Презентация Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2) онлайн
На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2) абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 67 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.
Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
- Тип файла:ppt / pptx (powerpoint)
- Всего слайдов:67 слайдов
- Для класса:1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
- Размер файла:5.16 MB
- Просмотров:58
- Скачиваний:0
- Автор:неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд
Содержание слайда: Лекция 2
Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора
№2 слайд
Содержание слайда: Зависимость выхода годных Y от минимального размера L м
№3 слайд
Содержание слайда: Закон сохранения выхода годных
№4 слайд
Содержание слайда: 1. Ограничения, связанные с дисперсией размеров пыли
Зависимость числа осажденных пылинок от их размера
Долят
в общем
объеме
воздуха
№5 слайд
Содержание слайда: Зависимость числа осажденных пылинок от их размера
Доля
в общем
количестве
1/Rт т – технологический
фактор
Размер пылинки
№6 слайд
Содержание слайда: Влияние размера дефекта и элемента на отказ ИС
№7 слайд
Содержание слайда: Влияние размеров дефектов на степень интеграции ИС
№8 слайд
Содержание слайда: Учет влияния дисперсии размеров дефектов на выход годных ИС.
Y = exp (- AэМD0 ).
Если D0 = D /lт где D – constant, l – минимальный топологический размер. т – технологический фактор,
и Аэ = l2N , где N – число квадратов со стороною l , определяющих площадь элемента и тогда
Y = exp (- l2NMD/lт ) = exp (- NMD/lт-2 )
Рациональный путь повышения М – увеличение значения технологического фактора - т!
№9 слайд
Содержание слайда: 2. Приборные (параметрические ) ограничения
№10 слайд
Содержание слайда: Ограничения, связанные со смыканием областей ОПЗ истока и стока при уменьшении длины канала
№11 слайд
Содержание слайда: Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения
№12 слайд
Содержание слайда: Логика закона масштабирования
№13 слайд
Содержание слайда: Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения
№14 слайд
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№15 слайд
Содержание слайда: Логика закона масштабирования
№16 слайд
Содержание слайда: Пороговое напряжение МОП-транзистора
Выравнивание зон Обеднение Инверсия
= + + 2
№17 слайд
Содержание слайда: Логика закона масштабирования
№18 слайд
Содержание слайда: Логика закона масштабирования
№19 слайд
Содержание слайда: Влияние масштабирования на параметры ИС
K - коэффициент масштабирования, Е - constant
Lk, Wк, Xок , Wмс, Hpn 1/k
Nп k
Uст 1/k
E 1 !
Iст 1/k ( на один транзистор)
tз 1/k !
P 1/k2 (на один транзистор) !
Ptз 1/k3 ( энергия затрачиваемая на операцию с 1 битом )
Rмс K ( при уменьшении лишь ширины дорожки межсоединений)
Cмс 1/k
Tз мс (Rм Cм) 1 !
№20 слайд
Содержание слайда: График закона масштабирования
№21 слайд
Содержание слайда: Ограничение графика закона масштабирования
№22 слайд
Содержание слайда: 3. Физические ограничения
Подзатворный диэлектрик – основная проблема уменьшения размеров МОП транзистора
№23 слайд
Содержание слайда: Зависимость величины туннельного тока через диэлектрик от напряжения на затворе
№24 слайд
Содержание слайда: Зависимость ширины и длины канала от толщины подзатворного оксида кремния
№25 слайд
Содержание слайда: Изменение толщины подзатворного диэлектрика
№26 слайд
Содержание слайда: Использование альтернативных диэлектриков
Эффективная толщина подзатворного диэлектрика
Тэ = Тд кок / кд
Тэ - эффективная толщина подзатворного диэлектрика
Tд – толщина альтернативного диэлектрика
кд и кок - коэффициенты диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика и оксида кремния
№27 слайд
Содержание слайда: Влияние диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика на физическую толщину подзатворного диэлектрика
№28 слайд
Содержание слайда: Микрофотография структуры с оксидом гафния
№29 слайд
Содержание слайда: Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств
№30 слайд
Содержание слайда: Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств
№31 слайд
Содержание слайда: Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок
+ - t + -
tот = J-n
где tот - время до отказа ( час ), J – плотность тока ( А/см2), n - коэффициент ( 1 – при малом токе, 3 – при большом токе).
