцип работы
С - сток, И - исток, З - затвор
1.На затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на исток -, хотя без разницы) на исток. Ток при этом проходит через транзистор, точнее через n+ слой, так как имеются носители заряда - электроны. Ток через p слой не течёт вследствие подсоединения к нему отрицательного потенциала напряжения от истока.(этот случай соответствует рисунку)
2.Уменьшаем потенциал затвора (U<0), за счёт эффекта поля отрицательное напряжение на затворе отталкивает отрицательно заряженные электроны под затвором подальше от затвора, канал при этом сужается, пока вовсе не исчезает вследствие полного обеднения n слоя под затвором электронами, которые являются единственными носителями заряда.Пороговое напряжение, при котором канал полностью исчезает называется напряжением отсечки.
Тока через транзистор нет.
3.Увеличиваем потенциал затвора(U>0), при положительном потенциале вследствие того же эффекта поля положительный потенциал уже притягивает электроны, поэтому канал расширяется за счёт электронов под истоком и стоком и ток при напряжении насыщения становится максимальным. Нетрудно догадаться, что при максимальном токе глубина n слоя везде одинакова.
№8 слайд![Полевой транзистор с](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img7.jpg)
Содержание слайда: Полевой транзистор с индуцированным каналом
.
№9 слайд![условные графические](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img8.jpg)
Содержание слайда: условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.
условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.
№10 слайд![ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО](/documents_6/f03385396edcc19bbdfa401b78b10388/img9.jpg)
Содержание слайда: ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
Напряжение отсечки Uотс
Крутизна характеристики:
S=∆Iс/∆Uзи при U с=const
Входное сопротивление : Rвх =∆ Uзи max
∆Iз max
Выходное сопротивление:
Rвых = ∆ Uс при Uзи = сonst
∆Iс