Презентация Основные методы получения моно- и поликристаллического SiC. Диаграмма состояния онлайн

На нашем сайте вы можете скачать и просмотреть онлайн доклад-презентацию на тему Основные методы получения моно- и поликристаллического SiC. Диаграмма состояния абсолютно бесплатно. Урок-презентация на эту тему содержит всего 11 слайдов. Все материалы созданы в программе PowerPoint и имеют формат ppt или же pptx. Материалы и темы для презентаций взяты из открытых источников и загружены их авторами, за качество и достоверность информации в них администрация сайта не отвечает, все права принадлежат их создателям. Если вы нашли то, что искали, отблагодарите авторов - поделитесь ссылкой в социальных сетях, а наш сайт добавьте в закладки.

Презентации » Химия » Основные методы получения моно- и поликристаллического SiC. Диаграмма состояния

Просмотр ВСЕЙ презентации! ЖМИТЕ

Оцените презентацию от 1 до 5 баллов!

Смотреть онлайн
Скачать

Тип файла:

ppt / pptx (powerpoint)
Всего слайдов:

11 слайдов
Для класса:

1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11
Размер файла:

0.98 MB
Просмотров:

99
Скачиваний:

0
Автор:

неизвестен

Слайды и текст к этой презентации:

№1 слайд

Содержание слайда: ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ МОНО- И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SIC. ДИАГРАММА СОСТОЯНИЯ. Студент: Любимов Д.М.

№2 слайд

Содержание слайда: ПОЛУЧЕНИЕ Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1800—2300 °C из смеси кварцевого песка (51—55%), кокса (35—40%) с добавкой NaCI (1—5%) и древесных опилок (5—10%). SiO2 + 3C → (1600−2500˚C) SiC + 2CO Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового электрода в печи. Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к электроду. С увеличением расстояния от электрода цвет изменяется на синий или черный из-за присутствия примесей.

№3 слайд

Содержание слайда: ПОЛУЧЕНИЕ Используют методы выращивания кристаллов SiC из газовой фазы или из растворов в расплаве. Большое распространение получил метод сублимации. В этом методе рост кристаллов карбида кремния происходит из газовой фазы в графитовых тиглях в атмосфере инертных газов при температуре 2500-2600 °C. Эпитаксиальные слои и твердые растворы на основе карбида кремния можно получать всеми известными методами, используемыми в полупроводниковой технологии. Технология формирования структур карбида кремния на подложках кремния принципиально не отличается от процессов получения кремниевых пленок. Гетероэпитаксиальные слои выращиваются методом газофазной эпитаксии в открытой системе. В качестве газа-носителя используется водород диффузионной очистки; в первой зоне свободный углерод связывается с водородом и переносится в зону роста полупроводниковой пленки

№4 слайд

Содержание слайда: МЕТОД ЛЕЛИ 1 – горячая графитовая труба 2 – холодная графитовая труба 3 – болванка SiC 4 – крышка (SiC, C) 5 – полученные кристаллы

№5 слайд