Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!
Тип файла:
ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:
14 слайдов
Для класса:
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:
459.00 kB
Просмотров:
74
Скачиваний:
1
Автор:
неизвестен
Слайды и текст к этой презентации:
№1 слайд![Характеристики биполярного](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img0.jpg)
Содержание слайда: Характеристики биполярного транзистора
Рочев Алексей гр.21303
№2 слайд![Устройство биполярного](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img1.jpg)
Содержание слайда: Устройство биполярного транзистора
№3 слайд![Схемы включения БТ](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img2.jpg)
Содержание слайда: Схемы включения БТ
№4 слайд![Характеристики БТ в схеме с](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img3.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ в схеме с ОЭ
1. Выходные характеристики – зависимость тока коллектора Iк от напряжения на коллекторе Uк при постоянном токе базы Iб (рис.9а).
Iк = f(Uк); Iб = const, Iб3> Iб2> Iб1.
2. Входная характеристика – зависимость тока базы Iб от напряжения на базе Uб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9б):
Iб = f(Uб); Uк = const.
3. Переходная характеристика – зависимость тока колллектора Iк от тока базы Iб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9в):
Iк = f(Iб); Uк = const.
№5 слайд![Характеристики БТ в схеме с ОЭ](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img4.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ в схеме с ОЭ
№6 слайд![Характеристики БТ в схеме с ОБ](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img5.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ в схеме с ОБ
№7 слайд![Дифференциальные параметры](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img6.jpg)
Содержание слайда: Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
1.Дифференциальный коэффициент передачи тока
2.Сопротивление эмиттерного перехода
3.Сопротивление коллекторного перехода
4.Коэффициент обратной связи
5.Дифференциальный коэффициент передачи тока
(для схемы с общим эмиттером)
№8 слайд![Характеристики БТ как](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img7.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ как четырехполюсника.
Свойства транзистора характеризуются параметрами, которые делятся на:
1) физические – коэффициент усиления по току a, сопротивления rэ, rб, rк; эти параметры характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы включения;
2) схемотехнические – имеют различные значения для разных схем включения. Существуют несколько систем схемотехнических параметров, но все они основаны на том, что транзистор как элемент схемы на малом переменном сигнале рассматривается в виде линейного активного четырехполюсника.
№9 слайд![Характеристики БТ как](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img8.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ как четырехполюсника.
№10 слайд![Характеристики БТ как](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img9.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ как четырехполюсника.
Основной для БТ является система h-параметров.
Каждый из h-параметров имеет определенный физический смысл.
1)Параметр h11 представляет собой величину входного сопротивления транзистора rвх при коротком замыкании на выходе (U2=0) и измеряется в Омах. h11 = U1/I1; при U2=0
2)Параметр h12 называется коэффициентом обратной связи и равен отношению входного напряжения U1 к выходному U2 при разомкнутой входной цепи(I1=0). h12 = U1/U2; при I1=0
3)Параметр h22 представляет собой выходную проводимость транзистора при разомкнутом входе (I1=0) и измеряется в микросимменсах ( 1 мкСм =10-6См = 1 мкА/В).h22 = I2/U2; при I1=0
4)Параметр h21 – коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе.h21 = I2/I1; при U2=0
№11 слайд![Характеристики БТ как](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img10.jpg)
Содержание слайда: Характеристики БТ как четырехполюсника.
Поскольку транзистор имеет три электрода и используется как четырехполюсник, то один из его электродов является общим для входной и выходной цепи. При этом значения h-параметров отличаются в зависимости от схемы включения биполярного транзистора: hб для схемы с общей базой или hэ для схемы с общим эмиттером.
№12 слайд![h - параметры можно](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img11.jpg)
Содержание слайда: h - параметры можно определить с помощью статических характеристик методом измерения их на постоянном токе. Тогда роль малого переменного тока и напряжения будут играть малые приращения постоянных токов Iб, Iк, и напряжений Uк, Uб. Для схемы с общим эмиттером.
h - параметры можно определить с помощью статических характеристик методом измерения их на постоянном токе. Тогда роль малого переменного тока и напряжения будут играть малые приращения постоянных токов Iб, Iк, и напряжений Uк, Uб. Для схемы с общим эмиттером.
В справочниках чаще указаны h-параметры для схемы с ОБ (hб), которые можно найти путем пересчета, если известны h-параметры для схемы с ОЭ (hэ):
№13 слайд![Между физческими параметрами](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img12.jpg)
Содержание слайда: Между физческими параметрами и h-параметрами для биполярного транзистора в схеме с общей базой существует взаимосвязь:
Между физческими параметрами и h-параметрами для биполярного транзистора в схеме с общей базой существует взаимосвязь:
№14 слайд![Благодарим за внимание](/documents_6/22198f87b442e60498f422301072c681/img13.jpg)
Содержание слайда: Благодарим за внимание