Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
61 слайд
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
5.18 MB
Просмотров:
67
Скачиваний:
0
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Полевые униполярные](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img0.jpg)
Содержание слайда: Полевые (униполярные) транзисторы
JFET (junction field-effect transistor)
Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. Т.е. управление в таком транзисторе осуществляется полем.
Полевые транзисторы часто называют униполярными. Т.к. в канале протекают носители одного типа.
Полевые транзисторы бывают двух видов;
с управляющим p-n переходом (бывают с каналом n-типа или с каналом p-типа)
со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор). Часто в качестве диэлектрика применяют окисел кремния, поэтому их часто называют МОП-транзистор (металл-окисел-полупроводник, metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно MOSFET).
МОП-транзисторы могут быть двух типов:
транзисторы с встроенным каналом;
транзисторы с индуцированным каналом.
№2 слайд![Полевые транзисторы с](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img1.jpg)
Содержание слайда: Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Полевой транзистор представляет собой монокристалл полупроводника (например n – типа) по торцам которого сформированы электроды, а посередине создана область противоположного типа проводимости
( соотв. p-типа) и выводы от этой области. Тогда на границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет р-n-переход.
№3 слайд![Электрод, от которого](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img2.jpg)
Содержание слайда: Электрод, от которого движутся основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, - стоком. Управляющий электрод называют затвором.
Электрод, от которого движутся основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, - стоком. Управляющий электрод называют затвором.
Для эффективного управления выходным током материал основного полупроводника должен быть высокоомным. Кроме того, начальная ширина канала должна быть достаточно малой – порядка нескольких микрон.
№4 слайд![Полевые транзисторы с](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img3.jpg)
Содержание слайда: Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
№5 слайд![Полевые транзисторы с](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img4.jpg)
Содержание слайда: Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на переходе и от этого изменяется его ширина. Соответственно изменяется площадь поперечного сечения канала, через который проходит поток основных носителей заряда.
№6 слайд![Стоко-затворная](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img5.jpg)
Содержание слайда: Стоко-затворная характеристика канал n-типа
№7 слайд![Выходная характеристика канал](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img6.jpg)
Содержание слайда: Выходная характеристика канал n-типа
№8 слайд![Основные параметры ПТ](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img7.jpg)
Содержание слайда: Основные параметры ПТ
№9 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img8.jpg)
№10 слайд![Эквивалентная схема полевого](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img9.jpg)
Содержание слайда: Эквивалентная схема полевого
транзистора с управляющим p-n-переходом
№11 слайд![Упрощенная эквивалентная схема](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img10.jpg)
Содержание слайда: Упрощенная эквивалентная схема
№12 слайд![Преимущества полевых](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img11.jpg)
Содержание слайда: Преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами:
высокое входное сопротивление;
малые шумы;
высокая термостабильность;
простота изготовления.
№13 слайд![Схемы включения](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img12.jpg)
Содержание слайда: Схемы включения
№14 слайд![Схема с общим истоком Имеет](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img13.jpg)
Содержание слайда: Схема с общим истоком
Имеет большой коэффициент усиления по току и по напряжению.
Изменяет фазу входного сигнала на 180 градусов.
Относительно большие входное и выходное сопротивления.
№15 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img14.jpg)
№16 слайд![Схема с общим стоком Подобна](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img15.jpg)
Содержание слайда: Схема с общим стоком
Подобна эмиттерному повторителю и называется истоковый повторитель.
Выходное напряжение по фазе повторяет входное.
Коэффициент усиления по напряжению меньше единицы.
Высокое входное сопротивление и низкое выходное сопротивление.
№17 слайд![Схема с общим затвором](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img16.jpg)
Содержание слайда: Схема с общим затвором
Аналогична схеме с общей базой.
Не дает усиления по току и поэтому коэффициент усиления по мощности незначителен.
Фаза напряжения при усилении не изменяется.
Входное сопротивление мало, так как входным током является ток истока. Поэтому отдельно практически не используется
№18 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img17.jpg)
№19 слайд![МОП МДП -транзистор с](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img18.jpg)
Содержание слайда: МОП (МДП) -транзистор с изолированным затвором (metal-oxide-semiconductor field effect transistor, Depletion- MOSFET, D-MOSFET)
№20 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img19.jpg)
№21 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img20.jpg)
№22 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img21.jpg)
№23 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img22.jpg)
№24 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img23.jpg)
№25 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img24.jpg)
№26 слайд![Характеристики](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img25.jpg)
Содержание слайда: Характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом
№27 слайд![Эквивалентная схема](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img26.jpg)
Содержание слайда: Эквивалентная схема МДП-транзистора с встроенным каналом
№28 слайд![МДП-транзистор с](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img27.jpg)
Содержание слайда: МДП-транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа, Enhancement MOSFET , E-MOSFET)
№29 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img28.jpg)
№30 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img29.jpg)
№31 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img30.jpg)
№32 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img31.jpg)
№33 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img32.jpg)
№34 слайд![Преимущества МДП-транзисторов](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img33.jpg)
Содержание слайда: Преимущества МДП-транзисторов
Преимущества МДП – транзисторов по сравнению с полевыми транзисторами с управляющим p-n-переходом:
лучшие температурные характеристики;
лучшие шумовые характеристики;
большое входное сопротивление (до 1015Ом) при любой полярности входного напряжения;
меньшее значение входной емкости, следовательно, предельная частота может достигать сотен МГц;
простота конструктивной реализации, особенно транзисторов с индуцированным каналом.
№35 слайд![Включение ПТ в схемах](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img34.jpg)
Содержание слайда: Включение ПТ в схемах
№36 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img35.jpg)
№37 слайд![КМОП комплементарная](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img36.jpg)
Содержание слайда: КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor)
В более общем случае — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости.
№38 слайд![Отличительной особенностью](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img37.jpg)
Содержание слайда: Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями является очень малое энергопотребление в статическом режиме.
Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями является очень малое энергопотребление в статическом режиме.
Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов;
Как следствие, КМОП-схемы обладают более высокой скоростью действия и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки.
Подавляющее большинство современных логических микросхем, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.
№39 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img38.jpg)
№40 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img39.jpg)
№41 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img40.jpg)
№42 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img41.jpg)
№43 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img42.jpg)
№44 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img43.jpg)
№45 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img44.jpg)
№46 слайд![Конструкции транзисторов](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img45.jpg)
Содержание слайда: Конструкции транзисторов
№47 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img46.jpg)
№48 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img47.jpg)
№49 слайд![Типы корпусов SMD -](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img48.jpg)
Содержание слайда: Типы корпусов SMD - транзисторов
№50 слайд![Кодировка SMD - транзисторов](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img49.jpg)
Содержание слайда: Кодировка SMD - транзисторов
№51 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img50.jpg)
№52 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img51.jpg)
№53 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img52.jpg)
№54 слайд![Транзистор в ключевом режиме](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img53.jpg)
Содержание слайда: Транзистор в ключевом режиме
№55 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img54.jpg)
№56 слайд![Обратная связь в усилителях и](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img55.jpg)
Содержание слайда: Обратная связь в усилителях и генераторах
№57 слайд![Влияние ОС на параметры](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img56.jpg)
Содержание слайда: Влияние ОС на параметры усилителя
№58 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img57.jpg)
№59 слайд![](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img58.jpg)
№60 слайд![Положительная ОС](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img59.jpg)
Содержание слайда: Положительная ОС
№61 слайд![Принцип генерации сигналов](/documents_6/5f45c993b0bec2153780c80fdf7446d3/img60.jpg)
Содержание слайда: Принцип генерации сигналов