При J = 106 А/см2 , tот= 3 месяца.
№32 слайд
Содержание слайда: Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации
№33 слайд
Содержание слайда: Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации
№34 слайд
Содержание слайда: РЭМ - фотография металлизированной разводки
№35 слайд
Содержание слайда: Ограничения, связанные с отводом тепла
Максимальная отводимая мощность
20 Вт/ ( воздушное охлаждение)
Максимальная степень интеграции
М = 2х20Вт/1мкВт = 4х !
№36 слайд
Содержание слайда: Предельные значения физических параметров
№37 слайд
Содержание слайда: График закона масштабирования с учетом физических ограничений
№38 слайд
Содержание слайда: Ограничения уменьшения размеров традиционного МОП транзистора
№39 слайд
Содержание слайда: 4. Технологические ограничения, связанные с процессом совмещения при литографии
№40 слайд
Содержание слайда: Установка совмещения и экспонирования
на участке фотолитографии
№41 слайд
Содержание слайда: Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )
№42 слайд
Содержание слайда: Масштабируемость ПДР
№43 слайд
Содержание слайда: Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )
№44 слайд
Содержание слайда: Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок
+ - t + -
tот = J-n
где tот - время до отказа ( час ), J – плотность тока ( А/см2), n - коэффициент ( 1 – при малом токе, 3 – при большом токе).
При J = 106 А/см2 , tот= 3 месяца.
№45 слайд
Содержание слайда: Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации
№46 слайд
Содержание слайда: РЭМ - фотография металлизированной разводки
№47 слайд
Содержание слайда: Причина немасштабируемости линии при литографии
М
№48 слайд
Содержание слайда: Методы самосовмещения
в технологии ИС
Self Aligned
PSA, APSA, NSA, QSA, SST, VIST. SWAMI. SICOS
№49 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с разнотолщинной маской
с использованием открытого травления
№50 слайд
Содержание слайда: Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния
(N в кремнии/N в оксиде)
№51 слайд
Содержание слайда: Инверсионный канал по краю кармана р-типа
№52 слайд
Содержание слайда: Распределение примеси по глубине при ионной имплантации
№53 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с разнотолщиной маской с использованием ионной имплантации
1018 1017
№54 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с помощью твердой маски
№55 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с использованием
электродов в качестве маски
№56 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с использованием легированного поликремниевого электрода
№57 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с помощью «спейсеров»
№58 слайд
Содержание слайда: Самосовмещение с использованием Lift off («взрывной») технологии
№59 слайд
Содержание слайда: Самосовмешение с использованием бокового подтравливания и «взрывной» технологии
№60 слайд
Содержание слайда: Перекрестная металлизация
Фотолитографии
1. Вскрытие окон
под диффузию
2.Формирование
М1
3. Вскрытие окон
под контакты
4.Формирование
М2
№61 слайд
Содержание слайда: Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации
В скобках специфические травители
№62 слайд
Содержание слайда: Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации
Последовательное
травление окон в слоях
и боковое подтравливание
в специфических травителях
и удаление фоторезиста
№63 слайд
Содержание слайда: Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации
РИО
алюминия
№64 слайд
Содержание слайда: Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации
РИО
нитрида
кремния
№65 слайд
Содержание слайда: Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации
Диффузия
бора
№66 слайд
Содержание слайда: Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации
№67 слайд
Содержание слайда: Фундаментальные физические ограничения уменьшения размеров
Скачать все slide презентации Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2) одним архивом:
